NANOCOM is an instrumental platform dedicated to the characterization of integrated components and circuits on silicon (CMOS SOI, BiCMOS SiGe …) or III-V (InP, AsGa…) technologies. NANOCOM is developed around the needs of research and partnership at IMS, in the field of component modeling, parameters extraction, and the design of integrated circuits in radiofrequency and microwave areas.

Read more
Characterization electronic design



Different test benches and instruments for specific measurements are available :

These equipments can be used on test fixture or on wafer with 8 probe stations. A semi-automatic probe station allows to control temperature from -60 °C to 200 °C and a cryogenic probe station to go down to 77K (nitrogen).


Research team electronic

Nanocom skills

Small signal up to 500 GHz

Large signal up to 90 GHz

Low frequency noise

Radiofrequency and microwave noise with parameters extraction (NFmin, Gopt, Phiopt, Rn)

Spectral and phase noise analysis up to 170 GHz





Send a email to the team

Error: Contact form not found.

Résumé en français

NANOCOM est une plateforme dédiée à la caractérisation électrique de composants et de circuits intégrés en technologies silicium (CMOS SOI, BiCMOS SiGe …) ou III-V (InP, AsGa…). Elle est située dans le bâtiment principal de l’IMS (Bat A31) et  s’étend sur plus de 200m². Cette plateforme instrumentale s’est développée autour des besoins de la recherche au Laboratoire IMS et de ses partenaires, dans les domaines de la modélisation des composants, de l’extraction de leurs paramètres et de la conception de circuits intégrés radiofréquences et hyperfréquences.

Contact our team

If you have a request or questions about the laboratory, please contact our team.