Article (8)
A 71% Relative Bandwidth Differential Integrated Power Amplifier With Optimized PAEmax for 5G-NR FR1 Carrier Aggregation Applications Auteur(s): Remi Queheille, Magalie de Matos, Yann Deval, Eric Kerherve, Francois Rivet, Nathalie Deltimple, Maxandre Fellmann Année de publication: 2025 Journal: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs DOI: 10.1109/tcsii.2025.3567701 Lien HAL: https://hal.science/hal-05081616v1 Experimental Demonstration of Walsh-Based RF Conversion Using Wideband DAC and ADC in 28nm FDSOI CMOS Technology Auteur(s): Pierre Ferrer, Maxandre Fellmann, Francois Rivet, Nathalie Deltimple, Herve Lapuyade, Eric Kerherve, Yann Deval Année de publication: 2025 Journal: Transactions on Circuits and Systems I DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298805v1 Transceiver for Ultrasonic Intra-Body Area Networks with non-coherent BPSK detection Auteur(s): Justine Guedey, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2024 Journal: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs DOI: 10.1109/TCSII.2024.3357066 Lien HAL: https://hal.science/hal-04440977v1 A (0.75-1.13)mW and (2.4-5.2)ps RMS jitter Integer-N based Dual-Loop PLL for Indoor and Outdoor Positioning in 28nm FD-SOI CMOS Technology Auteur(s): Mateus B. Moreira, Francois Rivet, Magali de Matos, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2024 Journal: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs DOI: 10.1109/tcsii.2023.3292428 Lien HAL: https://hal.science/hal-04166890v1 A Walsh-Based Arbitrary Waveform Generator for 5G Applications in 28nm FD-SOI CMOS Technology Auteur(s): Pierre Ferrer, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: IEEE Access DOI: 10.1109/access.2023.3326530 Lien HAL: https://hal.science/hal-04283929v1 A Block-based LMS using the Walsh Transform for Digital Predistortion of Power Amplifiers Auteur(s): Maxandre Fellmann, Francois Rivet, Nathalie Deltimple, Eric Kerherve, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: IEEE Transactions on Communications DOI: 10.1109/tcomm.2023.3294959 Lien HAL: https://hal.science/hal-04166712v1 A Proof-of-Concept of a Multiple-Cell Upsets Detection Method for SRAMs in Space Applications Auteur(s): Leonardo H. Brendler, Herve Lapuyade, Yann Deval, Frederic Darracq, Frederic Fauquet, Ricardo Reis, Francois Rivet Année de publication: 2023 Journal: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers DOI: 10.1109/tcsi.2023.3310876 Lien HAL: https://hal.science/hal-04245512v1 28nm FDSOI Ultra Low Power 1.5-2.0 GHz Factorial-DLL Frequency Synthesizer Auteur(s): Andres Asprilla, David Cordova, Yann Deval, Herve Lapuyade, Francois Rivet Année de publication: 2021 Journal: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs DOI: 10.1109/TCSII.2020.3047464 Lien HAL: https://hal.science/hal-03096512v1Patents (3)
System, method and computer program product for communicating semantic messages over a communication channel Auteur(s): Emilio Calvanese Strinati, François Rivet, Yann Deval Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04906296v1 Method for generating a radio signal, and corresponding computer program products and devices Auteur(s): François Rivet, Yann Deval, Herve Lapuyade, Maxandre Fellmann Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04906322v1 Method for predistorting an input signal with a view to compensating for the effect of a non-linear transfer function of a power amplifier, corresponding computer program products and corresponding devices Auteur(s): François Rivet, Yann Deval, Herve Lapuyade, Eric Kerherve, Nathalie Deltimple, Maxandre Fellmann Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04906312v1Conference proceedings (45)
The impact of Back-Gate biasing and layout on temperature sensitivity of transistors in FD-SOI CMOS technology Auteur(s): Yann Deval, Maxime Guillot, Herve Lapuyade, Francois Rivet Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298730v1 Design and measurement of voltage reference circuit by an equivalent MOSFET having different temperature coefficient of threshold voltage Auteur(s): Isawa Shuya, Michitaka Yoshino, Kawori Sekine, Kazuyuki Wada, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298615v1 PTAT voltage generater-based voltage reference circuit without external bias voltage Auteur(s): Emu Murata, Kawori Sekine, Shuya Isawa, Michitaka Yoshino, Kazuyuki Wada, Herve Lapuyade, Francois Rivet, Yann Deval Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298631v1 