Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système

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MODEL

Présentation

Modélisation compacte et caractérisation des dispositifs électroniques

 

Les activités de la thématique MODEL sont centrées sur la caractérisation électrique et la modélisation compacte des composants électroniques intégrés. Elles s'articulent autour de 3 types d'actions.

  • Le développement de modèles compacts,
  • L'instrumentation,
  • La fiabilité des circuits intégrés.
Membres
CM2017 3  
Sébastien Frégonèse, Chargé de recherche CNRS Cristell MANEUX, Professeur Université de Bordeaux François MARC, Maître de conférences Université de Bordeaux Thomas Zimmer, Professeur Université de Bordeaux Marina Deng, Maître de conférences  

Compétences
  • Le développement de modèles compacts
 

Sur la base des équations physiques qui régissent le fonctionnement des transistors, nous développons le code VerilogA pour les bibliothèques des outils logiciels de conception de circuits intégrés.
Dans le cas des technologies émergentes, il s'agit des modèles compacts des transistors à nanotubes de carbone et des transistors à base de graphène. La période 2009-2014 a permis de clairement établir notre qualité de leader européen et d'impulser une collaboration au sein du Labex ''CPU'' de l'IDEX Bordeaux.

Dans le cas des technologies avancées, il s'agit de modifier, compléter et affiner le modèle établit par les partenaires industriels pour prendre en compte de nouveaux mécanismes. Citons, par exemple, le mécanisme d'auto-échauffement dans les TBH SiGe largement submicronique ou encore le couplage par le substrat entre ces transistors fonctionnant dans le domaine THz). Dans la période 2009-2014, nous avons démontré notre capacité à susciter et établir de grands projets européens réunissant les acteurs industriels de premier plan tels que ST Microelectronics et IFX.

  • L'instrumentation

Dans le contexte de la montée en fréquence et de l'intégration croissante des technologies avancées, l'accès aux caractéristiques électriques intrinsèques des transistors dans la gamme de fréquence submillimétrique s'avère un enjeu majeur pour la validation et l’utilisation des modèles compacts dédiés à la conception de circuits à très haute fréquence. En 2010, l’équipe MODEL a investi dans un banc innovant dédié à la mesure pulsée (quasi DC) à 70 ns et RF à 40 GHz. Entre 2013 et 2017, pour répondre à nos objectifs de haute fréquence et grâce aux financements des projets européens (FP7 DOT7, FP7 GRADE), nationaux (NANO2017) et régionaux (SUBTILE et FAST), un investissement majeur de 600 keuros a été fait par l’équipe MODEL pour le déploiement de bancs de caractérisation de paramètres S sous pointes dans la gamme 140-500 GHz. Ces bancs complètent les moyens de mesure présents sur la plateforme NANOCOM dont la bande allait de 5Hz à 110 GHz.

Ainsi, sans développer une instrumentation propre, l'acquisition d'équipements spécifiques requiert la mise au point de procédures dédiées et fiables. Dans ce but, en lien avec des structures de tests conçues au sein de notre équipe et fabriquées par nos partenaires industriels ou académiques, des méthodes de calibrage et d’épluchage sont constamment déployées et vérifiées avec l’appui de la simulation électromagnétique. Par exemple, deux méthodes de calibrage innovantes sur wafer ont été proposées dont la méthode appelée "Calibrage 3D TRL" et "Calibrage avec des lignes à méandres".

L’exploitation de ce banc de mesure haute fréquence, à l'état de l'art, a donné lieu à une publication dans la revue internationale IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques montrant une première mondiale sur la caractérisation d’un HBT SiGe jusqu’à 500 GHz. De plus, la mesure de la fréquence maximum d’oscillation du transistor HBT SiGe détenant le record mondial de 700 GHz développé par IHP a été confirmée par des mesures réalisées sur notre plateforme.

  • La fiabilité des circuits intégrés
 

Le modèle compact intégrant les lois de vieillissement des transistors permet, dés la phase de conception – sans attendre le retour des tests circuits- de simuler la fonctionnalité du circuit au cours de son utilisation. Le simulateur est alors configuré pour modifier la valeur des paramètres du modèle compact en cours de simulation concurremment avec son échelle des temps. Ce savoir-faire unique permet une approche holistique performance/fiabilité très différente de celle conventionnellement utilisée qui consiste à simuler des ''pires cas''. Sur cette base des approches plus haut niveau sont alors possibles. En 2012, cet axe de recherche a donné lieu à une conférence invitée conjointe dans les 2 plus grandes conférences européennes jumelées du domaine ESSDERC/ESSCIRC :''Advancements on reliability-aware analog design''. Pour les circuits numériques, la modélisation des dégradations doit passer par une modélisation des circuits logiques, de la porte au circuit, prenant en compte les effets de mécanismes de vieillissement, et l'utilisation. La modélisation de haut niveau, étudiée dans un premier temps est complétée par le développement d'une auto-instrumentation pour la mesure du vieillissement des circuits numériques.g Oscillator''.

Publications

Total : 451

Articles dans des revues avec comité de lecture → 143 Voir

2019


Comparison of on-wafer TRL calibration to ISS SOLT calibration with open-short de-embedding up to 500 GHz
Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; De Matos, Magali ; Yadav, Chandan ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Joly, Simon ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985495

2018


Simulation and modelling of long term reliability of digital circuits implemented in FPGA
Aguirre Morales, J.D. ; Marc, F. ; Bensoussan, A. ; Durier, A.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01946442

Pilot study of freshly excised breast tissue response in the 300 – 600 GHz range
Cassar, Quentin ; Al-Ibadi, Amel ; Mavarani, Laven ; Hillger, Philipp ; Grzyb, Janusz ; Macgrogan, Gaetan ; Zimmer, Thomas ; Pfeiffer, Ullrich ; Guillet, Jean-Paul ; Mounaix, Patrick
Dans : Biomedical optics express
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01923517

Influence of temperature of storage, write and read operations on multiple level cells NAND flash memories
Coutet, Julien ; Marc, Francois ; Dozolme, Flavien ; Guétard, Romain ; Janvresse, Aurélien ; Lebossé, Pierre ; Pastre, Antonin ; Clément, Jean-claude
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01946449

Analysis of Electrothermal and Impact-Ionization Effects in Bipolar Cascode Amplifiers
d'Alessandro, Vincenzo ; D'Esposito, Rosario ; Metzger, Andre ; Kwok, Kai ; Aufinger, Klaus ; Zimmer, Thomas ; Rinaldi, Niccolo
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695662

On-Wafer Characterization of Silicon Transistors Up To 500 GHz and Analysis of Measurement Discontinuities Between the Frequency Bands
Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; Deng, Marina ; Potéreau, Manuel ; Ayela, Cédric ; Aufinger, Klaus ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01818021

NearSense – Advances Towards a Silicon-Based Terahertz Near-Field Imaging Sensor for Ex Vivo Breast Tumour Identification
Mounaix, Patrick ; Mavarani, Laven ; Hillger, Philipp ; Bucher, Thomas ; Grzyb, Janusz ; Cassar, Quentin ; Al-Ibadi, Amel ; Zimmer, Thomas ; Macgrogan, Gaetan ; Guillet, Jean-Paul ; Pfeiffer, Ullrich
Dans : Frequenz
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01745775

Scalable Compact Modeling of III–V DHBTs: Prospective Figures of Merit Toward Terahertz Operation
Mukherjee, Chhandak ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Luisier, Mathieu ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay ; Bolognesi, Colombo ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985507

