III-V
Présentation
La thématique « Evaluation et fiabilité des technologies hyperfréquences » s’intéresse à l’identification et la modélisation des effets parasites de fonctionnement et des mécanismes de dégradation des dispositifs actifs dédiés à l’intégration de fonctions RF, micro-ondes et de puissance. Les actions de recherche contribuent à l’optimisation des procédés d’intégration de technologies émergentes, et de leur fiabilité.
L'originalité des travaux est relative à l'expertise de cette équipe sur les technologies de composants intégrés à base de GaN, technologies qui ont l'ambition de remplacer les technologies de puissance haute fréquence dans les applications de communications militaires et civiles. Nous développons des outils et techniques d'analyse physiques et électriques adaptés à ces matériaux grand gap et utilisons notamment l'analyse du bruit aux basses fréquences pour contribuer à l'optimisation des procédés technologiques.
Depuis 2015, nos efforts se sont focalisés sur 2 axes de recherche :
1 - Étude des effets parasites de fonctionnement et de la fiabilité des technologies RF HEMTs GaN normally-on
Les travaux proposés sont guidés par le constat des connaissances sur les mécanismes de dégradation des HEMTs à base de nitrure de gallium. Il en ressort le besoin d’une caractérisation plus approfondie des paramètres physiques et structuraux de l’hétérostructure AlGaN/GaN et de la grille, et de leur couplage avec les performances électriques.
Dans le cadre de la démarche de qualification des technologies GaN de la société United Monolithic Semiconductors (UMS), nous avons contribué à l’évaluation des technologies GH50 et GH25 à travers l’étude de leurs effets parasites de fonctionnement et de leur fiabilité. Trois anomalies de fonctionnement ont été identifiées, caractérisées et des hypothèses ont été données quant à leur origine technologique. Il s’agit de l’effet de coude ou « kink effect », du « runaway » et de l’effet « Belly shape ». Du point de vue de la fiabilité, nous avons déterminé l’aire de sécurité de fonctionnement de la technologie GH25-10 en fonction de la température par la caractérisation approfondie des lieux de claquage des HEMT AlGaN/GaN. La collaboration avec UMS s’est poursuivie sur la technologie MMIC de puissance GH15. Par l’analyse comparative de différentes options technologiques, l’objectif est la validation de briques technologiques pour obtenir des niveaux de fiabilité requis par les profils de mission.
Également, le couplage entre la modélisation physique et l’analyse électrique a été renforcé, par l’étude des effets parasites associés aux pièges électriques. Au cours de ces travaux, nous avons corrélé la localisation de défauts à l’échelle nanométrique avec l’excès du courant de grille et son évolution sous contraintes électriques au cours de vieillissements accélérés. La méthodologie d’analyse de défaillances dédiée aux technologies GaN doit s’enrichir avec le développement de techniques laser appliquées en face arrière sur des composants GaN dont la préparation est maintenant maitrisée au laboratoire. Cette action est une action transverse du groupe.
2- Évaluation de la robustesse des technologies HEMT AlGaN/GaN sur Si à grille nano-métrique
Depuis septembre 2014, une collaboration avec le laboratoire IEMN porte sur l’évaluation de la fiabilité de la technologie HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium à grille nanométrique (Lg<100nm). Une méthodologie basée sur une séquence d'essais de vieillissement a été définie pour séparer la part statique et permanente de la dégradation des évolutions transitoires des paramètres électriques, ce phénomène étant un problème récurrent pour l’évaluation de la fiabilité du HEMT GaN. Un des résultats est la détermination plus robuste de l’aire de sécurité de fonctionnement.
Un projet européen MCM ITP (EXTREME GAN, sous contractant UMS), un projet ANR (ED-GaN), un contrat industriel et le soutien du labex GANEX ont permis de développer cette thématique. Les travaux ont donné lieu à 3 soutenances de thèse. Trois thèses sont en cours.
Depuis décembre 2017, une nouvelle thématique démarre au sein de l’équipe. En effet, jusqu’à présent nous avons intensivement étudié le transistor HEMT standard à base de GaN qui est de type normally-on grâce à la création naturelle du gaz électronique 2D à l’interface canal/barrière. Ceci s’explique par la forte polarisation spontanée et piézoélectrique de ce matériau. Or, pour les applications RF et aussi numériques, susceptibles de fonctionner à haute température ou en commutation de puissance, l’intégration monolithique de HEMTs normally-on et normally-off peut apporter un gain en consommation et en fiabilité. Cependant, la réalisation de HEMTs normally-off rencontre plusieurs verrous technologiques en raison de la grande densité de porteurs. Dans le cadre du projet ANR ED-GaN [CIR19] et d’un cofinancement accordé par le Labex GANEX, nous avons démarré une thèse sur l’évaluation de la fiabilité des HEMT GaN Normally-off. Les travaux seront réalisés principalement en collaboration avec l’industriel OMMIC et le laboratoire LN2 de l’Université de Sherbrooke qui réaliseront les dispositifs.
Membres
Membres permanents
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| Nathalie LABAT, Professeur | Nathalie MALBERT, Professeur | Arnaud CURUTCHET, Maitre de Conférences |
Doctorants
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| Kalparupa MUKHERJEE | Florent MAGNIER | Florent ALBANY |
Compétences
- Caractérisation électrique et analyse des dysfonctionnements des HEMTs AlGaN/GaN
- Evaluation de la fiabilité opérationnelle : des technologies III-V aux technologies III-N
- Développement de méthodologies pour l’analyse de défaillances de technologies avancées
Mots clés
HEMT GaAs, HEMT GaN, analyse du bruit BF, Caractérisation électrique DC pulsée, caractérisation électrique HF, mesures de transitoires isothermes de courant, simulation physique 2D, tests de vieillissement accéléré, analyse de défaillances, effets parasites de fonctionnement, mécanismes de dégradation.
