Nathalie MALBERT

Professor

Research group : RELIABILITY

Team : RIAD,WBG

Tel : 0540002859

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Article (33)

Influence of AlGaN n-type doping and AlN thickness on the two-dimensional electron gas density (n$_s$) and resistance (R$_{2DEG}$) Auteur(s): Clémentine Piotrowicz, Blend Mohamad, Nathalie Malbert, Marie-Anne Jaud, William Vandendaele, Matthew Charles, Romain Gwoziecki Lien HAL : https://cea.hal.science/cea-04528502 Stability of the threshold voltage in fluorine-implanted normally-off AlN/GaN HEMTs co-integrated with commercial normally-on GaN HEMT technology Auteur(s): Florent Albany, François Lecourt, Ewa Walasiak, N. Defrance, Arnaud Curutchet, Hassan Maher, Yvon Cordier, Nathalie Labat, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-03539673 Role of AlGaN back-barrier in enhancing the robustness of ultra-thin AlN/GaN HEMT for mmWave applications Auteur(s): N. Said, Kathia Harrouche, F Medjdoub, N. Labat, Jean-Guy Tartarin, N. Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-04278649 A Comprehensive Analysis of AlN spacer and AlGaN n-doping effects on the 2DEG Resistance in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures Auteur(s): C. Piotrowicz, B. Mohamad, B. Rrustemi, N. Malbert, M. A. Jaud, W. Vandendaele, M. Charles, R. Gwoziecki Lien HAL : https://hal.science/hal-03722735 Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability Auteur(s): Laurent Brunel, Benoit Lambert, Dominique Carisetti, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-02462652 Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests Auteur(s): Florent Magnier, Benoit Lambert, Christophe Chang, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-02462730 Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs Auteur(s): Mehdi Rzin, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Laurent Brunel, Benoit Lambert, Arnaud Curutchet Lien HAL : https://hal.science/hal-01718753 Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress Auteur(s): Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, J.C. Dejaeger, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-01718762 TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices Auteur(s): Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01625567 Analysis of Schottky Gate degradation evolution in AlGaN/GaN HEMTs during HTRB stress Auteur(s): Laurent Brunel, Benoit Lambert, P. Mezengue, J. Bataille, Didier Floriot, J. Grunenputt, Hans Blanck, Dominique Thales R&t Carisetti, Y. Gourdel, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01002643 Characterization of self-heating in Si-Ge HBTs with pulse, DC and AC measurements Auteur(s): Amit Kumar Sahoo, Sébastien Fregonese, Mario Weiss, Brice Grandchamp, Nathalie Malbert, Thomas Zimmer Lien HAL : https://hal.science/hal-00978797 A scalable electrothermal model for transient self-heating effects in trench-isolated SiGe HBTs Auteur(s): Amit Kumar Sahoo, Sebastien Fregonese, Mario Weis, Nathalie Malbert, Thomas Zimmer Lien HAL : https://hal.science/hal-00978803 Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors Auteur(s): Amit Kumar Sahoo, Mario Weiss, Sébastien Fregonese, Nathalie Malbert, Thomas Zimmer Lien HAL : https://hal.science/hal-00978809 Failure analysis of GaAs microwave devices with plastic encapsulation by electro-optical techniques Auteur(s): W. Ben Naceur, N. Malbert, N. Labat, H. Frémont, D. Carisetti, J. C. Clément, B. Bonnet Lien HAL : https://hal.science/hal-00905892 Thermal impedance modeling of SiGe HBTs from low-frequency small-signal measurements Auteur(s): A.K. Sahoo, Sebastien Fregonese, Thomas Zimmer, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-00584885 Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: Experiments and numerical simulations Auteur(s): M. Faqir, Moshine Bouya, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, D. Carisetti, B. Lambert, G. Verzellesi, F. Fantini