2017


A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sébastien ; Mukherjee, Chhandak ; Wei, Wei ; Happy, Henri ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639648

Accurate Modeling of Thermal Resistance for On-Wafer SiGe HBTs Using Average Thermal Conductivity
Balanethiram, Suresh ; Chakravorty, Anjan ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Céli, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639642

Extraction of BEOL Contributions for Thermal Resistance in SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Chakravorty, Anjan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01477147

Multiscaled simulation methodology for neuro-inspired circuits demonstrated with an organic memristor
BENNETT, christopher ; Lorival, Jean-Etienne ; Marc, François ; Cabaret, Théo ; Jousselme, Bruno ; Derycke, Vincent ; Klein, Jacques-Olivier ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Multi-Scale Computing Systems
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01656702

Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications
Chevalier, Pascal ; Schroter, Michael ; Bolognesi, Colombo R. ; d'Alessandro, Vincenzo ; Alexandrova, Maria ; Bock, Josef ; Flickiger, Ralf ; Fregonese, Sébastien ; Heinemann, Bernd ; Jungemann, C. ; Lovblom, Rickard ; Maneux, Cristell ; Ostinelli, Olivier ; Pawlak, Andreas ; Rinaldi, Niccolo ; Rucker, Holger ; Wedel, Gerald ; Zimmer, Thomas
Dans : Proceedings of the IEEE
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639677

Thermal Penetration Depth Analysis and Impact of the BEOL Metals on the Thermal Impedance of SiGe HBTs
D'Esposito, Rosario ; Balanethiram, Suresh ; Battaglia, Jean-Luc ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639596

Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit
Kamrani, Hamed ; Jabs, Dominic ; d'Alessandro, Vincenzo ; Rinaldi, Niccolo ; Jacquet, Thomas ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Aufinger, Klaus ; Jungemann, Christoph
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695268

Vertical charge transfer and lateral transport in graphene/germanium heterostructures
Kazemi, Alireza ; Vaziri, Sam ; Aguirre morales, Jorge daniel ; Fregonese, Sebastien ; Cavallo, Francesca ; Zamiri, Marziyeh ; Dawson, Noel ; Artyushkova, Kateryna ; Jiang, Ying Bing ; Brueck, Steven R. J. ; Krishna, Sanjay
Dans : ACS Applied Materials & Interfaces
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01513606

Proceedings of the 28th European Symposium on the reliability of electron devices, failure physics and analysis
Labat, Nathalie ; Marc, François ; Frémont, Helene ; Bafleur, Marise
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01660958

Random telegraph noise in SiGe HBTs: Reliability analysis close to SOA limit
Mukherjee, C. ; Jacquet, T. ; Chakravorty, A. ; Zimmer, T. ; Boeck, J. ; AUFINGER, K. ; Maneux, C.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695265

Hot-Carrier Degradation in SiGe HBTs: A Physical and Versatile Aging Compact Model
Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Fischer, Gerhard ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695254

Reliability-Aware Circuit Design Methodology for Beyond-5G Communication Systems
Mukherjee, Chhandak ; Ardouin, Bertrand ; Dupuy, Jean-Yves ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Zimmer, Thomas ; Marc, François ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01670929

Enhanced Intrinsic Voltage Gain in Artificially Stacked Bilayer CVD Graphene Field Effect Transistors
Pandey, Himadri ; Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Kataria, Satender ; Fregonese, Sébastien ; Passi, Vikram ; Iannazzo, Mario ; Zimmer, Thomas ; Alarcon, Eduard ; Lemme, Max C.
Dans : Annalen der Physik
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639708

2016


Efficient Modeling of Distributed Dynamic Self-Heating and Thermal Coupling in Multifinger SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Chakravorty, Anjan ; Fregonese, Sebastien ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399074

Analytic Estimation of Thermal Resistance in HBTs
Chakravorty, Anjan ; D'Esposito, Rosario ; Balanethiram, Suresh ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399079

On the development of a novel high VSWR programmable impedance tuner
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potéreau, Manuel ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : EuMA International Journal of Microwave and Wireless Technologies
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01345690

Innovative SiGe HBT Topologies With Improved Electrothermal Behavior
D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Chakravorty, Anjan ; Chevalier, Pascal ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399080

A Study on Self-Heating and Mutual Thermal Coupling in SiGe Multi-Finger HBTs
Dwivedi, A. D. D. ; D’Esposito, Rosario ; Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Journal of Electronic Materials
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399065

Comments on “Optimization of a Compact I–V Model for Graphene FETs: Extending Parameter Scalability for Circuit Design Exploration”
Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399083

2.5GHz integrated graphene RF power amplifier on SiC substrate
Hanna, T. ; Deltimple, N. ; Khenissa, S. ; Pallecchi, E. ; Happy, H. ; Frégonèse, S.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399069

Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis
Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399855

Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part II: Correlation and Modeling
Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399852

FPGA LUT delay degradation due to HCI: Experiment and simulation results
Naouss, Mohammad ; Marc, F.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01661820

2015


An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235964

Editorial, Microelectronics Reliability, Volume 55, Issues 9–10, August–September 2015
Bafleur, Marise ; Perdu, Philippe ; Marc, François ; Frémont, Hélène ; Nolhier, Nicolas
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01257965

Effects of BEOL on self-heating and thermal coupling in SiGe multi-finger HBTs under real operating condition
Dwivedi, A.D.D. ; Chakravorty, Anjan ; D’Esposito, Rosario ; Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid States Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235941

Electrical Compact Modeling of Graphene Base Transistors
Frégonèse, Sébastien ; Venica, Stefano ; Driussi, Francesco ; Zimmer, Thomas
Dans : Advances in OptoElectronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235945

Source-Pull and Load-Pull Characterization of Graphene FET
Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; MELE, David ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Journal of the Electron Devices Society
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090826

Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit
Jacquet, T. ; Sasso, G. ; Chakravorty, A. ; Rinaldi, N. ; AUFINGER, K. ; Zimmer, T. ; D'Alessandro, V. ; Maneux, C.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695288

Versatile Compact Model for Graphene FET Targeting Reliability-Aware Circuit Design
Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01127979

Design and implementation of a low cost test bench to assess the reliability of FPGA
Naouss, Mohammad ; Marc, F.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01661808

Nonlinear modelling of dynamic self-heating in 28 nm bulk complementary metal–oxide semiconductor technology
Sahoo, A.K. ; Fregonese, S. ; Scheer, P. ; Celi, D. ; Juge, A. ; Zimmer, T.
Dans : Electronics Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01162361

Obtaining DC and AC isothermal electrical characteristics for RF MOSFET
Sahoo, A.K. ; Fregonese, S. ; Scheer, P. ; Celi, D. ; Juge, A. ; Zimmer, T.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01127985

Pulsed radio frequency characterisation on 28 nm complementary metal–oxide semiconductor technology
Sahoo, A.K. ; Fregonese, S. ; Scheer, P. ; Celi, D. ; Juge, A. ; Zimmer, T.
Dans : Electronics Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01100656

A Geometry Scalable Model for Nonlinear Thermal Impedance of Trench Isolated HBTs
Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Desposito, Rosario ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090801

Isothermal Electrical Characteristic Extraction for mmWave HBTs
Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090791

Remote Lab Experiments in Electronics for Use and Reuse
Zimmer, Thomas ; Billaud, M. ; Pic, M. ; Geoffroy, D.
Dans : International Journal of Interactive Mobile Technologies (iJIM)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721447