Publications
Total : 240
Articles dans des revues avec comité de lecture → 71 Voir
2022
Selective sublimation of GaN and regrowth of AlGaN to co-integrate enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
Ngo, Thi Huong ; Comyn, Rémi ; Chenot, Sébastien ; Brault, Julien ; Nemoz, Maud ; Vennéguès, Philippe ; Damilano, Benjamin ; Vézian, S. ; Frayssinet, Eric ; Cozette, Flavien ; Defrance, N. ; Lecourt, François ; Labat, Nathalie ; Maher, Hassan ; Cordier, Yvon
Dans : Journal of Crystal Growth
https://hal.science/hal-03741626
Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
Ngo, Thi Huong ; Comyn, Rémi ; Chenot, Sébastien ; Brault, Julien ; Damilano, Benjamin ; Vezian, Stephane ; Frayssinet, Eric ; Cozette, Flavien ; Defrance, N. ; Lecourt, François ; Labat, Nathalie ; Maher, Hassan ; Cordier, Yvon
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.science/hal-03467546
A Comprehensive Analysis of AlN spacer and AlGaN n-doping effects on the 2DEG Resistance in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures
Piotrowicz, C. ; Mohamad, B. ; Rrustemi, B. ; Malbert, N. ; Jaud, M. A. ; Vandendaele, W. ; Charles, M. ; Gwoziecki, R.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.science/hal-03722735
2021
Stability of the threshold voltage in fluorine-implanted normally-off AlN/GaN HEMTs co-integrated with commercial normally-on GaN HEMT technology
Albany, Florent ; Lecourt, François ; Walasiak, Ewa ; Defrance, N. ; Curutchet, Arnaud ; Maher, Hassan ; Cordier, Yvon ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-03539673
Meander-Type Lines: An Innovative Design for On-Wafer TRL Calibration for mmW and sub-mmW Frequencies Measurements
Cabbia, Marco ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Curutchet, Arnaud ; Yadav, Chandan ; Celi, Didier ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
https://hal.science/hal-03273404
New barrier layer design for the fabrication of gallium nitride-metal-insulator-semiconductor-high electron mobility transistor normally-off transistor
Cozette, Flavien ; Hassan, Bilal ; Rodriguez, Christophe ; Frayssinet, Eric ; Comyn, Rémi ; Lecourt, François ; Defrance, N. ; Labat, Nathalie ; Boone, François ; Soltani, Ali ; Jaouad, Abdelatif ; Cordier, Yvon ; Maher, Hassan
Dans : Semiconductor Science and Technology
https://hal.science/hal-03341284
2019
Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests
Magnier, Florent ; Lambert, Benoit ; Chang, Christophe ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-02462730
2017
Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability
Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.science/hal-02462652
TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01625567
Proceedings of the 28th European Symposium on the reliability of electron devices, failure physics and analysis
Labat, Nathalie ; Marc, François ; Frémont, Helene ; Bafleur, Marise
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01660958
2016
On the development of a novel high VSWR programmable impedance tuner
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potéreau, Manuel ; de Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : International Journal of Microwave and Wireless Technologies
https://hal.science/hal-01345690
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, N. ; Lesecq, Marie ; Dejaeger, J.C. ; Malbert, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01718762
Long-Term Stable Organic Photodetectors with Ultra Low Dark Currents for High Detectivity Applications.
Marcin, Kielar ; Dhez, Olivier ; Pecastaings, Gilles ; Curutchet, Arnaud ; Hirsch, Lionel
Dans : Scientific Reports
https://hal.science/hal-01431863
2015
Correlation between forward-reverse low-frequency noise and atypical I–V signatures in 980 nm high-power laser diodes
del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Labat, Nathalie ; Béchou, Laurent
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01214031
Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Curutchet, Arnaud
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01718753
2013
Electrical characterization under mechanical stress at various temperatures of PiN power diodes in a health monitoring approach
Baccar, Fédia ; Azzopardi, Stéphane ; Théolier, Loïc ; El Boubkari, Kamal ; Deletage, Jean-Yves ; Woirgard, Eric
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00955719
Failure analysis of GaAs microwave devices with plastic encapsulation by electro-optical techniques
Ben Naceur, W. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Frémont, H. ; Carisetti, D. ; C. Clément, J. ; Bonnet, B.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00905892
Analysis of Schottky Gate degradation evolution in AlGaN/GaN HEMTs during HTRB stress
Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Mezengue, P. ; Bataille, J. ; Floriot, Didier ; Grunenputt, J. ; Blanck, Hans ; Carisetti, Dominique ; Gourdel, Y. ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01002643
Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by low frequency noise and pulsed electrical measurements
Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Rzin, M ; Brunel, L ; Curutchet, A ; Malbert, N ; Labat, N ; Carisetti, D ; Lambert, B ; Mermoux, M ; Romain-Latu, E ; Thomas, Florian ; Bouexière, C ; Moreau, C
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01343328
A Robust Surface-Potential-Based Compact Model for GaN HEMT IC Design
Khandelwal, Sourabh ; Yadav, Chandan ; Agnihotri, Shantanu ; Chauhan, Yogesh Singh ; Curutchet, Arnaud ; Zimmer, Thomas ; de Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, N. ; Fjeldly, T.A.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.science/hal-00909066
Submicrometer InP/InGaAs DHBT Architecture Enhancements Targeting Reliability Improvements
Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Godin, Jean ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.science/hal-00909053
2012
Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors
Kumar Sahoo, Amit ; Weiss, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.science/hal-00978809
A scalable electrothermal model for transient self-heating effects in trench-isolated SiGe HBTs
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sebastien ; Weis, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.science/hal-00978803
Characterization of self-heating in Si-Ge HBTs with pulse, DC and AC measurements
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sébastien ; Weiss, Mario ; Grandchamp, Brice ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.science/hal-00978797
Evidence of relationship between mechanical stress and leakage current in AlGaN/GaN transistor after storage test
Lambert, B ; Labat, N ; Carisetti, D ; Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Thorpe, J ; Brunel, L ; Curutchet, A ; Malbert, N ; Romain-Latu, E ; Mermoux, M
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-01343325
2011
Experimental power cycling on insulated TRIAC package: Reliability interpretation thanks to an innovative failure analysis flow
Aubert, A. ; Jacques, S. ; Pétremont, S. ; Labat, N. ; Frémont, H.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00670531
Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses
Koné, G. A. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00670550
Thermal impedance modeling of SiGe HBTs from low-frequency small-signal measurements
Sahoo, A.K. ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Malbert, Nathalie
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.science/hal-00584885
2010
Failure analysis case study on a Cu/low-k technology in package: New front-side approach using laser and plasma de-processing
Aubert, A. ; Rebrassé, J.P. ; Dantas de Morais, L. ; Labat, N. ; Frémont, H.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00549513
Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: Experiments and numerical simulations
Faqir, M. ; Bouya, Moshine ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Carisetti, D. ; Lambert, B. ; Verzellesi, G. ; Fantini, F.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00585069
Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/InGaAs DHBT
Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Nodjiadjim, V. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00585073
SiGe HBTs optimization for wireless power amplifier applications
Zimmer, Thomas ; Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Pache, Denis ; Curutchet, Arnaud ; Maneux, Cristell
Dans : Active and Passive Electronic Components
https://hal.science/hal-00671680
2009
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Sury, Charlotte ; Hoel, Virginie ; de Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, N. ; Douvry, Yannick ; Dua, Christian ; Oualli, Mourad ; Bru-Chevallier, C. ; Bluet, J.M. ; Chikhaoui, Walf
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00401267
2008
Reliability investigations of 850 nm silicon photodiodes under proton irradiation for space applications
Bourqui, M.L. ; Bechou, L. ; Gilard, O. ; Deshayes, Y. ; del Vecchio, P. ; How, L.S. ; Rosala, F. ; Ousten, Y. ; Touboul, A.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00334728
Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques
Bouya, Moshine ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Carisetti, Dominique ; Perdu, Philippe ; Clement, Jean-Claude ; Lambert, Benoit ; Bonnet, Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00400906
Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
Curutchet, Arnaud ; Theron, Didier ; Werquin, Matthieu ; Ducatteau, Damien ; Happy, Henri ; Dambrine, Gilles ; Bethoux, Jean-Marc ; Derycke, Vincent ; Gaquière, Christophe
Dans : IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
https://hal.science/hal-00315911
2007
Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs on SiC
Bouya, Moshine ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, Jean-Claude ; Bonnet, Michel ; Pataut, Gerard
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00197479
Optimizing pulsed OBIC technique for ESD defect localization
Essely, Fabien ; Guitard, Nicolas ; Darracq, Frédéric ; Pouget, Vincent ; Bafleur, Marise ; Perdu, Philippe ; Touboul, Andre ; Lewis, Dean
Dans : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
https://hal.science/hal-00382949
Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaAs-GaN HEMTs
Faqir, Mohamed ; Verzellesi F. Fantini F. Danesin F. Rampazzo G. Meneghesso E. Zanoni A. Cavallini A. Castaldini, G. ; Labat, Nathalie ; Dua, Christian ; Touboul, A.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00199736
2006
Application of various optical techniques for ESD defect localization
Essely, Fabien ; Darracq, Frédéric ; Pouget, Vincent ; Remmach, Mustapha ; Beaudoin, Félix ; Guitard, Nicolas ; Bafleur, Marise ; Perdu, Philippe ; Touboul, Andre ; Lewis, Dean
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00204570
Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT
Ismaïl, N. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Muraro, J.L.
