Eric WOIRGARD

Professor

Research group : RELIABILITY

Team : RIAD

Tel : 0540006546

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Conference proceedings (7)

Comparison of crack resistance of two SiC MOSFETs gate geometries under short-circuit by FE simulations Auteur(s): Florent Loche-Moinet, Loïc Théolier, Eric Woirgard Année de publication: 2025 Journal: DOI: 10.1109/EDTM58488.2024.10511839 Lien HAL: https://hal.science/hal-04993053v1 Multi-scale electro-thermo-mechanical simulation of a SiC MOSFET transitor during short-circuit Auteur(s): Florent Loche-Moinet, Loïc Théolier, Eric Woirgard Année de publication: 2023 Journal: DOI: 10.1109/EuroSimE56861.2023.10100834 Lien HAL: https://hal.science/hal-04263298v1 High Temperature Power Module Packaging Issues Auteur(s): W. Sabbah, E. Woirgard, S. Azzopardi, C. Buttay, Sombel Diaham, Marie-Laure Locatelli, J.P. Habas, V. Nassiet, O. Fichet, M. Charlas Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03989429v1 Embedded set of sensors for power electronic modules Auteur(s): Paul-Etienne Vidal, Jean-Marc Diénot, Frédéric Rotella, Imane Sakhraoui, Baptiste Trajin, Guillaume Viné, Irène Zambettakis, Antoine Renaud, Eric Woirgard, Gautier Bayle, Samuel Behar, Philippe Lasserre, Jacques Favre Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03657416v1 Increased Breakdown Voltage and robustness of Embedded power module Auteur(s): A. Tablati, N. Alayli, F. Arabi, K. El Boubakari, T. Youssef, L. Theolier, E. Woirgard Année de publication: 2022 Journal: DOI: 10.1109/EuroSimE54907.2022.9758892 Lien HAL: https://hal.science/hal-03665886v1 Conception de capteurs intégrés et logiciels pour des modules d'électronique de puissance Auteur(s): Paul-Etienne Vidal, Jean-Marc Diénot, Frédéric Rotella, Imane Sakhraoui, Baptiste Trajin, Guillaume Viné, Irène Zambettakis, Antoine Renaud, Eric Woirgard, Gautier Bayle, Samuel Behar, Philippe Lasserre, Jacques Favre Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03657538v1 Apparent heat capacity model of the SiC MOSFET’s Aluminium top surface for short-circuits simulations Auteur(s): F. Loche-Moinet, L. Theolier, E. Woirgard Année de publication: 2022 Journal: DOI: 10.1109/EuroSimE54907.2022.9758917 Lien HAL: https://hal.science/hal-03665892v1

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