Graphene Transistor-Based Active Balun Architectures
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235955

2014


Innovative Dual-Gate CNTFET Logic Cell: Investigation of Technological Dispersion Impact Through Compact Modeling
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090852

A Comprehensive Graphene FET Model for Circuit Design
Rodriguez, Saul ; Vaziri, Sam ; Smith, Anderson ; Frégonèse, Sébastien ; Ostling, Mikael ; Lemme, Max ; Rusu, Ana
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978699

InP HBT Thermal Management by Transferring to High Thermal Conductivity Silicon Substrate
THIAM, Ndèye Arame ; Roelens, Yannick ; Coinon, Christophe ; Avramovic, Vanessa ; Grandchamp, Brice ; Ducateau, D. ; Wallart, Xavier ; Maneux, Cristell ; Zaknoune, Mohamed
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090844

Evaluation Plan and Preliminary Evaluation of a Network of Remote Labs in the Maghrebian Countries
Tsiatsos, Thrasyvoulos ; Douka, Stella ; Mavridis, Apostolos ; Tegos, Stergios ; Naddami, Ahmed ; Zimmer, Thomas ; Geoffroy, Didier
Dans : International Journal of Online Engineering (iJOE)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721437

2013


Benchmarking of GFET devices for amplifier application using multiscale simulation approach
Fregonese, Sébastien ; Potereau, Manuel ; Deltimple, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Journal of Computational Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00918225

Scalable Electrical Compact Modeling for Graphene FET Transistors
Fregonese, Sébastien ; Magallo, Maura ; Maneux, Cristell ; Happy, H. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906225

On the Simulation of HCI-Induced Variations of IC Timings at High Level
Héron, Olivier ; Bertolini, Clément ; Ventroux, Nicolas ; Sandionigi, Chiara ; Marc, François
Dans : Journal of Electronic Testing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00950233

A Robust Surface-Potential-Based Compact Model for GaN HEMT IC Design
Khandelwal, Sourabh ; Yadav, Chandan ; Agnihotri, Shantanu ; Chauhan, Yogesh Singh ; Curutchet, Arnaud ; Zimmer, Thomas ; De Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, Nicolas ; Fjeldly, T.A.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909066

Submicrometer InP/InGaAs DHBT Architecture Enhancements Targeting Reliability Improvements
Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Godin, Jean ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909053

Multiscale simulation of carbon nanotube transistors
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Retailleau, Sylvie ; Nguyen, Huu Nha ; Querlioz, Damien ; Bournel, Arnaud ; Dollfus, Philippe ; Triozon, François ; Niquet, Yann-Michel ; Roche, Stephan
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906950

Limitations of on-wafer calibration and de-embedding methods in the sub-THz range
Potereau, M. ; Raya, C. ; De Matos, M. ; Fregonese, S. ; Curutchet, A. ; Zhang, M. ; Ardouin, B. ; Zimmer, T.
Dans : Journal of Computer and Communications
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002098

Single-crystal equation of state of phase D to lower mantle pressures and the effect of hydration on the buoyancy of deep subducted slabs
Rosa, A. D. ; Mezouar, M. ; Garbarino, G. ; Bouvier, P. ; Ghosh, S. ; Rohrbach, A. ; Sanchez-Valle, C.
Dans : Journal of Geophysical Research : Solid Earth
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01067406

Fractional Behavior of Partial Differential Equations whose coefficients are exponential function of the space variable
Sabatier, Jocelyn ; Nguyen, Huy Cuong ; Moreau, Xavier ; Oustaloup, Alain
Dans : Mathematical and computer modelling of dynamical systems, MCMDS
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00939422

80 ns/45 GHz Pulsed measurement system for DC and RF characterization of high speed microwave devices
Weib, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Santorelli, Marco ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909009

Optimized Ring Oscillator With 1.65-ps Gate Delay in a SiGe:C HBT Technology
Weib, Mario ; Majek, Cédric ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Mazouffre, Olivier ; Chevalier, Pascal ; Chantre, Alain ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906390

2012


Modeling Non-Quasi-Static Effects in SiGe HBTs Using Improved Charge Partitioning Scheme
Augustine, Noel ; Kumar, Khamesh ; Bhattacharyya, Arkaprava ; Zimmer, Thomas ; Chakravorty, Anjan
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01412448

Modeling Non-Quasi-Static Effects in SiGe HBTs Using Improved Charge Partitioning Scheme
Augustine, N. ; Kumar, K. ; Bhattacharyya, A. ; Zimmer, T. ; Chakravorty, A.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987245

Electrical compact modelling of graphene transistors
Fregonese, Sebastien ; Meng, N. ; Nguyen, H.-N. ; MAJEK, C. ; Maneux, C. ; Happy, H. ; Zimmer, T.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002093

Characterization and Modeling of Graphene Transistor Low-Frequency Noise
Grandchamp, Brice ; Fregonese, Sebastien ; Majek, Cédric ; Hainaut, Cyril ; Maneux, Cristell ; Meng, Nan ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669458

Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors
Kumar Sahoo, Amit ; Weiß, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978809

A scalable electrothermal model for transient self-heating effects in trench-isolated SiGe HBTs
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sebastien ; Weis, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978803

Characterization of self-heating in Si-Ge HBTs with pulse, DC and AC measurements
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sébastien ; Weiß, Mario ; Grandchamp, Brice ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978797

2011


A compact model for dual-gate one-dimensional FET: Application to carbon-nanotube FETs
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584879

Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design
Ghosh, S. ; Grandchamp, B. ; Koné, G.A ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Dupuy, J.-Y. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671676

Trends in submicrometer InP-based HBT architecture targeting thermal management
Grandchamp, Brice ; Nodjiadjim, Virginie ; Zaknoune, M. ; Koné, Gilles Amadou ; Hainaut, Cyril ; Godin, Jean ; Riet, M. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671675

Impact of Power Consumption and Temperature on Processor Lifetime Reliability
Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
Dans : American Scientific Publishers in JOLPE
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674305

FPGA Design with Double-Gate Carbon Nanotube Transistors
H. Ben Jamaa, M. ; Gaillardon,  p.-E. ; Frégonèse, S. ; De Marchi, M. ; De Micheli, G. ; Zimmer, T. ; O'Connor, I. ; Clermidy, F.
Dans : The Electro-Chemical Society Transactions
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002089

Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses
Koné, G. A. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00670550

Design and Modeling of a Neuro-Inspired Learning Circuit Using Nanotube-Based Memory Devices
Liao, Si-Yu ; Retrouvey, J.M. ; Agnus, G. ; Zhao, W. ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chabi, D. ; Filoramo, A. ; Derycke, Vincent ; Gamrat, C. ; Klein, J.O.
Dans : IEEE Transactions on Circuits and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584909

Schottky barrier carbon nanotube transistor: Compact modeling, scaling study, and circuit design applications
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Masmoudi, N. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electrons Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584876

E-Learning in science and technology via a common learning platform in a lifelong learning project
Priem, F. ; De Craemer, R. ; Pedreschi, F. ; Zimmer, T. ; SaÏghi, S. ; Lilja, J.
Dans : European Journal of Open, Distance and e-Learning
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002087

Fractional Models for Thermal Modeling and Temperature Estimation of a Transistor Junction
Sabatier, Jocelyn ; Nguyen, H.C. ; Farges, Christophe ; Moreau, Xavier ; Guillemard, Franck ; Bavoux, Bernard
Dans : Advances in Difference Equations
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00668779