Dans : physica status solidi (c)
https://hal.science/hal-00185717
AlGaN/GaN HEMT Reliability Assessment by means of Low Frequency Noise Measurements
Sozza, Alberto ; Curutchet, Arnaud ; Dua, Christian ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00196943
2005
Different Failure signatures of multiple TLP and HBM Stresses in an ESD robust protection structure
Guitard, Nicolas ; Essely, Fabien ; Trémouilles, David ; Bafleur, Marise ; Nolhier, Nicolas ; Perdu, Phillipe ; Touboul, Andre ; Pouget, Vincent ; Lewis, Dean
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00397706
Safe operating area of GaAs MESFET and PHEMT for amplification in overdrive operating conditions
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc ; Brasseau, Francis ; Langrez, Dominique
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183490
Two dimensional DC simulation methodology for InP/GaAs0.51Sb0.49/InP heterojunction bipolar transistor
Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.science/hal-00183087
2004
Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A.
Dans : Fluctuation and Noise Letters
https://hal.science/hal-00183491
On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise
Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Zimmer, Thomas
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183089
Low frequency noise as a reliability diagnostic tool in compound semiconductor transistors
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183088
2003
High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bove, Philippe ; Lareche, H.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183091
Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMT's grown on silicon, SiC and sapphire substrates
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Lareche, H. ; Minko, A. ; Uren, Michael
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183492
1/f noise analysis of InP/InGaAs DHBTs submitted to bias and thermal stresses
Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183090
2002
Single-Event Sensitivity of a Single SRAM Cell
Darracq, Frédéric ; Beauchene, Thomas ; Pouget, Vincent ; Lapuyade, Hervé ; Lewis, Dean ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre
Dans : IEEE Transactions on Nuclear Science
https://hal.science/hal-00185398
Degradation mechanisms induced by thermal and bias stresses in InP HEMTs
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Touboul, Andre ; Garat, François ; Proust, B.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183493
2001
Low Frequency Gate Noise in a Diode-Connected MESFET: Measurements and Modeling
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre ; K.J. Vandamme, Lode
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.science/hal-00183496
Evolution of LF noise in power PHEMTs submitted to RF and DC step Stresses
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre ; Bonnet, René ; Pataud, Gérard
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183495
Empirical modeling of LF gate noise in GaAs DCFET in impact ionization regime
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.science/hal-00183494
Front side and Backside OBIT Mappings applied to Single Event Transient Testing
Lewis, Dean ; Pouget, Vincent ; Beauchene, Thomas ; Lapuyade, Hervé ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre ; Beaudoin, Félix ; Perdu, Philippe
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00185401
Backside Laser Testing of ICs for SET Sensitivity Evaluation
Lewis, Dean ; Pouget, Vincent ; Beaudoin, Félix ; Perdu, Philippe ; Lapuyade, Hervé ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre
Dans : IEEE Transactions on Nuclear Science
https://hal.science/hal-00185400
Experimental procedure for the evaluation of GaAs-based HBT's reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Benchimol, Jean-Louis ; Riet, Muriel
Dans : Microelectronics Journal
https://hal.science/hal-00183093
2000
Comparison of RF and DC life-test effects on GaAs power MESFETs
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre ; Garat, François
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183497
Laser Cross Section Measurement for the Evaluation of Single-Event Effects in Integrated Circuits
Pouget, Vincent ; Fouillat, Pascal ; Lewis, Dean ; Lapuyade, Hervé ; Darracq, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00185403
1999
Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183094
1997
Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization
Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Cova, Paolo ; Fantini, Fausto
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183095
Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183096
Modélisation des effets des radiations sur les transistors bipolaires
Montagner, Xavier ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre ; Lapuyade, Hervé ; Schrimpf, Rd ; Galloway, Kf
Dans : REVUE DE l'ELECTRICITE ET DE L'ELECTRONIQUE
https://hal.science/hal-00185405
1996
Numerical Modelling of Mechanisms involved in Latchup Triggering by a Laser Beam
Fouillat, Pascal ; Lapuyade, Hervé ; Touboul, Andre ; Dom, Jean-Paul ; Gaillard, R.
Dans : IEEE Transactions on Nuclear Science
https://hal.science/hal-00185407
Analysis of the surface base current drift in GaAs HBT's
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.science/hal-00183097
Comparison of conventional and pseudomorphic HEMTs performances by drain current transient spectroscopy and L.F. channel noise
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Quality and Reliability Engineering International
https://hal.science/hal-00183498
1995
LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journal de Physique III
https://hal.science/hal-00183098
1992
Kink effect in HEMT structures: A trap-related semi-quantitative model and an empirical approach for spice simulation
Zimmer, T. ; Ouro Bodi, D. ; Dumas, J.M. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Danto, Y.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.science/hal-01721397
1981
HOT CARRIERS IN REDUCED GEOMETRY SURFACE-CHANNEL CHARGE-COUPLED DEVICES
Touboul, André ; Lopez, J. ; Lecoy, G.