Un amplificateur de puissance large bande à PAE contrôlée en technologie CMOS 28 nm FDSOI pour des applications 5G Auteur(s): Remi Queheille, Yann Deval, Eric Kerherve, Francois Rivet, Nathalie Deltimple Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05081691v1 A 860mV and 73.5Ppm/°C Voltage Reference that Relies on Back-Gate Biasing Techniques in 28nm FD-SOI Technology Auteur(s): Maxime Guillot, Yann Deval, Herve Lapuyade, François Rivet Année de publication: 2025 Journal: DOI: 10.1109/icecs61496.2024.10849174 Lien HAL: https://hal.science/hal-04945900v1 High-Efficiency Walsh LMS-Based Digital Predistortion for RF Power Amplifiers Auteur(s): Maxandre Fellmann, Francois Rivet, Nathalie Deltimple, Pierre Ferrer, Remi Queheille, Herve Lapuyade, Yann Deval, Eric Kerherve Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298894v1 The Sequency Domain: a new Approach for Radio Frequency Front End Auteur(s): Francois Rivet, Pierre Ferrer, Maxandre Fellmann, Nathalie Deltimple, Herve Lapuyade, Eric Kerherve, Yann Deval Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298922v1 Demonstration of PAE Control in a Wideband CoTS-Based Power Amplifier for 5G Applications Auteur(s): Remi Queheille, Magali De Matos, Maxandre Fellmann, Yann Deval, E. Kerherve, Francois Rivet, Nathalie Deltimple Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05010247v1 A 728mV and 23.4ppm/°C voltage reference using parasitic diode biasing for temperature compensation in 28nm FD-SOI technology Auteur(s): Maxime Guillot, Yann Deval, Herve Lapuyade, Francois Rivet Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298823v1 Enhanced Voltage Reference Circuit Design Using Quadratic Function Modeling of MOSFET Characteristics in the Saturation Region Auteur(s): Kawori Sekine, Kazuyuki Wada, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2025 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-05298693v1 Temperature Compensation in FD-SOI Transistors: A Novel Approach with 27% Performance Improvement via Parasitic Diode Biasing Auteur(s): Maxime Guillot, Yann Deval, Herve Lapuyade, Francois Rivet Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04790652v1 Sub-THz Power amplifier design integrated on 28nm FDSOI for 6G applications Auteur(s): Antoine Lhomel, Nathalie Deltimple, Eric Kerherve, Yann Deval, Francois Rivet Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04648535v1 Design of a broadband D-Band Power Amplifier Auteur(s): Antoine Lhomel, Nathalie Deltimple, Eric Kerherve, Yann Deval, Francois Rivet Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04699757v1 Une méthode LMS par blocs utilisant la transformée de Walsh pour de la prédistorsion numérique d'amplificateur de puissance Auteur(s): Maxandre Fellmann, Francois Rivet, Eric Kerherve, Yann Deval, Nathalie Deltimple Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04521234v1 Un convertisseur radiofréquence large-bande utilisant la transformée de Walsh pour application 5G et au delà Auteur(s): Pierre Ferrer, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04521154v1 0.45-mW 2.35-3.0 GHz Multiplying DLL with Calibration Loop in 28nm CMOS FD-SOI Auteur(s): Andres Asprilla, Andreia Cathelin, Yann Deval Année de publication: 2024 Journal: DOI: 10.1109/esscirc59616.2023.10268768 Lien HAL: https://hal.science/hal-04564159v1 Highly Linear Large Signal Compact Voltage-to-Current Converter in 28 nm FD-SOI Technology Auteur(s): Andres Asprilla, Andreia Cathelin, Yann Deval Année de publication: 2024 Journal: DOI: 10.1109/lascas53948.2022.9789060 Lien HAL: https://hal.science/hal-04563731v1 A 0.65-1.5GHz Wideband Power Amplifier With Second Harmonic Control Proof-of-Concept for 5G Applications Auteur(s): Remi Queheille, Magali de Matos, Maxandre Fellmann, Yann Deval, Eric Kerherve, François Rivet, Nathalie Deltimple Année de publication: 2024 Journal: DOI: 10.1109/lascas60203.2024.10506186 Lien HAL: https://hal.science/hal-04631322v1 High-Resolution Fractional Digital Frequency Divider using a Binary-Rate Multiplier Auteur(s): Denis Flores, Dominique Dallet, Andrei Vladimirescu, Andreia Cathelin, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04080880v1 A PAE-Controlled Wideband Power Amplifier for Sub-6GHz 5G Applications in 28nm FDSOI Technology Auteur(s): Remi Queheille, Maxandre Fellmann, Yann Deval, Eric Kerherve, Francois Rivet, Nathalie Deltimple Année de publication: 2023 Journal: DOI: 10.1109/ICECS202256217.2022.9971061 Lien HAL: https://hal.science/hal-03937315v1 A Low-Cost Bench for Training Students in Power Amplifier and Digital Predistortion Auteur(s): Maxandre Fellmann, Francois Rivet, Nathalie Deltimple, Yann Deval, Eric Kerherve Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04118411v1 A Zero Temperature Coefficient Voltage Reference, Stability and Versatility using 28nm FD-SOI Technology Auteur(s): Maxime Guillot, Yann Deval, Herve Lapuyade, Kawori Sekine, Kazuyuki Wada, Francois Rivet Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04218085v1 Proposal and Application of Equivalent MOSFET with different temperature coefficient of threshold voltage Auteur(s): Hiroshi Kobayashi, Kawori Sekine, Kazuyuki Wada, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04217911v1 A MCU-robust Interleaved Data/Detection SRAM for Space Environments Auteur(s): Leonardo Brendler, Herve Lapuyade, Yann Deval, Ricardo Reis, Francois Rivet Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04118401v1 A 2.45GHz SiGe Power Amplifier with a Novel Digital Predistortion using Orthogonal Sequences Auteur(s): Antoine Lhomel, Maxandre Fellmann, Remi Queheille, Yann Deval, Eric Kerherve, Francois Rivet, Nathalie Deltimple Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04166657v1 A Wide-Band High-Speed Sample and Hold in 0.35μm CMOS Technology Auteur(s): Mateus Bernardino Moreira, Herve Lapuyade, Francois Rivet, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04080882v1 Calibration d'un convertisseur numérique-analogique large bande pour l'agrégation de porteuses 5G en technologie 28nm FDSOI Auteur(s): Pierre Ferrer, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04331071v1 Un Oscillateur Millimétrique faible bruit à verrouillage par injection conçu en technologie CMOS 65-nm PD-SOI Auteur(s): Romane Dumont, Magali De Matos, Andreia Cathelin, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03631980v1 Un Oscillateur Commandé en Tension à très Faible Consommation pour les Normes Galileo et WiFi Auteur(s): Mateus B. Moreira, François Sandrez, Md. Sazzad Hossain, Hervé Lapuyade, François Rivet, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03631977v1 Une méthode de prédistorsion numérique d’amplificateur dans le domaine séquentiel Auteur(s): Maxandre Fellmann, Francois Rivet, Nathalie Deltimple, Eric Kerhervé, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03731224v1 A 5G 65-nm PD-SOI CMOS 23.2-to-28.8 GHz Low-Jitter Quadrature-Coupled Injection-Locked Digitally-Controlled Oscillator Auteur(s): Romane Dumont, Magali de Matos, Andreia Cathelin, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: 10.1109/RFIC54546.2022.9863081 Lien HAL: https://hal.science/hal-03864068v1 Un générateur de signaux arbitraires radio-fréquences pour l'agrégation de porteuses 5G en technologie 28nm FDSOI Auteur(s): Pierre Ferrer, François Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03729287v1 Low-Power High-Speed ADCs for ADC-Based Wireline Receivers in 22 nm FDSOI Auteur(s): David Cordova, Wim Cops, Yann Deval, François Rivet, Herve Lapuyade, Nicolas Nodenot, Yohan Piccin Année de publication: 2022 Journal: DOI: 10.1007/978-3-030-81641-4_1 Lien HAL: https://inria.hal.science/hal-03759737v1 Une PLL à Double boucle basée sur une architecture N-entière pour une faible résolution de fréquence en technologie 28nm CMOS FD-SOI Auteur(s): Mateus B. Moreira, Francois Sandrez, Md. Sazzad Hossain, Herve Lapuyade, François Rivet, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03731236v1 Oscillateur en classe C à 10 GHz, à faible bruit et large plage d’accord en fréquence, avec une fiabilité à long terme et un réglage du bruit de phase par la grille arrière Auteur(s): Ayoub Ait Ihda, Yann Deval, Hervé Lapuyade, François Rivet, Matthieu Gastaldi, Stéphane Rochette Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03631986v1 An SRAM-based Multiple Event Upsets Detection Method for Space Applications Auteur(s): Leonardo H. Brendler, Herve Lapuyade, Yann Deval, Ricardo Reis, François Rivet Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03729352v1 Démonstration d'un générateur de signaux arbitraires utilisant des séquences orthogonales à base de composants du commerce Auteur(s): Rémi Quéheille, François Rivet, Nathalie Deltimple, Yann Deval, Eric Kerhervé Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03631963v1 Une méthode de prédistorsion numérique d’amplificateur de puissance utilisant des séquences orthogonales Auteur(s): Maxandre