Thermal impedance modeling of SiGe HBTs from low-frequency small-signal measurements
Sahoo, A.K. ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Malbert, Nathalie
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584885

2010


A versatile compact model for ballistic 1D transistor: GNRFET and CNTFET comparison
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00512742

Thermal aging model of InP/InGaAs/InP DHBT
Gosh, S. ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Grandchamp, Brice ; Koné, Gilles Amadou ; Zimmer, Thomas
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674295

Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/InGaAs DHBT
Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Nodjiadjim, V. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585073

Compact modeling of optically gated carbon nanotube field effect transistor
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : phys stat sol (b)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00495144

TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer
Mahmoud, Al-Sadi ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Materials Science in Semiconductor Processing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671678

Voltage Controlled Delay Line with Phase Quadrature Outputs for [0.9 4]GHz Factorial Delay Locked Loop Dedicated to Zero-IF Multi Standard Local Oscillator
Majek, Cédric ; Lucas De Peslouan, Pierre-Olivier ; Mariano, André ; Lapuyade, Herve ; Deval, Yann ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : Journal of Integrated Circuits and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00539233

Efficient physics-based compact model for the Schottky barrier carbon nanotube FET
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, N.
Dans : physica status solidi (c)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584855

SiGe HBTs optimization for wireless power amplifier applications
Zimmer, Thomas ; Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Pache, Denis ; Curutchet, Arnaud ; Maneux, Cristell
Dans : Active and Passive Electronic Components
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671680

2009


Multiscale simulation of carbon nanotube devices
Adessi, C. ; Avriller, R. ; Bournel, A. ; Blase, Xavier ; Cazin D'Honincthun, H. ; Dollfus, P. ; Frégonèse, S. ; Galdin-Retailleau, S. ; López-Bezanilla, A. ; Maneux, C. ; Nha Nguyen, H. ; Querlioz, D. ; Roche, S. ; Triozon, F. ; Zimmer, T.
Dans : Comptes Rendus Physique
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00400169

Multilevel behavioural modelling for reliability analysis of ionizing dose effects on a n-MOS simple current mirror
Bestory, Corinne ; Marc, François ; Duzellier, Sophie ; Lévi, Hervé
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00499470

Implementation of tunneling phenomena in a CNTFET compact model
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
Dans : IEEE Trarnsactions On Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399797

Technological dispersion in CNTFET: Impact of the presence of metallic carbon nanotubes in logic circuits
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
Dans : Solid States Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399786

Implementation of Electron–Phonon Scattering in a CNTFET Compact Model
Fregonese, Sebastien ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00388046

A distance measurement platform dedicated to Electrical Engineering
Lewis, N. ; Billaud, M. ; Geoffroy, D. ; Cazenave, P. ; Zimmer, T.
Dans : IEEE Transactions on Learning Technologies
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00450208

Effects of laser beam propagation and saturation on the spatial shape of sodium laser guide stars.
Marc, Fabien ; Guillet De Chatellus, Hugues ; Pique, Jean-Paul
Dans : Optics Express
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00983664

2008


Behavior and optimizations of Si/SiGe HBT on thin-film SOI
Avenier, Gregory ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Dutartre, D. ; Saguin, Fabienne ; Schwartzmann, Thierry ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, Alain
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197532

Challenges and potential of new approaches for reliability assessment of nanotechnologies
Bechou, L. ; Danto, Y. ; Deletage, J.Y. ; Verdier, F. ; Deshayes, Y. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Laffitte, D.
Dans : Comptes rendus de l’Académie des sciences. Série IV, Physique, astrophysique
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00266387

A Nodal Model Dedicated to Self-Heating and Thermal Coupling Simulations
Beckrich-Ros, Hélène ; Ortolland, Sylvie ; Pache, Denis ; Céli, Didier ; Gloria, Daniel ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing Special Issue
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327444

Computationally Efficient Physics-Based Compact CNTFET Model for Circuit Design
Fregonese, Sebastien ; Cazin D'Honincthun, Hughes ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Bourgoin, J.-P. ; Dollfus, P. ; Galdin-Retailleau, S.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00287142

Modeling of Strained CMOS on Disposable SiGe Dots : shape impacts on electrical/thermal characteristics
Fregonese, Sebastien ; Zhuang, Y. ; N. Burghartz, J.
Dans : Solid States Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00261552

Scalable Approach for HBT's Base Resistance Calculation
Raya, Christian ; Pourchon, Franck ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier ; Chevalier, Pascal
Dans : IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721433

Scalable Approach for Base Resistance Calculation
Raya, C. ; Pourchon, F. ; Celi, D. ; Chevalier, P. ; Zimmer, T.
Dans : IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327447

2007


Statistical analysis during the reliability simulation
Bestory, Corinne ; Marc, François ; Lévi, Hervé
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00326542

Modeling of Strained CMOS on Disposable SiGe Dots: Strain Impacts on Devices' Electrical Characteristics
Fregonese, Sebastien ; Zhuang, Yan ; Burghartz, Joachim N.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00169352

Pedagogical evaluation of remote laboratories in eMerge project
Lang, D. ; Mengelkamp, C. ; S. Jäger, R. ; Geoffroy, D. ; Billaud, M. ; Zimmer, T.
Dans : European Journal of Engineering Education
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00211717

CNTFET Modeling and Reconfigurable Logic-Circuit Design
O'Connor, Ian ; Liu, Junchen ; Gaffiot, Frederic ; Prégaldiny, Fabien ; Lallement, C. ; Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Anghel, L. ; Dang, T. ; Leveugle, R.
Dans : IEEE Transactions on Circuits and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187137

Self Heating modeling of Si Ge Heterojunction Bipolar Transistor
Sulima, Pierre Yvan ; Battaglia, Jean-Luc ; Zimmer, Thomas
Dans : International Communications in Heat and Mass Transfer
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187266

Integration of remote lab exercises into standard course packages
Zimmer, Thomas ; Billaud, M. ; Geoffroy, Didier
Dans : International Journal of Online Engineering (iJOE)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00211709

2006


Thin film SOI HBT: A study of the effect of substrate bias on the electrical characteristics
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181972

A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit design - Part II:Experimental results
Fregonese, Sébastien ; Lehmann, S. ; Zimmer, Thomas ; Schroter, M. ; Celi, D. ; Ardouin, Bertrand ; Beckrich, Helene ; Brenner, P. ; Kraus, W.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181970

A compact model for SiGe HBT on thin film SOI
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181969

Cyberchip pour l'étude à distance des circuits integrés
Geoffroy, Didier ; Zimmer, Thomas ; Billaud, Michel
Dans : Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00211718

Improvement of Aging Simulation of Electronic Circuits Using Behavioral Modeling
Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Bestory, Corinne ; Levi, Herve ; Danto, Yves
Dans : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181801

A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit design - Part I: model formulation
Schroter, M. ; Lehmann, S. ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181971

A remote laboratory for electrical engineering education
Zimmer, T. ; Billaud, M. ; Geoffroy, D.
Dans : International Journal of Online Engineering (iJOE)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327439

2005


A Scalable Substrate Network for HBT Compact Modeling
Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181973

An Analog Circuit Fault Characterization Methodology
Maidon, Yvan ; Zimmer, Thomas ; Ivanov, I.
Dans : Journal of Electronic Testing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203965

Two dimensional DC simulation methodology for InP/GaAs0.51Sb0.49/InP heterojunction bipolar transistor
Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183087