Dans : Journal de Physique Colloques
https://hal.science/jpa-00221658
Communication dans un congrès → 154 Voir
2022
Epoxy Mold Compound Characterization for Modeling Packaging Reliability
Tomas, Ariane ; Lambert, Benoit ; Fremont, Helene ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2022 23rd International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), St Julian (France)
https://hal.science/hal-03666406
2021
Reliability of Fan-Out Wafer Level Packaging For III-V RF Power MMICs
Tomas, Ariane ; Marechal, Laurent ; Almeida, Rodrigo ; Neffati, Mehdy ; Malbert, Nathalie ; Fremont, Helene ; Labat, Nathalie ; Garnier, Arnaud
Dans : 2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC), San Diego (United States)
https://hal.science/hal-03336953
2019
Co-integration of Enhancement and Depletion Modes of GaN-based Transistors for Next Generation RF Communication Circuits
Defrance, N. ; Okada, Etienne ; Albany, Florent ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Frayssinet, Éric ; Cordier, Yvon ; Cozette, Flavien ; Hassan, Maher, ; Walasiak, E ; Lecourt, François
Dans : WOCSDICE 2019, Cabourg (France)
https://hal.science/hal-02502499
Méthodologie d’extraction de la puissance de sortie au cours de vieillissements accélérés à partir de mesures I-V pulsées
Magnier, Florent ; Chang, Christophe ; Lambert, Benoit ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2019, Caen (France)
https://hal.science/hal-02462791
Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests
Magnier, Florent ; Lambert, Benoit ; Chang, Christophe ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : ESREF 2019, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-02462713
2018
Investigation of the trap-limited transient response of GaN HEMTs
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2018 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop, Brives (France)
https://hal.science/hal-01851997
Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN HEMTs
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Burlingham (United States)
https://hal.science/hal-01787593
Investigation of Trapping Behaviour in GaN HEMTs through physical TCAD Simulation of Capacitance Voltage characteristics
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : EuroSimE 2018, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-01718857
Comprehensive Study into Underlying Mechanisms of Anomalous Gate Leakage Degradation in GaN High Electron Mobility Transistors
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : IRPS 2018, San Francisco (United States)
https://hal.science/hal-01718850
2017
Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, N. ; Lesecq, Marie ; de Jaeger, Jean-Claude ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2017, Saint Malo (France)
https://hal.science/hal-02462775
Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, N. ; Lesecq, Marie ; Dejaeger, J.C. ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2017, Saint Malo (France)
https://hal.science/hal-01718864
Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications
Mukherjee, Kalparupa ; Darracq, Frederic ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : BEE Week at IEEE IM an MTT-S Day, IEEE student Branch, Bordeaux (France)
https://hal.science/hal-02462765
TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices
Mukherjee, Kalparupa ; Darracq, Frederic ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : ESREF 2017, Bordeaux (France)
https://hal.science/hal-02462694
2016
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
Lakhdhar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, N. ; Lesecq, Marie ; de Jaeger, Jean-Claude ; Malbert, Nathalie
Dans : ESREF 2016, Händel-Halle (Germany)
https://hal.science/hal-02462684
A Test Structure Set for on-wafer 3D-TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; d'Esposito, Rosario ; de Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 2016 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Yokohama (Japan)
https://hal.science/hal-01399900
Meander type transmission line design for on-wafer TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Deng, Marina ; Raya, C ; Ardouin, Bertrand ; Aufinger, Klaus ; Ayela, Cédric ; Dematos, Magalie ; Curutchet, Arnaud ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : EuMW 2016, Londres (United Kingdom)
https://hal.science/hal-01301312
2015
Early Demonstration of a High VSWR Microwave Coaxial Programmable Impedance Tuner with Coaxial Slugs
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potereau, Manuel ; de Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerherve, Eric ; Thomas, Zimmer
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.science/hal-01163596
Original Screening Methodology based on Correlation between Low-Frequency Noise Measurements and Reverse Bias Behavior of GaAs-based Laser Diodes
del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Joly, Simon ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Bechou, Laurent
Dans : CLEO/EUROPE, Munich (Germany)
https://hal.science/hal-01721054
Correlation between Forward-Reverse Low-Frequency Noise and atypical I-V signatures in 980nm High-Power Laser Diodes
del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Labat, Nathalie ; Bechou, Laurent
Dans : ESREF, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-01219200
Original Screening Methodology based on Correlation betweenLow-Frequency Noise Measurements and Reverse Bias Behaviorof GaAs-based Laser Diodes
del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Joly, Simon ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Bechou, Laurent
Dans : CLEO 2015 (Conference on Lasers and Electro-Optics), munich (Germany)
https://hal.science/hal-01163620
Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC
Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Carisetti, Dominique ; Curutchet, Arnaud ; Lambert, Benoit ; Labat, Nathalie
Dans : JFMMA 2015, meknes (Morocco)
https://hal.science/hal-01163624
Nouvelles structures 3D pour calibrage TRL sur puces adaptées à la mesure de paramètres S très hautes fréquences
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM2015), Talence (France)
https://hal.science/hal-01163604
New 3D-TRL structures for on-wafer calibration for high frequency S-parameter measurement
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.science/hal-01163593
Caractérisation et modélisation d’une nouvelle technologie de synthétiseur d’impédances automatiques coaxial 3,5mm à fort TOS
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; de Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : 19èmes Journées Nationales Microondes, Bordeaux (France)
https://hal.science/hal-01158220
Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : ESREF 2015, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-02462670
Schottky gate of AlGaN/GaN HEMTs: investigation with DC and low frequency noise measurements after 7000 hours HTOL test
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : 23rd International conference on noise and fluctuations (ICNF2015), Xi'AN (China)
https://hal.science/hal-01163601
Etude du contact Schottky de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC après 7000h de test de vieillissement de type HTOL
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : XIXèmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM2015), TALENCE (France)
https://hal.science/hal-01163586
2014
Critical failure mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMT under severe stress test conditions
Carisetti, Dominique ; Sarazin, Nicolas ; Brunel, Laurent ; Clement, J.C. ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : 7th Wide band gap semiconductor and components workshop, pp. 309-315, septembre 2014, Frascati, Italy, Frascati (Italy)
https://hal.science/hal-01718823
2013
Thermal Laser Stimulation technique for AlGaN/GaN HEMT technologies improvement
Carisetti, Dominique ; Sarazin, N. ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Lambert, Benoit ; Brunel, Laurent ; Rousseau, K. ; Romain Latu, Eddy ; Frank, Thomas
Dans : ISTFA 2013 ( International Symp. For Testing and Failure Analysis), San Jose (United States)
https://hal.science/hal-00989606
A one week-lecture in the Euro-dots course program: Microelectronic assemblies: From packaging to reliability
Debéda, H. ; Favre, I. ; Guédon-Gracia, A. ; Labat, N. ; Plano, B. ; Frémont, H.
Dans : 24th EAEEIE Annual Conference, (Greece)
https://hal.science/hal-00905901
Failure initiation of IGBT due to emitter contact degradation: a 2D finite elements electro-thermal multi-cell simulation approach under hard switching, short-circuit and avalanche operations
El Boubkari, Kamal ; Azzopardi, Stephane ; Théolier, Loïc ; Roder, Raphaël ; Woirgard, Eric ; Bontemps, Serge
Dans : IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC), Long Beach (United States)
https://hal.science/hal-00955738
Gate and drain low frequency noise of ALGaN/GaN HEMTs featuring high and low gate leakage currents
Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Labat, N ; Lambert, B.
Dans : 22nd International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2013), Montpellier (France)
https://hal.science/hal-01343429
Limitations of on-wafer calibration and de-embedding methods in the sub-THz range
Potereau, M. ; Raya, C. ; de Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Curutchet, Arnaud ; Zhang, M. ; Ardouin, B. ; Zimmer, Thomas
Dans : ECC 2013 conference, Sanya (China)
https://hal.science/hal-00909399
Investigation of gate and drain leakage currents of AlGaN/GaN HEMTs at subthreshold regime for temperature range 300K - 400K
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : European Microwave week (EuMIC 2013), Nüremberg (Germany)
https://hal.science/hal-00987798
Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : Journées Nationales Microondes (JNM) 2013, Paris (France)
https://hal.science/hal-00987763
Impact of Back-end-of-line on Thermal Impedance in SiGe HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sébastien ; Weib, Mario ; Santorelli, Marco ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : SISPAD 2013, Glasgow - Ecosse (United Kingdom)
https://hal.science/hal-00906141
2012
Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests
A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Maher, H.
Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2012, santa barbara (United States)
https://hal.science/hal-01002159
Kink effect characterization in AlGaN/GaN HEMTs by DC and Drain Current Transient measurements
Brunel, Laurent ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit
Dans : essderc 2012, Bordeaux (France)
https://hal.science/hal-00987040
Intérêt de la simulation 2D multicellulaire par éléments-finis pour l'analyse d'un défaut lié un décollement de fil de câblage sur une puce de puissance IGBT
El Boubkari, Kamal ; Azzopardi, Stéphane ; Théolier, Loïc ; Delétage, Jean-Yves ; Woirgard, Eric
Dans : 14ème édition de la Conférence sur l'Electronique de Puissance du Futur, Bordeaux (France)
https://hal.science/hal-00955758
2D finite elements electro-thermal modeling for IGBT: uni and multicellular approach
El Boubkari, Kamal ; Azzopardi, Stephane ; Théolier, Loïc ; Delétage, Jean-Yves ; Woirgard, Eric
Dans : EuroSimE, Lisbone (Portugal)
https://hal.science/hal-00795341
Evaluation of Quasi-Hermetic Packaging Solutions for Active Microwave Devices and Space Applications
Naceur W., Ben ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Fremont, H. ; Muraro, J.L. ; Monfraix, P.
Dans : EuroSimE (2012), (Portugal)
https://hal.science/hal-00799929
2011
Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT on Accelerated Aging Tests under Thermal and Electrical stresses
A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, bordeaux (France)
https://hal.science/hal-01002459
New front side access approach for low-k dielectric/Cu technologies in plastic package
Aubert, A. ; Dantas de Morais, L. ; Pétremont, S. ; Labat, N. ; Frémont, H.
Dans : ISTFA 2011, 37th International Symposium for Testing and Failure Analysis, San Jose (United States)
https://hal.science/hal-00670567
On-Si calibration vs ISS calibration
Bazzi, Jad ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, P. ; Zimmer, Thomas
Dans : 24th BipAk, Munich (Germany)
https://hal.science/hal-00590786
Investigation of de-embedding procedure up to 110GHz
Bazzi, Jad ; Raya, C. ; Curutchet, Arnaud ; Pourchon, F. ; Derrier, N. ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas
Dans : MOS-AK/GSA Workshop, Paris (France)
https://hal.science/hal-00590781
Evaluation des solutions de packaging quasi-hermétique sur composants actifs hyperfréquences
Ben Naceur, Walim ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Fremont, Hélène ; Muraro, Jean-Luc ; Monfraix, Philippe
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.science/hal-00585624
Détection et identification des pièges dans les HEMTS AlGaN/GaN
Brunel, L. ; Malbert, N. ; Curutchet, A. ; Labat, N. ; Lambert, Benoit
Dans : 17èmes Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.science/hal-00672186
Détection et identification des pièges dans les HEMTs AlGaN/GaN
Brunel, Laurent ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.science/hal-00585618
Does power device sensitivity to mechanical stress can be used as sensor for power assembly health monitoring?
Capy, Florence ; Azzopardi, Stephane ; El Boubkari, Kama ; Belmehdi, Yassine ; Delétage, Jean-Yves ; Woirgard, Eric
Dans : 3rd IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, Phoénix (United States)
https://hal.science/hal-00591063
Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/GaAsSb DHBT
Kone, Gilles Amadou ; Ghosh, S. ; Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Maher, H. ; Bourqui, M.L. ; Smith, D.
Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011), Berlin (Germany)
https://hal.science/hal-00585590
Electro-thermal dynamic simulation and thermal spreading impedance modeling of Si-Ge HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, ATLANTA (United States)
https://hal.science/hal-00669443
Electro-thermal characterization of Si-Ge HBTs with pulse measurement and transient simulation
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 41st European Solid-State Device Research Conference, Helsinki (Finland)
https://hal.science/hal-00669428
Dégradation du bruit en courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC
Sury, Charlotte ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Dua, Christian ; Oualli, Mourad ; Diforte-Poisson, M.A. ; Aubry, Raphaël
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.science/hal-00585621
2010
Nouvelle préparation d'échantillon pour l'analyse de défaillance de technologie Cu/low-k encapsulée en boitier plastique
Aubert, A. ; Dantas de Morais, L. ; Rebrassé, J.P. ; Fremont, Hélène ; Labat, Nathalie
Dans : Atelier de l'ANADEF, Port d'albret (France)
https://hal.science/hal-00585609
Les techniques électro-optique pour l'analyse de défaillance des composants III-V
Bouya, Moshine ; Carisetti, D. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, P. ; Clément, J.C.
Dans : Atelier de l'ANADEF, Port d'Albret (France)
https://hal.science/hal-00585600
IR and Vis-NIR electroluminescence developments for FA in AlGaN/GaN HEMTs on SiC
Bouya, Moshine ; Carisetti, D. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, J.C.
Dans : 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA), Dallas (United States)
https://hal.science/hal-00585192
Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs
Douvry, Y. ; Hoel, Virginie ; de Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, N. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Sury, Charlotte ; Dua, C. ; Oualli, M. ; Piazza, M. ; Bluet, J.M. ; Chikhaoui, W. ; Bru-Chevallier, C.
Dans : European Solid-State Device Research Conference 2010, Séville (Spain)
https://hal.science/hal-00585101
Conception et qualification d'un amplificateur de puissance radiofréquence à base de HEMT GaN.
Fonder, Jean Baptiste ; Temcamani, Farid ; Duperrier, Cédric ; Latry, Olivier ; Dherbecourt, Pascal ; Lacheze, Ludovic ; Stanislawiak, Michel ; Eudeline, Philippe
Dans : 13èmes Journées Nano Micro et Optoélectronique, Les Issambres (France), Les Issambres (France)
https://hal.science/hal-00735895
2009
Investigation of High Frequency coupling between Probe tips and Wafer surface.
Bazzi, J. ; Raya, C. ; Curutchet, A. ; Zimmer, T.
Dans : IEEE BiCMOS Technology Meeting 2009, (Italy)
https://hal.science/hal-00400373
UV emission microscopy development for high band gap components
Bouya, Moshine ; Carisetti, D. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, J.C.
Dans : 34th International Symposium for Testing and Failure Analysis, San Jose (United States)
https://hal.science/hal-00585086
Caractérisation et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences dans la filière HEMT à base de nitrure de gallium
Curutchet, A. ; Sury, C. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : - XVIèmes Journées Nationales Microondes, France, (France)
https://hal.science/hal-00401250
RF doubling and rectification in Three-Terminal Junctions: experimental characterization and Monte Carlo analysis
Iñiguez-De-La-Torre, I. ; González, T. ; Pardo, D. ; Gardes, Chantal ; Roelens, Yannick ; Bollaert, S. ; Curutchet, A. ; Gaquière, Christophe ; Mateos, J.
Dans : EDISON 16, (France)
https://hal.science/hal-00401237
Audio/video fusion for objects recognition
Lacheze, L. ; Guo, Y. ; Benosman, R. ; Gas, Bruno ; Couverture, C.
Dans : IEEE/RSJ International Conference on Intelligent RObots and Systems, - (Unknown Region)
https://hal.science/hal-03416476
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Sury, Charlotte ; Hoel, Virginie ; de Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, N. ; Douvry, Yannick ; Dua, Christian ; Oualli, Mourad ; Bru-Chevallier, Catherine ; Bluet, Jean-Marie ; Chikhaoui, Walf
Dans : GaN microwave component technology workshop, Ulm (Germany)
https://hal.science/hal-00401323
Low frequency Noise evolution of AlGaN/GaN HEMT after 2000 Hours of HTRB and HTO life test
Sury, Charlotte ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 20 th International Conference on Noise and Fluctuations, Pise (Italy)
https://hal.science/hal-00401286
2008
Backside failure analysis by electroluminescence on microwave devices
Bouya, Moshine ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Delaqueze, P. ; Clement, Jean Claude
Dans : Int. Symp. for Testing and Failure Analysis ISTFA, Portland (United States)
https://hal.science/hal-00401293
Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs
Faqir, M. ; Verzellesi, G. ; Fantini, F. ; Danesin, F. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, E. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Dua, C.