Fellmann, François Rivet, Nathalie Deltimple, Eric Kerhervé, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03729260v1 A Wideband Power Amplifier for Sub-6 GHz 5G Applications Using Second Harmonic Processing Techniques in 28nm FDSOI Technology Auteur(s): Rémi Quéheille, Nathalie Deltimple, François Rivet, Yann Deval, Eric Kerhervé Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03726278v1 A 40 GHz Varactor-Less Class-C VCO With 17.1% Tuning Range And Long-Term Reliability In 28nm FD-SOI For Satellite Communications Auteur(s): Ayoub Ait Ihda, Yann Deval, Hervé Lapuyade, Francois Rivet, Matthieu Gastaldi, Stephane Rochette Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03852880v1 Un convertisseur numérique-analogique pour l'agrégation de porteuses 5G Auteur(s): Pierre Ferrer, François Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03729331v1 Low Power Frequency Dividers using TSPC logic in 28nm FDSOI CMOS Auteur(s): Md Sazzad Hossain, Mateus Bernardino Moreira, François Sandrez, François Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03643688v1 A 125-163 GHz Power Amplifier in 28-nm FD-SOI CMOS with 20 dB Gain and 15 dBm Psat for D-Band Applications Auteur(s): Antoine Lhomel, N. Deltimple, Francois Rivet, Y. Deval, Eric Kerhervé Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03714375v1 Une PLL à Double Boucle pour les normesWiFi et Galileo en technologie 28nm CMOS FD-SOI Auteur(s): Mateus B. Moreira, François Sandrez, Md. Sazzad Hossain, Hervé Lapuyade, François Rivet, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03631970v1 Un Oscillateur Commandé en tension avec 1,6 GHz de plage de réglage globale et une puissance de démarrage minimale de 466µW en technologie 28nm CMOS FD-SOI Auteur(s): Mateus B. Moreira, François Sandrez, Md. Sazzad Hossain, Herve Lapuyade, Francois Rivet, Yann Deval Année de publication: 2022 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-03731235v1Invited lectures (9)
A 10-GHz Low Power Class-C VCO with Long-Term Reliability and Tunable Performance in 28 nm FD-SOI for Satellite Communications Auteur(s): Yann Deval, Henrique Iha Taguti, Ayoub Ait Ihda, Herve Lapuyade, Stephane Rochette, Francois Rivet Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04804376v1 Investigation of 0.18μm CMOS Sensitivity to BTI and HCI Mechanisms under Extreme Thermal Stress Conditions Auteur(s): Yen Tran, Toshihiro Nomura, Mohamed Salim Cherchali, Claire Tassin, Yann Deval, Cristell Maneux Année de publication: 2024 Journal: DOI: 10.1109/ats52891.2021.00029 Lien HAL: https://hal.science/hal-04563777v1 Co-simulation Workflow for D-Band Power Amplifier Linearization using Walsh-based DPD Auteur(s): Antoine Lhomel, Maxandre Fellmann, Yann Deval, Eric Kerherve, Francois Rivet, Nathalie Deltimple Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04454321v1 A Tool for Automatic Radiation-Hardened SRAM Layout Generation Auteur(s): Leonardo Brendler, Hervé Lapuyade, Yann Deval, Ricardo Reis, François Rivet Année de publication: 2024 Journal: DOI: 10.1109/icecs58634.2023.10382845 Lien HAL: https://hal.science/hal-04538174v1 RFIC design by mathematics for next generation wireless access Auteur(s): Yann Deval Année de publication: 2024 Journal: DOI: 10.1109/esscirc.2015.7313821 Lien HAL: https://hal.science/hal-04529404v1 Benchmark of Cosimulation Methodologies for Digital Predistorsion on IC Wideband Power Amplifiers Auteur(s): Maxandre Fellmann, Remi Queheille, Antoine Lhomel, Yann Deval, Eric Kerherve, Francois Rivet, Nathalie Deltimple Année de publication: 2024 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04599866v1 A Low-Noise mm-Wave Injection-Locked Oscillator designed in 65nm Partially Depleted SOI CMOS Technology Auteur(s): Romane Dumont, Magali De Matos, Andreia Cathelin, Yann Deval Année de publication: 2024 Journal: DOI: 10.1109/newcas50681.2021.9462758 Lien HAL: https://hal.science/hal-04529198v1 A Walsh-based Arbitrary Waveform Generator for 5G Applications in 28nm FD-SOI CMOS Technology Auteur(s): Pierre Ferrer, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: DOI: Lien HAL: https://hal.science/hal-04217454v1 Low Power Frequency Dividers using TSPC logic in 28nm FDSOI Technology Auteur(s): Md Sazzad Hossain, Mateus Bernardino Moreira, Francois Sandrez, Francois Rivet, Herve Lapuyade, Yann Deval Année de publication: 2023 Journal: DOI: 10.1109/LASCAS53948.2022.9789073 Lien HAL: https://hal.science/hal-04337331v1Send a email to Yann DEVAL :