2004


Reliability of Low-Cost PCB Interconnections for Telecommunication Applications
Duchamp, Geneviève ; Verdier, Frédéric ; Deshayes, Yannick ; Marc, François ; Ousten, Yves ; Danto, Yves
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181802

Obtaining Isothermal Data for HBT
Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Baureis, P. ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181975

On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise
Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Zimmer, Thomas
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183089

Low frequency noise as a reliability diagnostic tool in compound semiconductor transistors
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183088

Representation of the SiGe HBT's Thermal Impedance by Linear and Recursive Networks
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181976

Analysis and modeling of the self-heating effect in SiGe HBTs
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : European Physical Journal: Applied Physics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181974

2003


High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bove, Philippe ; Lareche, H.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183091

1/f noise analysis of InP/InGaAs DHBTs submitted to bias and thermal stresses
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, M. ; Godin, Jean
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183090

Ageing simulation of MOSFET circuit using a VHDL-AMS behavioural modelling: An experimental case study
Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Danto, Yves
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181803

2002


Instrumentation virtuelle sur le World Wide Web pour faire des mesures réelles
Kadionik, Patrice ; Zimmer, Thomas ; Danto, Yves
Dans : Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183053

Contribution to ageing simulation of complex analogue circuit using VHDL-AMS behavioural modelling language
Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Lewis, Noëlle ; Danto, Yves
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181804

2001


Experimental procedure for the evaluation of GaAs-based HBT's reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Benchimol, Jean-Louis ; Riet, Muriel
Dans : Microelectronics Journal
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183093

1999


Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183094

1998


Multiple fault diagnosis in analogue circuits using time domain response features and multilayer perceptrons
Ogg, S. ; Lesage, S. ; Jervis, B.W. ; Maidon, Y. ; Zimmer, T.
Dans : IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721401

Method for BJT transit time evaluation
Zimmer, T. ; Duluc, J.B. ; Lewis, N.
Dans : Electronics Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721403

1997


Ultrasonic images interpretation improvement for microassembling technologies characterization
Bechou, L. ; Tregon, B. ; Ousten, Y. ; Marc, F. ; Danto, Y. ; Kertesz, Ph. ; Even, R.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00164920

Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization
Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Cova, Paolo ; Fantini, Fausto
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183095

Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183096

1996


A wafer level reliability method for short-loop processing
Duluc, J.B. ; Zimmer, T. ; Milet, N. ; Dom, J.P.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721400

Analysis of the surface base current drift in GaAs HBT's
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183097

1995


A general methodology using an electron beam tester applied to failure localization inside a logic integrated circuit
Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Barre, M. ; Danto, Yves
Dans : Microelectronic Engineering
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181885

LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journal de Physique III
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183098

1994


Functionnal localization in integrated circuits by Signal Selective Voltage Contrast in a scanning electron microscope
Marc, François ; Frémont, Hélène ; Jounet, Paul ; Danto, Yves ; Barré, Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00326620

Quick and exhaustive descrambling methodology for high density static random access memories using voltage contrast
Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Danto, Yves
Dans : Microelectronic Engineering
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181886

1992


Kink effect in HEMT structures: A trap-related semi-quantitative model and an empirical approach for spice simulation
Zimmer, T. ; Ouro Bodi, D. ; Dumas, J.M. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Danto, Y.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721397

1991


Simple determination of BJT extrinsic base resistance
Zimmer, T. ; Meresse, A. ; Cazenave, Ph. ; Dom, J.P.
Dans : Electronics Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721394
Communications avec actes (nationales) → 84 Voir

2015


Monocristaux de semiconducteurs organiques : le premier transistor bipolaire organique et d’autres applications en MEMS organiques
Pereira, Marco ; Ayela, Cédric ; Fregonese, Sebastien ; Bachevillier, Stéphane ; Hirsch, Lionel ; Crosby, Alfred ; Briseno, Alejandro ; Wantz, Guillaume
Dans : SPIC 2015 : Science et Technologie des Systèmes pi-Conjugués, Angers (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01228631

Caractérisation et modélisation d’une nouvelle technologie de synthétiseur d’impédances automatiques coaxial 3,5mm à fort TOS
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : 19èmes Journées Nationales Microondes, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158220

2009


Etude d'un synthétiseur de fréquence fractionnaire large bande à éléments à retard contrôlable
Lucas De Peslouan, Pierre-Olivier ; Majek, Cédric ; Taris, Thierry ; Deval, Yann ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, Lyon (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00380888

Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control
Romanjek, K. ; Augendre, E. ; Van Den Daele, W. ; Grandchamp, B. ; Sanchez, L. ; Le Royer, C. ; Hertmann, J.-M. ; Ghyselen, B. ; Guiot, E. ; Bourdelle, K. ; Cristoloveanu, S. ; Boulanger, F. ; Clavelier, L.
Dans : International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS),, Cambridge (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00603830

2007


Synthétiseur de fréquence reconfigurable [900 MHz - 5,8 GHz] totalement intégrable en technologie CMOS SOI 130nm
Majek, Cédric ; Deval, Yann ; Lapuyade, Herve ; Taris, Thierry ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : Journées Nationales Micro-ondes 2007, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00178334

2006


Multi-level Modeling of hot carrier injection for reliability simulation using VHDL-AMS
Bestory, Corinne ; Marc, François ; Levi, Herve ; Danto, Yves
Dans : Forum on Specification and Design Languages, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181895

La simulation de l'usure des circuits intégrés analogique : prise en compte de l'interaction fonction, profil de misssion, circuit
Marc, François ; Bestory, Corinne ; Levi, Herve ; Danto, Yves
Dans : ANADEF2006, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181894

2005


Investigation of fully- and partially-depleted self-aligned SiGeC HBTs on thin film SOI
Avenier, Gregory ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Lenoble, Damien ; Saguin, Fabienne ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Chantre, A.
Dans : European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2005, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181981

A self-aligned vertical HBT for thin SOI SiGeC BiCMOS
Avenier, Gregory ; Schwartzmann, Thierry ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Rubaldo, Laurent ; Dutartre, Didier ; Boissonnet, L. ; Saguin, Fabienne ; Pantel, Roland ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, A.
Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181977

Bipolar Transistor Temperature Modeling
Beckrich, Helene ; Celi, D. ; Berger, Dominique ; Sulima, Pierre-Yvan ; Zimmer, Thomas
Dans : MIXDES, Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203966

The Cyberchip for analogue integrated circuit design teaching
Billaud, M. ; Zimmer, Thomas ; Geoffroy, Didier
Dans : 16th EAEEIE Annual Conference on Innovation in Education for Electrical and Information Engineering, (Finland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203967

Study of Degradations in PCB Interconnections for High Frequency Applications
Duchamp, Geneviève ; Verdier, Frédéric ; Levrier, Bruno ; Marc, François ; Ousten, Yves ; Danto, Yves
Dans : IPFA 2005, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181898

Base-collector junction charge investigation of Si/SiGe HBT on thin film SOI
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2005, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181980

A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181979

A GaAsSb/InP HBT circuit technology
Godin, Jean ; Riet, Muriel ; Konczykowska, A. ; Berdaguer, P. ; Kahn, M. ; Bove, Philippe ; Lareche, H. ; Langer, R. ; Lijadi, Mélania ; Pardo, F. ; Bardou, N. ; Pelouard, Jean-Luc ; Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bru-Chevallier, Catherine ; Chouaib, H. ; Benyattou, T.
Dans : Conference GaAs 2005, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183099