Dans : 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, Leuven (Belgium)
https://hal.science/hal-00415763
Effects of surface and buffer traps in passivated AlGaN-GaN HEMTs
Faqir, Mustapha ; Verzellesi, G. ; Fantini, F. ; Danesin, F. ; Rampazzo, F. ; Zanoni, E. ; Meneghesso, G. ; Labat, Nathalie ; Touboul, A. ; Dua, Christian
Dans : 32th workshop on Compound semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE, Leuven (Belgium)
https://hal.science/hal-00401301
Characterization of carbon nanotube field-effect transistors using an active load pull LSNA setup
Gaquière, Christophe ; Curutchet, Arnaud ; Theron, Didier ; Werquin, Matthieu ; Ducatteau, Damien ; Bethoux, Jean-Marc ; Happy, Henri ; Dambrine, Gilles ; Derycke, Vincent
Dans : 71st ARFTG Microwave Measurement Conference, ARFTG 2008, Atlanta, GA (United States)
https://hal.science/hal-00362030
Méthodologie de calibration de simulation numérique TCAD de TLM AlGaN/GaN
Lacheze, L. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : JNRDM, (France)
https://hal.science/hal-00401349
MODELISATION DU COURANT DE GRILLE DES HEMTs AlGaN/GaN
Lacheze, L. ; Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : XIVème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.science/hal-00401345
Analytical modelling of the Schottky gate current in AlGaN/GaN HEMT
Lacheze, Ludovic ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009, Malaga (Spain)
https://hal.science/hal-00401306
Étude du bruit aux basses fréquences des contacts ohmiques des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium
Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : JNMO, (France)
https://hal.science/hal-00401350
Extraction et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium
Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : XIVème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.science/hal-00401347
2007
Techniques de détection de défauts dans les transistors à haute mobilité électronique AlGaN/GaN à contact Schottky Pt/Ti/Au
Bouya, Moshine ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, Jean-Claude ; Pataut, Gerard ; Bonnet, Michel
Dans : XVIèmes Journées Nationales Microondes, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-00197484
Electrical OverStress/ElectroStatic Discharges (EOS/ESD) specificities in MEMS: outline of a protection strategy
Caillard, Benjamin ; Pellet, Claude ; Touboul, Andre ; Mita, Yoshio ; Fujita, Hirohito
Dans : IEEE International symposium on the Physical and Failure Analysis of integrated circuits (IPFA'07), Bangalore (India)
https://hal.science/hal-00162196
Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors hyperfréquences à Effet de Champ à base de Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau Large Signal (LSNA)
Curutchet, Arnaud ; Bethoux, Jean-Marc ; Werquin, Matthieu ; Happy, Henri ; Theron, Didier ; Ducatteau, Damien ; Dambrine, Gilles ; Gaquière, Christophe ; Derycke, Vincent
Dans : XVIèmes Journées Nationales Microondes, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-00197497
Influence of the Strain on Static I-V Characteristics of AlGaN/GaN HEMT Determined by Physical Simulation
Lacheze, Ludovic ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : International Workshop on Heterostructures HETECH, Frejus (France)
https://hal.science/hal-00197501
LF noise analysis of InP/GaAsSb/InP and InP/InGaAs/InP HBTs
Maneux, C. ; Grandchamp, B. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J. ; Bove, Ph.
Dans : 19th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (Japan)
https://hal.science/hal-00401338
2006
Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors à Effet de Champs à Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau non linéaire (LSNA)
Curutchet, Arnaud ; Bethoux, Jean-Marc ; Werquin, Matthieu ; Happy, Henri ; Theron, Didier ; Ducatteau, Damien ; Gaquière, Christophe
Dans : GDR G2054 Nanoélectronique, Grenoble (France)
https://hal.science/hal-00197505
Applications of various optical techniques for ESD defect localization
Essely, Fabien ; Darracq, Frédéric ; Pouget, Vincent ; Remmach, Mustapha ; Beaudoin, Félix ; Guitard, Nicolas ; Bafleur, Marise ; Perdu, Philippe ; Touboul, Andre ; Lewis, Dean
Dans : European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and analysis (ESREF), wuppertal (Germany)
https://hal.science/hal-00401519
OBIC technique for ESD defect localization : Influence of the experimental procedure
Essely, F. ; Guitard, Nicolas ; Darracq, F. ; Pouget, V. ; Bafleur, Marise ; Touboul, A. ; Lewis, D.
Dans : 3th Workshop EOS/ESD/EMI, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-00327412
Optimizing pulsed OBIC technique for ESD defect localization
Essely, Fabien ; Guitard, Nicolas ; Darracq, Frédéric ; Pouget, Vincent ; Bafleur, Marise ; Perdu, Philippe ; Touboul, Andre ; Lewis, Dean
Dans : 13th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), Singapour (Singapore)
https://hal.science/hal-00204574
2005
A GaAsSb/InP HBT circuit technology
Godin, Jean ; Riet, Muriel ; Konczykowska, A. ; Berdaguer, P. ; Kahn, Myrtil L. ; Bove, Philippe ; Lareche, H. ; Langer, R. ; Lijadi, Mélania ; Pardo, F. ; Bardou, N. ; Pelouard, Jean-Luc ; Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bru-Chevallier, Catherine ; Chouaib, H. ; Benyattou, T.
Dans : Conference GaAs 2005, (France)
https://hal.science/hal-00183099
Evidence of RTS noise in emitter-base periphery of InP/GaAsSb/InP HBT
Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : 20th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (France)
https://hal.science/hal-00401340
Different failure signatures of multiple TLP and HBM Stresses in an ESD robust protection structure
Guitard, Nicolas ; Essely, Fabien ; Trémouilles, David ; Bafleur, Marise ; Nolhier, Nicolas ; Perdu, Philippe ; Touboul, Andre ; Pouget, Vincent ; Lewis, Dean
Dans : European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and analysis (ESREF), arcachon (France)
https://hal.science/hal-00401483
Méthodologie pour la définition d'une Aire de sécurité de fonctionnement statique de la technologie MESFET à substrat GaAs
Ismail, N. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Muraro, J.-L.