Lien HAL : https://hal.science/hal-00585069 Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs Auteur(s): Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Charlotte Sury, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, Yannick Douvry, Christian Dua, Mourad Oualli, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, Walf Chikhaoui Lien HAL : https://hal.science/hal-00401267 Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques Auteur(s): Moshine Bouya, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Dominique Carisetti, Philippe Perdu, Jean-Claude Clement, Benoit Lambert, Michel Bonnet Lien HAL : https://hal.science/hal-00400906 AlGaN/GaN HEMT Reliability Assessment by means of Low Frequency Noise Measurements Auteur(s): Alberto Sozza, Arnaud Curutchet, Christian Dua, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00196943 Low frequency noise as a reliability diagnostic tool in compound semiconductor transistors Auteur(s): Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Cristell Maneux, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00183088 Degradation mechanisms induced by thermal and bias stresses in InP HEMTs Auteur(s): Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Andre Touboul, François Garat, B. Proust Lien HAL : https://hal.science/hal-00183493 Empirical modeling of LF gate noise in GaAs DCFET in impact ionization regime Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00183494 Safe operating area of GaAs MESFET for non linear applications Auteur(s): N. Malbert N. Labat N. Ismaïl A. Touboul, J.L. Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00185721 Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs Auteur(s): Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto, Lode K.J. Vandamme, Pierre Huguet, P. Auxemery, François Garat Lien HAL : https://hal.science/hal-00183094 Experimental procedure for the evaluation of GaAs-based HBT's reliability Auteur(s): Cristell Maneux, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Andre Touboul, Yves Danto, Jean-Michel Dumas, Jean-Louis Benchimol, Muriel Riet Lien HAL : https://hal.science/hal-00183093 Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMT's grown on silicon, SiC and sapphire substrates Auteur(s): Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, H. Lareche, A. Minko, Michael Uren Lien HAL : https://hal.science/hal-00183492 Comparison of RF and DC life-test effects on GaAs power MESFETs Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul, Pierre Huguet, François Garat Lien HAL : https://hal.science/hal-00183497 Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT Auteur(s): N. Ismaïl, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, J.L. Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00185717 Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs on SiC Auteur(s): Moshine Bouya, Dominique Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Philippe Perdu, Jean-Claude Clement, Michel Bonnet, Gerard Pataut Lien HAL : https://hal.science/hal-00197479 Safe operating area of GaAs MESFET and PHEMT for amplification in overdrive operating conditions Auteur(s): Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro, Francis Brasseau, Dominique Langrez Lien HAL : https://hal.science/hal-00183490 Evolution of LF noise in power PHEMTs submitted to RF and DC step Stresses Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul, Pierre Huguet, René Bonnet, Gérard Pataud Lien HAL : https://hal.science/hal-00183495 Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate Auteur(s): Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko Lien HAL : https://hal.science/hal-00183491 Low Frequency Gate Noise in a Diode-Connected MESFET: Measurements and Modeling Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul, Lode K.J. Vandamme Lien HAL : https://hal.science/hal-00183496