Improvement of ageing simulation of electronic circuits based on behavioural modelling
Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Bestory, Corinne ; Levi, Herve ; Danto, Yves
Dans : IPFA 2005, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181897

First steps toward ageing simulation of complex analogue circuits with behaioural modelling
Marc, François ; Danto, Yves
Dans : International Reliability Workshop 2005 (IRW2005), (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181896

A Transient Measurement Setup for Electro-thermal Characterisation for SiGe HBTs
Sulima, Pierre-Yvan ; Zimmer, Thomas ; Beckrich, Helene ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien ; Celi, D.
Dans : MIXDES, Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181978

2004


An eLab platform for electrical engineers education
Billaud, M. ; Geoffroy, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : ICEE International Conference on Engineering Education, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203968

Scalable Substrate Modeling based on 3D Physical Simulation Substrat
Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : XIX Conference on Design of Circuits and Integrated Systems - DCIS, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181985

Scalable Bipolar Transistor Modelling with HICUM
Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
Dans : IEEE Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181984

Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase
Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181982

Simulation Physique des mécanismes de recombinaisons d'un TBH InP/GaAsSb/InP
Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, La Grande Motte (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401365

A 2-6 GHz CMOS Factorial Delay Locked Loop Dedicated to Multi-Standard Frequency Synthesis
Majek, Cédric ; Deltimple, Nathalie ; Lapuyade, Hervé ; Begueret, Jean-Baptiste ; Kerherve, Eric ; Deval, Yann
Dans : Prooceedings of the IEEE International Symposium on Industrial Electronics ISIE2004, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183197

InP/GaAsSb/InP DHBT: Analysis of specific material parameters and high current effect by physical simulation
Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, M. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
Dans : Conference GAAS 2004, (Netherlands)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183102

InP based HBT reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, M. ; Godin, Jean
Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183101

Analysis of avalanche regime in InP HBT's using physical simulation - Implementation in a DC Model
Maneux, Cristell ; MARTIN, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, M. ; Godin, Jean
Dans : International Conference on Industrial Technology, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183100

InP/InGaAs/InP DHBT submitted to bias and thermal stresses: LF base noise analysis
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : SPIE Fluctuation and Noise Conference, (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183103

Representation of the SiGe HBT's Thermal Impedance by Linear and Recursive Networks
Mnif, Hassene ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IFAC - FDA04, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181983

CMOS transistor electrical ageing experiments to build VHDL-AMS behavioral models
Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Danto, Yves
Dans : IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2004, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181900

A CMOS Analogue Function VHDL-AMS Behavioral Ageing Model
Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Bestory, Corinne ; Danto, Yves
Dans : IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE) 2004, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181899

2003


Limitations des performances du TBH InP/GaAsSb/InP à forts niveaux d'injection
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183471

Analyse de la dégradation des performances des TBH InP/GaAsSb/InP aux forts niveaux de courant
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, M. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
Dans : Journées Nationales Microondes 2003, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183467

The Factorial DLL : Application to a 5 GHz Frequency Synthesizer
Deltimple, Nathalie ; Majek, Cédric ; Lapuyade, Hervé ; Begueret, Jean-Baptiste ; Kerherve, Eric ; Deval, Yann
Dans : IEEE Proceedings of Design of Ciruicts and Integrated Systems (DCIS2003), (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183235

Synthétiseur de Fréquence à base de DLL Factorisée pour application HiperLAN
Deltimple, Nathalie ; Majek, Cédric ; Lapuyade, Hervé ; Begueret, Jean-Baptiste ; Kerherve, Eric ; Deval, Yann
Dans : Actes du colloque TELECOM 2003 & 3èmes JFMMA, (Morocco)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183234

The Factorial DLL : Application to a 5 GHz Frequency Synthesizer
Deltimple, Nathalie ; Majek, Cédric ; Lapuyade, Hervé ; Begueret, Jean-Baptiste ; Kerherve, Eric ; Deval, Yann
Dans : IEEE Proceedings of Design of Ciruicts and Integrated Systems (DCIS2003), (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183219

Synthétiseur de Fréquence à base de DLL Factorisée pour application HiperLAN
Deltimple, Nathalie ; Majek, Cédric ; Lapuyade, Hervé ; Begueret, Jean-Baptiste ; Kerherve, Eric ; Deval, Yann
Dans : Actes du colloque TELECOM 2003 & 3èmes JFMMA, (Morocco)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183218

Modèles de dégradation des TBH sur substrat InP
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées électroniques du CLUB EEA et du RTP 31 : Fiabilité des Composants et Packaging, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183472

Reliability simulation of electronic circuits with VHDL- AMS
Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
Dans : Forum on Specification and Design Languages - FDL'03, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181903

Modélisation comportementale et fiabilité des systèmes
Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
Dans : Journées électroniques du Club EEA : La fiabilité de microélectronique et microtechnologies, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181902

Fiabilité du TBH sur InP - Analyse du Bruit aux Basses Fréquences
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, M. ; Godin, Jean
Dans : Journées Nationales Microondes - JNM, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183470

Extrinsic leakage current on InP/InGaAs DHBTs
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, M. ; Godin, Jean
Dans : 2003 IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183469

Analyse des courants de fuite extrinsèques des HBTs InP/InGaAs
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, M. ; Godin, Jean
Dans : Journées Scientifiques Francophones Electronique, Télécoms et Informatique, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183468

Modélisation thermique des TBH SiGe destinés à des applications radiofréquences
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : Conférence Internationale Sciences Electroniques, Technologies de l'Information et des Télécommunications, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181988

Bipolar modeling and selfheating: An Equivalent Network representation For The Thermal Spreading Impedance In SiGe HBTs
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : 10th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181987

Analytical model for the self-heating effect in SiGe HBTs and its network representationAnalytical model for the self-heating effect in SiGe HBTs and its network representation
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : IEEE International Conference on Signals, Systems, Decision and Information Technology, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181986

Modèle Comportemental VHDL-AMS d'un Amplificateur CMOS à Transconductance: Application à la conception de filtres
Mongellaz, Benoit ; Schmitt, A. ; Lewis, Noëlle ; Marc, François ; Danto, Yves
Dans : SETIT 2003, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181901

2002


Fiabilité du TBH à double hétérojonction sur InP : Résultats préliminaires
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, M. ; Godin, Jean
Dans : Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique 2002, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183473

Modeling the self-heating effect in SiGe HBTs
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Ardouin, Bertrand
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203970

A new approach for modelling the thermal behaviour of bipolar transistors
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Ardouin, Bertrand ; Berger, Dominique ; Celi, D.
Dans : IEEE International Caracas Conference on devices, circuits ans systems, (Venezuela)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203969

2001


Transit Time Parameter Extraction for the HICUM Bipolar Compact Model
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas ; Berger, Dominique ; Celi, D. ; Mnif, Hassene ; Burdeau, T. ; Fouillat, Pascal
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203974

Direct Method for Bipolar Base-Emitter and Base-Collector Capacitance Splitting using High Frequency Measurements
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Fouillat, Pascal
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203972

Bipolar Transistor's Intrinsic and Extrinsic Capacitance Determination
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Fouillat, Pascal ; Berger, Dominique ; Celi, D.
Dans : SISPAD 2001, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, (Greece)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203971

VHDL-AMS for mixed technology and mixed signal, an overview
Charlot, Jean Jacques ; Lewis, Noëlle ; Zimmer, Thomas ; Levi, Herve
Dans : 9th Mediterranean Conference on Control and Automation, MED 01, (Croatia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203975