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique et Microsystèmes, (France)
https://hal.science/hal-00401367
On-state safe operating area of GaAs MESFET defined for non linear applications
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc ; Brasseau, Francis ; Langrez, Dominique
Dans : 13th GAAS Symposium, (France)
https://hal.science/hal-00183503
Off-state and on-state breakdown of GaAs MESFET, PHEMT, and PPHEMT
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : 32nd International Symposium on Compound Semiconductors, (Germany)
https://hal.science/hal-00183502
Méthodologie pour la définition d'une Aire de sécurité de fonctionnement non linéaire des transistors FETs GaAs
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : XVèmes Journées Nationales Microondes, (France)
https://hal.science/hal-00183501
A methodology to delimit the on-state safe operating area of GaAs MESFET for nonlinear applications
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : International Symposium on physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, (Singapore)
https://hal.science/hal-00183499
Traps characterization inSi-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques
Sozza, Alberto ; Dua, Christian ; Sarazin, N. ; Morvan, E. ; Delage, Sylvain ; Rampazzo, F. ; Tazzoli, A. ; Danesin, F. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, Enrico ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : Proceeding of International Workshop on Heterostructures HETECH, (Slovakia)
https://hal.science/hal-00183504
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress
Sozza, Alberto ; Dua, Christian ; Morvan, E. ; Diforte-Poisson, Ma ; Delage, Sylvain ; Rampazzo, F. ; Tazzoli, A. ; Danesin, F. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, Enrico ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Grimber, B. ; de Jaeger, Jean-Claude
Dans : Proceeding of IEDM, (United States)
https://hal.science/hal-00183500
2004
Analyse du bruit basses fréquences de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et Saphir
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Uren, M.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, La Grande Motte (France)
https://hal.science/hal-00401361
Analyse du bruit basse fréquence de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et saphir
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Uren, M.
Dans : GDR Semi-Conducteur Grand Gap, Freyjus (France)
https://hal.science/hal-00401359
Simulation Physique des mécanismes de recombinaisons d'un TBH InP/GaAsSb/InP
Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, La Grande Motte (France)
https://hal.science/hal-00401365
Comparaison des lieux de claquage BV on-state des différentes technologies à substrat GaAs
Ismail, N. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Lambert, B. ; Muraro, J.-L.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.science/hal-00401360
Methodology to compare on-state breakdown loci of GaAs FETs
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : ICM Conference, (Tunisia)
https://hal.science/hal-00183506
Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : 2004 European Microwave Week, Workshop on Wide band gap Research for Microwave applications : Materials, devices and circuit Issues, (Netherlands)
https://hal.science/hal-00183569
InP/GaAsSb/InP DHBT: Analysis of specific material parameters and high current effect by physical simulation
Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
Dans : Conference GAAS 2004, (Netherlands)
https://hal.science/hal-00183102
InP based HBT reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
https://hal.science/hal-00183101
Analysis of avalanche regime in InP HBT's using physical simulation - Implementation in a DC Model
Maneux, Cristell ; Martin, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : International Conference on Industrial Technology, (Tunisia)
https://hal.science/hal-00183100
InP/InGaAs/InP DHBT submitted to bias and thermal stresses: LF base noise analysis
Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : SPIE Fluctuation and Noise Conference, (Spain)
https://hal.science/hal-00183103
A 10 GHz dielectric resonator oscillator using GaN technology
Rice, P. ; Sloan, R. ; Moore, M. ; Barnes, Ar ; Uren, Michael ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2004 IEEE MTT-Symposium, (United States)
https://hal.science/hal-00183505
2003
Limitations des performances du TBH InP/GaAsSb/InP à forts niveaux d'injection
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
https://hal.science/hal-00183471
Analyse de la dégradation des performances des TBH InP/GaAsSb/InP aux forts niveaux de courant
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
Dans : Journées Nationales Microondes 2003, (France)
https://hal.science/hal-00183467
Analyse du bruit BF du canal de la technologie HEMT sur nitrure de gallium (GaN)
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : JNRDM, Toulouse (France)
https://hal.science/hal-00401358
Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrats silicium et saphir
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A. ; Uren, Michael
Dans : XIIIèmes Journées Nationales Microondes, (France)
https://hal.science/hal-00183507
Low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A.
Dans : Fluctuation and Noise Conference, (United States)
https://hal.science/hal-00183510
Evolution of LF noise in Power PHEMT's ubmitted to RF and DC step stresses
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Touboul, Andre
Dans : Journées Scientifiques Francophones Electronique, Télécoms et Informatique, (Tunisia)
https://hal.science/hal-00183509
Analysis of low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Touboul, Andre ; Uren, Michael
Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
https://hal.science/hal-00183508
Modèles de dégradation des TBH sur substrat InP
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées électroniques du CLUB EEA et du RTP 31 : Fiabilité des Composants et Packaging, (France)
https://hal.science/hal-00183472
InP-based HBT Reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Godin, Jean ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Riet, Muriel
Dans : 2003 European Microwave Week, Workshop on Reliability of microwave devices, (Germany)
https://hal.science/hal-00183104
Fiabilité du TBH sur InP - Analyse du Bruit aux Basses Fréquences
Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées Nationales Microondes - JNM, (France)
https://hal.science/hal-00183470
Extrinsic leakage current on InP/InGaAs DHBTs
Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : 2003 IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (United States)
https://hal.science/hal-00183469
Analyse des courants de fuite extrinsèques des HBTs InP/InGaAs
Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées Scientifiques Francophones Electronique, Télécoms et Informatique, (Tunisia)
https://hal.science/hal-00183468
2002
Evidence of surface trap effects on pseudomorphic HEMT submitted to impact ionization stresses
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Touboul, Andre ; Pataud, Gérard
Dans : GAAS 2002, (Italy)
https://hal.science/hal-00183511
Fiabilité du TBH à double hétérojonction sur InP : Résultats préliminaires
Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique 2002, (France)
https://hal.science/hal-00183473
Caractérisation électrique et modélisation de l'ionisation par impact sur des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur InP
Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral Microélectronique 2002, (France)
https://hal.science/hal-00183105
2001
Single-event Sensitivity of a single SRAM cell
Darracq, Frédéric ; Beauchene, Thomas ; Pouget, Vincent ; Lapuyade, Hervé ; Lewis, Dean ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre
Dans : RADECS, (France)
https://hal.science/hal-00185411
L'ionisation par impact dans un HEMT pseudomorphique sur GaAs
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique, JNMO, (France)
https://hal.science/hal-00183516
LF gate noise in P-HEMT in impact ionization regime
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : 16th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (United States)
https://hal.science/hal-00183515
Influence of thermal and impact ionization stresses on AlGaAs/InGaAs HEMT DC performances
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre
Dans : International Symposium on Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, (Singapore)
https://hal.science/hal-00183514
Analysis of LF noise evolution in power HEMT after DC step lifetests
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre ; Pataud, Gérard
Dans : 16th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (United States)
https://hal.science/hal-00183513
Analyse du bruit de grille aux basses fréquences des transistors à effet de champ de puissance sur GaAs
Lambert, Benoit ; Verdier, Frédéric ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Colloque Interdisciplinaire en Instrumentation (Ed. Hermes), (France)
https://hal.science/hal-00183512
Experimental Evidence of Impact Ionisation in InP HBT's Designed for Rapid Digital Applications:Implementation in a DC Model