Conference proceedings (77)

Impact of gate morphology on electrical performances of recessed GaN-on Si MOS channel-HEMT for different channel orientations Auteur(s): Clémentine Piotrowicz, Blend Mohamad, Pedro Fernandes Paes Pinto Rocha, N. Malbert, Simon Ruel, Patricia Pimenta-Barros, Marie-Anne Jaud, Laura Vauche, Cyrille Le Royer Lien HAL : https://cea.hal.science/cea-04528487 Thermal and statistical analysis of various AlN/GaN HEMT geometries for millimeter Wave applications Auteur(s): Nasri Said, Kathia Harrouche, F Medjdoub, N. Labat, Jean-Guy Tartarin, N. Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-04125371 Epoxy Mold Compound Characterization for Modeling Packaging Reliability Auteur(s): Ariane Tomas, Benoit Lambert, Helene Fremont, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-03666406 Reliability of Fan-Out Wafer Level Packaging For III-V RF Power MMICs Auteur(s): Ariane Tomas, Laurent Marechal, Rodrigo Almeida, Mehdy Neffati, Nathalie Malbert, Helene Fremont, Nathalie Labat, Arnaud Garnier Lien HAL : https://hal.science/hal-03336953 Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests Auteur(s): Florent Magnier, Benoit Lambert, Christophe Chang, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-02462713 Méthodologie d’extraction de la puissance de sortie au cours de vieillissements accélérés à partir de mesures I-V pulsées Auteur(s): Florent Magnier, Christophe Chang, Benoit Lambert, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-02462791 Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress Auteur(s): Hadhemi Lakhdhar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, Jean-Claude de Jaeger, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-02462684 Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state » Auteur(s): Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, Jean-Claude de Jaeger, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-02462775 TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices Auteur(s): Kalparupa Mukherjee, Frederic Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-02462694 Co-integration of Enhancement and Depletion Modes of GaN-based Transistors for Next Generation RF Communication Circuits Auteur(s): N. Defrance, Etienne Okada, Florent Albany, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Flavien Cozette, Maher, Hassan, E Walasiak, François Lecourt Lien HAL : https://hal.science/hal-02502499 Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs Auteur(s): Mehdi Rzin, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Laurent Brunel, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-02462670 Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications Auteur(s): Kalparupa Mukherjee, Frederic Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-02462765 Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN HEMTs Auteur(s): Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01787593 Critical failure mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMT under severe stress test conditions Auteur(s): Dominique Thales R&t Carisetti, Nicolas Sarazin, Laurent Brunel, J.C. Clement, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01718823 Investigation of the trap-limited transient response of GaN HEMTs Auteur(s): Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01851997 Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state Auteur(s): Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, J.C. Dejaeger, Nathalie Malbert Lien HAL : https://hal.science/hal-01718864 Comprehensive Study into Underlying Mechanisms of Anomalous Gate Leakage Degradation in GaN High Electron Mobility Transistors Auteur(s): Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01718850 Investigation of Trapping Behaviour in GaN HEMTs through physical TCAD Simulation of Capacitance Voltage characteristics Auteur(s): Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01718857 Schottky gate of AlGaN/GaN HEMTs: investigation with DC and low frequency noise measurements after 7000 hours HTOL test Auteur(s): Mehdi Rzin, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Laurent Brunel, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-01163601 Etude du contact Schottky de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC après 7000h de test de vieillissement de type HTOL Auteur(s): Mehdi Rzin, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Laurent Brunel, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-01163586 Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC Auteur(s): Nathalie Malbert, Laurent Brunel, Dominique Carisetti, Arnaud Curutchet, Benoit Lambert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-01163624 Kink effect characterization in AlGaN/GaN HEMTs by DC and Drain Current Transient measurements Auteur(s): Laurent Brunel, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-00987040 Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC Auteur(s): Mehdi Rzin, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Laurent Brunel, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-00987763 Investigation of gate and drain leakage currents of AlGaN/GaN HEMTs at subthreshold regime for temperature range 300K - 400K Auteur(s): Mehdi Rzin, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Laurent Brunel, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-00987798 Thermal Laser Stimulation technique for AlGaN/GaN HEMT technologies improvement Auteur(s): Dominique Thales R&t Carisetti, N. Sarazin, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Benoit Lambert, Laurent Brunel, K. Rousseau, Eddy Romain Latu, Thomas Frank Lien HAL : https://hal.science/hal-00989606 