Experimental Evidence of Impact Ionisation in InP HBT's Designed for Rapid Digital Applications:Implementation in a DC Model
Maneux, Cristell ; MARTIN, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Benchimol, Jean-Louis
Dans : ESSDERC, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183474

Transistor model parameter determination with non-conventional optimisation algorithms
Zimmer, Thomas ; Ardouin, Bertrand ; Franze, Francesco ; Berger, Dominique ; Fouillat, Pascal
Dans : IEEE Electron Devices Conference, (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203973

2000


Speaking VHDL-AMS, a Newly Standarized Description Language, for Teaching Mixed Technology and Mixed Signal Systems
Charlot, Jean Jacques ; Oudinot, Jean ; Lewis, Noëlle ; Zimmer, Thomas ; Levi, Herve
Dans : International Conference on Information Technology Based Higher Education and Training, ITHET 2000, (Turkey)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203977

A Systematic Approach for the Behavioural Modelling of Analogue Integrated Systems
Fakhfakh, Ahmed ; Lewis, Noëlle ; Levi, Herve ; Zimmer, Thomas
Dans : International Conference on Artificial and Computational Intelligence For Decision, Control and Automation In Engineering and Industrial Applications, ACIDCA 2000, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203976

RETWINE : A Experience in Teleinstrumentation by the web
Kadionik, Patrice ; Zimmer, Thomas ; Danto, Yves
Dans : COST254: Intelligent Terminals Workshop on friendly Exchanging through the Net, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183061

Genetic Algorithm Optimisation for Evanescent Mode Waveguide Filter Design
Lecouve, Marc ; Jarry, Pierre ; Kerherve, Eric ; Boutheiller, Nicolas ; Marc, François
Dans : 2000 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Emerging Technologies for the 21st Century, (Switzerland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181906

CAD of evanescent mode waveguide filter with genetic algorithm optimization
Lecouve, Marc ; Boutheiller, Nicolas ; Jarry, Pierre ; Kerherve, Eric ; Marc, François
Dans : IEEE Microwaves Symposium 2000, (Morocco)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181905

Algorithme génétique adapté à la conception d'un filtre en guide d'ondes à modes évanescents
Lecouve, Marc ; Boutheiller, Nicolas ; Jarry, Pierre ; Kerherve, Eric ; Marc, François
Dans : NUMELEC'2000, Conférence Européenne sur les Méthodes Numériques en Electromagnétisme, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181904

1999


Using VHDL-AMS to build a specific analogue behavioural model library
Lewis, Noëlle ; Charlot, Jean Jacques ; Levi, Herve ; Zimmer, Thomas ; Laflaquiere, Arnaud
Dans : International Forum on Design Languages, FDL 99, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203980

Comparing four analog HDL modelings and simulations of a complex system
Lewis, Noëlle ; Charlot, Jean Jacques ; Zimmer, Thomas ; Levi, Herve ; Laflaquiere, Arnaud
Dans : IEEE/ACM International Workshop on Behavioral Modeling And Simulation, BMAS 99, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203978

Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : IEEE GaAs Reliability Workshop, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183476

TBH GaInP/GaAs planar : Analyse de deux mécanismes de défaillances
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : Journées Nationales Microélectroniques et optoélectroniques, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183479

Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183478

Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183477

Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology
Maneux, Cristell ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : State-Of-The-Art Program on compound Semiconductros XXX, Ed. Electrochem. Soc, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183475

Hierarchical Analogue Design and Behavioral Modelling
Zimmer, Thomas ; Lewis, Noëlle ; Fakhfakh, Ahmed ; Ardouin, Bertrand ; Levi, Herve ; Fouillat, Pascal
Dans : Microelectronic Systems Education Conference, MSE99, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203979

1998


Evolution of base current in C-In doped GaInP/GaAs HBT under current induced stress
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : European Solid State Device Research Conference (Ed. Frontières), ESSDERC, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183480

1997


Ultrasonic images interpretation improvement for microassembling technologies characterization
Bechou, Laurent ; Ousten, Yves ; Tregon, Bernard ; Marc, François ; Danto, Yves ; Kertesz, Philippe
Dans : ESREF 97, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181907

Instrumentation virtuelle sur le World Wide Web pour faire des mesures réelles
Kadionik, Patrice ; Zimmer, Thomas ; Danto, Yves
Dans : CETSIS: Colloque sur l Enseignement des Technologies et des Sciences de l Information et des Systèmes, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183007

Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'97, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183483

Evaluation de la fiabilité du TBH GaAs : justification d'un protocole expérimental spécifique
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journée TBH dans le cadre des Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183482

Analysis of GaAs HBT failure mechanisms : impact on the life testing strategy
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : International Symposium on the Physical and Failure Analysis of integrated circuits, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183481

1996


Caractérisation d'un dysfonctionnement du HEMT et impact sur une application système
Saysset, Nathalie ; Dumas, Jean-Michel ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : 5ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183484

1995


Quality evaluation of S-HEMTs and PM-HEMTs by drain current transients and L.F. channel noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'95, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183486

Comparison of 1/f noise sources in single-well and pseudomorphic HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF'95,, (Lithuania)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183485

1994


Les besoins du test interne pour la localisation de défauts
Marc, François
Dans : S.E.E. Cercle thématique 21-70 - Localisation des défauts sur circuits intégrés, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181908

Quality evaluation of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs by LF excess noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'94, (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183489

Comparaison de HEMTs AlGaAs/GaAs et AlGaAs/InGaAs par l'analyse du bruit basses fréquences
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183488

Analyse technologique de composants GaAs : méthodologie - complémentarité avec la caractérisation électrique
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Danto, Yves
Dans : 4ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183487

1993


approach of integrated circuits failure location by voltage contrast in a scanning electron microscope
Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Danto, Yves ; Barre, M. ; Nouet, C.
Dans : ESREF, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181909
Communications avec actes (internationales) → 118 Voir

2018


Impact of on-Silicon De-Embedding Test Structures and RF Probes Design in the Sub-THz Range
Yadav, Chandan ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
Dans : 2018 48th European Microwave Conference (EuMC), Madrid (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985501

Importance of complete characterization setup on on-wafer TRL calibration in sub-THz range
Yadav, Chandan ; DENG, Marina ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01838050

2017


Extracting the temperature dependence of thermal resistance from temperature-controlled DC measurements of sige HBTs
Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Berkner, Jorg ; Céli, Didier
Dans : 2017 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Miami (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695326

Design of Silicon On-Wafer Sub-THz Calibration Kit
DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Céli, Didier ; Chevalier, Pascal ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : 2017 Mediterranean Microwave Symposium (MMS), Marseille (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985481

Class-J Power Amplifier for 5G Applications in 28nm CMOS FD-SOI Technology
Hanna, Tony ; Deltimple, Nathalie ; Fregonese, Sebastien
Dans : SBCCI 2017, Fortaleza (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01618189

Avalanche compact model featuring SiGe HBTs characteristics up to BVcbo
Jaoul, Mathieu ; Céli, Didier ; Maneux, Cristell ; Schroter, Michael ; Pawlak, Andreas
Dans : ESSDERC 2017 - 47th IEEE European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Leuven (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695262

1/f Noise in 3D vertical gate-all-around junction-less silicon nanowire transistors
Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Pezard, Julien ; Larrieu, Guilhem
Dans : 47th IEEE European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2017), Leuven (Belgium)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695259