Maneux, Cristell ; Martin, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Benchimol, Jean-Louis
Dans : ESSDERC, (Germany)
https://hal.science/hal-00183474
2000
Breakdown voltage of AlGaAs/InGaAs HEMT submitted to life-tests in impact ionization regime
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre
Dans : IEEE GaAs Reliability Workshop, (United States)
https://hal.science/hal-00183517
1999
Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : IEEE GaAs Reliability Workshop, (United States)
https://hal.science/hal-00183476
TBH GaInP/GaAs planar : Analyse de deux mécanismes de défaillances
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : Journées Nationales Microélectroniques et optoélectroniques, (France)
https://hal.science/hal-00183479
Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, (United Kingdom)
https://hal.science/hal-00183478
Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, (France)
https://hal.science/hal-00183477
Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology
Maneux, Cristell ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : State-Of-The-Art Program on compound Semiconductros XXX, Ed. Electrochem. Soc, (United States)
https://hal.science/hal-00183475
1998
Evolution of base current in C-In doped GaInP/GaAs HBT under current induced stress
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : European Solid State Device Research Conference (Ed. Frontières), ESSDERC, (France)
https://hal.science/hal-00183480
1997
Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'97, (France)
https://hal.science/hal-00183483
Evaluation de la fiabilité du TBH GaAs : justification d'un protocole expérimental spécifique
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journée TBH dans le cadre des Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.science/hal-00183482
Analysis of GaAs HBT failure mechanisms : impact on the life testing strategy
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : International Symposium on the Physical and Failure Analysis of integrated circuits, (Singapore)
https://hal.science/hal-00183481
Influence des effets de dose cumulée sur les règles de conception des circuits intégrés bipolaires
Montagner, Xavier ; Deval, Yann ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre ; Dom, Jean-Paul
Dans : Colloque CAO des circuits intégrés et systèmes, (France)
https://hal.science/hal-00184311
Evaluation of ÑH and N parameters of conventional and pseudomorphic HEMTs L.F. noise
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f fluctuations ICNF¡¦97, (Belgium)
https://hal.science/hal-00183568
Efficiency of trap detection in HEMTs by DCTS combined with LF noise analysis
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF'97, (Belgium)
https://hal.science/hal-00183519
Applications of trap characterization in III-V devices : modeling and/or technological improvement
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESA Electronic Components Conference EECC'97, (Netherlands)
https://hal.science/hal-00183518
1996
Low frequency noise and pulse response of GaAs PHEMTs submitted to hot electrons stress
Cova, Paolo ; Boselli, Gianlucca ; Menozzi, Roberto ; Fantini, Fausto ; Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Worshop onHeterostructures Technology - HETECH, (France)
https://hal.science/hal-00183563
Complementary of drain current transient spectroscopy (DCTS) and G.R. noise analysis to detect traps in HEMTs
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : European Solid State Device Research Conference, ESSDERC'96, (Italy)
https://hal.science/hal-00183562
Caractérisation d'un dysfonctionnement du HEMT et impact sur une application système
Saysset, Nathalie ; Dumas, Jean-Michel ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : 5ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.science/hal-00183484
1995
Numerical Modelling of Mechanisms involved in Latchup Triggering by a Laser Beam
Fouillat, Pascal ; Lapuyade, Hervé ; Touboul, Andre ; Dom, Jean-Paul ; Gaillard, R.
Dans : Proc. of the Third European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, (France)
https://hal.science/hal-00185422
Analysis of drain current transients and L.F. channel noise to detect deep levels in HEMTs
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Workshop on Noise and Reliability of Semiconductor Devices, (Czech Republic)
https://hal.science/hal-00183564
Quality evaluation of S-HEMTs and PM-HEMTs by drain current transients and L.F. channel noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'95, (France)
https://hal.science/hal-00183486
Comparison of 1/f noise sources in single-well and pseudomorphic HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF'95,, (Lithuania)
https://hal.science/hal-00183485
1994
Electrical response of screen-printed varistors to transient overvoltages
Gouverneur, Sandrine ; Lucat, Claude ; Menil, Francis ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre ; Aucouturier, Jean-Louis ; Pinel, J.
Dans : Lightnings and Mountains, (France)
https://hal.science/hal-00203780
Quality evaluation of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs by LF excess noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'94, (United Kingdom)
https://hal.science/hal-00183489
Comparaison de HEMTs AlGaAs/GaAs et AlGaAs/InGaAs par l'analyse du bruit basses fréquences
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.science/hal-00183488
Analyse technologique de composants GaAs : méthodologie - complémentarité avec la caractérisation électrique
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Danto, Yves
Dans : 4ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.science/hal-00183487
Evaluation of low voltage ZnO varistors quality by low frequency noise characteristics
Verdier, Frédéric ; Gouverneur, Sandrine ; Lucat, Claude ; Touboul, Andre
Dans : ESREF 94, (United Kingdom)
https://hal.science/hal-00203781
1993
Investigations on the origin of AlGaAs/GaAs HEMTs LF channel noise
Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Ouro Bodi, Dissadama ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Proc. of International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (United States)
https://hal.science/hal-00183565
1992
A fast VLSI SRAM mapping methodology using voltage contrast techniques on SEM
Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF, Schwäbisch-Gmünd (Germany)
https://hal.science/hal-00181911
Conférences invitées → 3 Voir
2011
Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Curutchet, Arnaud ; Grandchamp, Brice
Dans : INCF 2011, Toronto (Canada)
https://hal.science/hal-00585593
2004
Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : Fluctuation and Noise Conference, (Spain)
https://hal.science/hal-00183566
2003
Low frequency noise as early indicator of degradation in compound semiconductor FETs and HBTs
Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
https://hal.science/hal-00183106
Brevets → 4 Voir
2015
Dispositif de calibrage pour l'ajustement d'une mesure radiofréquence
Zimmer, Thomas ; Sebastien, Fregonese ; Curutchet, A. ; Potéreau, Manuel ; Raya, Christian
https://hal.science/hal-01721675
2014
MACHINE TOURNANTE A ROTOR FLUIDIQUE A PALES ORIENTABLES
Curutchet, Arnaud ; Gabriel, Cordé ; Grosmangin, Stephane ; Renaud, Fourton
https://hal.science/hal-00993368
2012
SYNTHÉTISEUR D'IMPÉDANCE COAXIAL
Curutchet, Arnaud
https://hal.science/hal-00986959
2010
ENSEMBLE D'ADAPTATION D'IMPÉDANCE, CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIES
Curutchet, Arnaud
https://hal.science/hal-00556588
Theses → 8 Voir
2021
Reliability study of 0.15um GaN technology on SiC - Electrical characterization and analysis of parasitic effects and failure mechanisms
Magnier, Florent
https://theses.hal.science/tel-03336174
2018
Investigation into trapping mechanisms and impact on performances and reliability of GaN HEMTs through physical simulation and electro-optical characterization
Mukherjee, Kalparupa
https://theses.hal.science/tel-02115969
2017
Reliability assessment of GaN HEMTs on Si substrate with ultra-short gate dedicated to power applications at frequency above 40 GHz
Lakhdhar, Hadhemi
https://theses.hal.science/tel-01763431
2015
Deep electrical characterization and modeling of parisitc effects and degradation mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate
Rzin, Mehdi
https://hal.science/tel-02462845
2014
Contribution in reliability insurance of GaN HEMT on SiC substrate : electrical characterization and modeling of parasitic effects
Brunel, Laurent
https://theses.hal.science/tel-01133679
2013
Evaluation of non-hermetic packaging solutions for active microwave devices and space applications
Ben Naceur, Walim
https://theses.hal.science/tel-00991023
Impact of bidimensional physical modeling multicellular of power semiconductor device on the evaluation of the reliability package applied to automotive
El Boubkari, Kamal
https://theses.hal.science/tel-00926599
2012
Electro-thermal Characterizations, Compact Modeling and TCAD based Device Simulations of advanced SiGe:C BiCMOS HBTs and of nanometric CMOS FET
Sahoo, Amit Kumar
https://hal.science/tel-02457044