Evaluation of Quasi-Hermetic Packaging Solutions for Active Microwave Devices and Space Applications Auteur(s): Ben Naceur W., N. Malbert, N. Labat, H. Fremont, J.L. Muraro, P. Monfraix Lien HAL : https://hal.science/hal-00799929 Impact of Back-end-of-line on Thermal Impedance in SiGe HBTs Auteur(s): Kumar Sahoo Amit, Sébastien Fregonese, Mario Weib, Marco Santorelli, Nathalie Malbert, Thomas Zimmer Lien HAL : https://hal.science/hal-00906141 Electro-thermal dynamic simulation and thermal spreading impedance modeling of Si-Ge HBTs Auteur(s): Kumar Sahoo Amit, Sebastien Fregonese, Mario Weib, Nathalie Malbert, Thomas Zimmer Lien HAL : https://hal.science/hal-00669443 Détection et identification des pièges dans les HEMTS AlGaN/GaN Auteur(s): L. Brunel, N. Malbert, A. Curutchet, N. Labat, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-00672186 Electro-thermal characterization of Si-Ge HBTs with pulse measurement and transient simulation Auteur(s): Kumar Sahoo Amit, Sebastien Fregonese, Mario Weib, Nathalie Malbert, Thomas Zimmer Lien HAL : https://hal.science/hal-00669428 Les techniques électro-optique pour l'analyse de défaillance des composants III-V Auteur(s): Moshine Bouya, D. Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, P. Perdu, J.C. Clément Lien HAL : https://hal.science/hal-00585600 Evaluation des solutions de packaging quasi-hermétique sur composants actifs hyperfréquences Auteur(s): Walim Ben Naceur, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Hélène Fremont, Jean-Luc Muraro, Philippe Monfraix Lien HAL : https://hal.science/hal-00585624 Dégradation du bruit en courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC Auteur(s): Charlotte Sury, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Christian Dua, Mourad Oualli, M.A. Diforte-Poisson, Raphaël Aubry Lien HAL : https://hal.science/hal-00585621 UV emission microscopy development for high band gap components Auteur(s): Moshine Bouya, D. Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Philippe Perdu, J.C. Clement Lien HAL : https://hal.science/hal-00585086 Détection et identification des pièges dans les HEMTs AlGaN/GaN Auteur(s): Laurent Brunel, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Nathalie Labat, Benoit Lambert Lien HAL : https://hal.science/hal-00585618 Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs Auteur(s): Y. Douvry, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Charlotte Sury, C. Dua, M. Oualli, M. Piazza, J.M. Bluet, W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier Lien HAL : https://hal.science/hal-00585101 IR and Vis-NIR electroluminescence developments for FA in AlGaN/GaN HEMTs on SiC Auteur(s): Moshine Bouya, D. Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Philippe Perdu, J.C. Clement Lien HAL : https://hal.science/hal-00585192 Low frequency Noise evolution of AlGaN/GaN HEMT after 2000 Hours of HTRB and HTO life test Auteur(s): Charlotte Sury, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-00401286 MODELISATION DU COURANT DE GRILLE DES HEMTs AlGaN/GaN Auteur(s): L. Lacheze, C. Sury, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00401345 Méthodologie de calibration de simulation numérique TCAD de TLM AlGaN/GaN Auteur(s): L. Lacheze, N. Malbert, N. Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-00401349 Analyse du bruit basses fréquences de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et Saphir Auteur(s): A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, M. Uren Lien HAL : https://hal.science/hal-00401361 Méthodologie pour la définition d'une Aire de sécurité de fonctionnement statique de la technologie MESFET à substrat GaAs Auteur(s): N. Ismail, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, J.-L. Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00401367 Backside failure analysis by electroluminescence on microwave devices Auteur(s): Moshine Bouya, Dominique Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Philippe Perdu, P. Delaqueze, Jean Claude Clement Lien HAL : https://hal.science/hal-00401293 Analytical modelling of the Schottky gate current in AlGaN/GaN HEMT Auteur(s): Ludovic Lacheze, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-00401306 Étude du bruit aux basses fréquences des contacts ohmiques des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium Auteur(s): C. Sury, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-00401350 Comparaison des lieux de claquage BV on-state des différentes technologies à substrat GaAs Auteur(s): N. Ismail, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, B. Lambert, J.-L. Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00401360 Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs Auteur(s): Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Charlotte Sury, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, Yannick Douvry, Christian Dua, Mourad Oualli, Catherine Bru-Chevallier, Jean-Marie Bluet, Walf Chikhaoui Lien HAL : https://hal.science/hal-00401323 Analyse du bruit basse fréquence de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et saphir Auteur(s): A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, M. Uren Lien HAL : https://hal.science/hal-00401359 Caractérisation et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences dans la filière HEMT à base de nitrure de gallium Auteur(s): A. Curutchet, C. Sury, N. Malbert, N. Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-00401250 Extraction et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium Auteur(s): C. Sury, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00401347 Analyse du bruit BF du canal de la technologie HEMT sur nitrure de gallium (GaN) Auteur(s): A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00401358 Influence of thermal and impact ionization stresses on AlGaAs/InGaAs HEMT DC performances Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Pierre Huguet Lien HAL : https://hal.science/hal-00183514 Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrats silicium et saphir Auteur(s): Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko, Michael Uren Lien HAL : https://hal.science/hal-00183507 Evidence of surface trap effects on pseudomorphic HEMT submitted to impact ionization stresses Auteur(s): Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Benoit Lambert, Andre Touboul, Gérard Pataud Lien HAL : https://hal.science/hal-00183511 L'ionisation par impact dans un HEMT pseudomorphique sur GaAs Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00183516 A methodology to delimit the on-state safe operating area of GaAs MESFET for nonlinear applications Auteur(s): Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00183499 Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress Auteur(s): Alberto Sozza, Christian Dua, E. Morvan, Ma Diforte-Poisson, Sylvain Delage, F. Rampazzo, A. Tazzoli, F. Danesin, G. Meneghesso, Enrico Zanoni, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, B. Grimber, Jean-Claude de Jaeger Lien HAL : https://hal.science/hal-00183500 Analysis of LF noise evolution in power HEMT after DC step lifetests Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Pierre Huguet, Gérard Pataud Lien HAL : https://hal.science/hal-00183513 Breakdown voltage of AlGaAs/InGaAs HEMT submitted to life-tests in impact ionization regime Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Pierre Huguet Lien HAL : https://hal.science/hal-00183517 Traps characterization inSi-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques Auteur(s): Alberto Sozza, Christian Dua, N. Sarazin, E. Morvan, Sylvain Delage, F. Rampazzo, A. Tazzoli, F. Danesin, G. Meneghesso, Enrico Zanoni, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-00183504 Methodology to compare on-state breakdown loci of GaAs FETs Auteur(s): Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00183506 Analysis of low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate Auteur(s): Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Andre Touboul, Michael Uren Lien HAL : https://hal.science/hal-00183508 Low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate Auteur(s): Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Andre Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko Lien HAL : https://hal.science/hal-00183510 Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs Auteur(s): Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Frédéric Verdier, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00183569 Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis Auteur(s): Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto, Lode K.J. Vandamme, Pierre Huguet, P. Auxemery, François Garat Lien HAL : https://hal.science/hal-00183476 Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology Auteur(s): Cristell Maneux, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto, Muriel Riet, André Scavennec Lien HAL : https://hal.science/hal-00183475 Off-state and on-state breakdown of GaAs MESFET, PHEMT, and PPHEMT Auteur(s): Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00183502 Méthodologie pour la définition d'une Aire de sécurité de fonctionnement non linéaire des transistors FETs GaAs Auteur(s): Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro Lien HAL : https://hal.science/hal-00183501 Evolution of LF noise in Power PHEMT's ubmitted to RF and DC step stresses Auteur(s): Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Benoit Lambert, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00183509 Techniques de détection de défauts dans les transistors à haute mobilité électronique AlGaN/GaN à contact Schottky Pt/Ti/Au Auteur(s): Moshine Bouya, Dominique Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Philippe Perdu, Jean-Claude Clement, Gerard Pataut, Michel Bonnet Lien HAL : https://hal.science/hal-00197484 Reliability evaluation of GaAs HBT technologies Auteur(s): Cristell Maneux, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Andre Touboul, Yves Danto, Jean-Michel Dumas Lien HAL : https://hal.science/hal-00183477 Influence of the Strain on Static I-V Characteristics of AlGaN/GaN HEMT Determined by Physical Simulation Auteur(s): Ludovic Lacheze, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00197501 On-state safe operating area of GaAs MESFET defined for non linear applications Auteur(s): Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro, Francis Brasseau, Dominique Langrez Lien HAL : https://hal.science/hal-00183503 A 10 GHz dielectric resonator oscillator using GaN technology Auteur(s): P. Rice, R. Sloan, M. Moore, Ar Barnes, Michael Uren, Nathalie Malbert, Nathalie Labat Lien HAL : https://hal.science/hal-00183505 Analyse du bruit de grille aux basses fréquences des transistors à effet de champ de puissance sur GaAs Auteur(s): Benoit Lambert, Frédéric Verdier, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00183512 LF gate noise in P-HEMT in impact ionization regime Auteur(s): Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul Lien HAL : https://hal.science/hal-00183515 Reliability evaluation of GaAs HBT technologies Auteur(s): Cristell Maneux, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Andre Touboul, Yves Danto, Jean-Michel Dumas, Muriel Riet, André Scavennec Lien HAL : https://hal.science/hal-00183478

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