2016


Physics-based electrical compact model for monolayer Graphene FETs
Aguirre-Morales, Jorge Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Wei, Wei ; Happy, Henri
Dans : Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2016 46th European, Lausanne (Switzerland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399868

An improved scalable self-consistent iterative model for thermal resistance in SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; Chakravorty, Anjan ; Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2016 IEEE, New Brunswick (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399878

Dedicated test-structures for investigation of the thermal impact of the BEOL in advanced SiGe HBTs in time and frequency domain
D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chakravorty, Anjan
Dans : 2016 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Yokohama (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399905

Comprehensive study of random telegraph noise in base and collector of advanced SiGe HBT: Bias, geometry and trap locations
Mukherjee, C. ; Jacquet, T. ; Zimmer, T. ; Maneux, C. ; Chakravorty, A. ; Boeck, J. ; AUFINGER, K.
Dans : ESSDERC 2016 - 46th European Solid-State Device Research Conference, Lausanne (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695274

Modelling delay degradation due to NBTI in FPGA Look-up tables
Naouss, Mohammad ; MARC, François
Dans : 26th International Conference on Field Programmable Logic and Applications (FPL 2016) , Lausanne (Switzerland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01661828

A Test Structure Set for on-wafer 3D-TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 2016 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Yokohama (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399900

Meander type transmission line design for on-wafer TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Deng, Marina ; Raya, C ; Ardouin, Bertrand ; Aufinger, Klaus ; Ayela, Cédric ; Dematos, Magalie ; Curutchet, Arnaud ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : EuMW 2016, Londres (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01301312

Advanced Si/SiGe HBT architecture for 28-nm FD-SOI BiCMOS
Vu, Tuan Van ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Chevalier, Pascal
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2016 IEEE, New Brunswick (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399885

TCAD Calibration of High-Speed Si/SiGe HBTs in 55-nm BiCMOS
VU, T. ; Celi, D. ; Zimmer, T. ; Fregonese, S. ; Chevalier, P.
Dans : PriMe 2016, Honolulu (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399104

2015


A new physics-based compact model for Bilayer Graphene Field-Effect Transistors
Aguirre-Morales, Jorgue Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235950

Towards amplifier design with a SiC graphene field-effect transistor
Aguirre-Morales, Jorgue Daniel ; Frégonèse, Sébastien ; Dwivedi, Arun Dev Dhar ; Zimmer, Thomas
Dans : Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on, Bologna (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158691

Efficient modeling of static self-heating and thermal-coupling in multi-finger SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; Chakravorty, Anjan ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting-BCTM, 2015 IEEE, Boston (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399911

Early Demonstration of a High VSWR Microwave Coaxial Programmable Impedance Tuner with Coaxial Slugs
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potereau, Manuel ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerherve, Eric ; Thomas, Zimmer
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163596

Characterization and modeling of low-frequency noise in CVD-grown graphene FETs
Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorgue-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Wei, Wei
Dans : proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235951

New 3D-TRL structures for on-wafer calibration for high frequency S-parameter measurement
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163593

Calibration of 1D doping profiles of SiGe HBTs
Rosenbaum, T. ; Saxod, O. ; Vu, V. ; Celi, D. ; Chevalier, P. ; Schroter, M. ; Maneux, C.
Dans : 2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, Boston (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695279

Impact study of the process thermal budget of advanced CMOS nodes on SiGe HBT performance
Vu, Tuan Van ; Rosenbaum, Tommy ; Saxod, O. ; Céli, Didier ; Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Chevalier, Pascal
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting-BCTM, 2015 IEEE, Boston (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399915

2014


Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature Variation
Chhandak, Mukherjee ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Happy, H. ; MELE, David ; Maneux, Cristell
Dans : Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, 44th European, Venise (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090864

A study on transient intra-device thermal coupling in multifinger SiGe HBTs
D'Esposito, Rosario ; Weiß, Mario ; Kumar Sahoo, Amit ; Frégonèse, Sébastien ; T., Zimmer
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2014 IEEE, Coronado, CA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158666

Evaluation and Modeling of Voltage Stress-Induced Hot Carrier Effects in High-Speed SiGe HBTs
Sasso, G. ; C., Maneux ; Boeck, J. ; D'Alessandro, V. ; AUFINGER, K. ; Rinaldi, N. ; Zimmer, T.
Dans : Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICs), 2014 IEEE, La Jolla (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01134190

Extraction Procedure for Emitter Series Resistance Contributions in SiGeC BiCMOS Technologies
Stein, F. ; Huszka, Z. ; Derrier, N. ; Maneux, C. ; Celi, D.
Dans : IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987233

Evaluation Plan of a network of remote labs in the Maghrebian countries
Tsiatsos, T. ; Douka, S. ; Zimmer, T. ; Geoffroy, D.
Dans : Conference REV 2014, porto (Portugal)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002476

2013


Simultaneous gene selection and cancer classification using a hybrid Group Search Optimizer
Magatrao, D. ; Ghosh, S. ; Valadi, J. ; Siarry, P.
Dans : Genetic and Evolutionary Computation Conference GECCO 2013, Abstract (2 pages), Amsterdam, the (Netherlands)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01682060

High frequency noise characterisation of graphene FET Device
MELE, D. ; Fregonese, S. ; Lepilliet, S. ; Pichonat, E. ; Dambrine, G. ; Happy, H.
Dans : 61st IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2013, Seattle, WA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00944030

Limitations of on-wafer calibration and de-embedding methods in the sub-THz range
Potereau, M. ; Raya, C. ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Curutchet, Arnaud ; Zhang, M. ; Ardouin, B. ; Zimmer, Thomas
Dans : ECC 2013 conference, Sanya (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909399

Impact of Back-end-of-line on Thermal Impedance in SiGe HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sébastien ; Weib, Mario ; Santorelli, Marco ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : SISPAD 2013, Glasgow - Ecosse (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906141

A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905673

Robustness of the Base Resistance Extraction Method for SiGe HBT Devices
Stein, F. ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Derrier, N. ; Chevalier, P.
Dans : ISCDG 2013, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905789

Advanced Extraction Procedure for Parasitic Collector Series Resistance Contributions in High-Speed BiCMOS Technologies
Stein, F. ; Derrier, N. ; Maneux, Cristell ; Celi, Didier
Dans : IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905747

Investigation of the Base Resistance Contributions in SiGe HBT Devices
Stein, F. ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Derrier, N. ; Chevalier, P.
Dans : CAS 2013, Bucarest (Romania)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905654

Modeling of mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : SBMicro 2013, Curitiba (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905817

Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs
Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Raya, Cristian ; Santorelli, Marco ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : EDSSC 2013, Hong Kong (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905765

Mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
Weiß, M. ; Sahoo, A.K. ; Maneux, C. ; Fregonese, S. ; Zimmer, T.
Dans : Chip in Curitiba 2013 - SBMicro 2013: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Curitiba (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978734

eSience: Setting up a network of remote labs in the Maghrebian countries
Zimmer, T. ; Geoffroy, D. ; Pester, A. ; Oros, R. ; Tsiatsos, T. ; Douka, S.
Dans : iCEER International Conference on Engineering Education and Research, (Morocco)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002470

The potential of graphene for electronics
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell
Dans : The International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices 2013, Hammamet (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905774

2012


Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests
A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Maher, H.
Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2012, santa barbara (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002159

Efficient Models for Non-Quasi-Static Effects and Correlated Noise in SiGe HBTs,
Augustine, N. ; Kumar, K. ; Chakravorty, A. ; Bhattacharyya, A. ; Zimmer, T.
Dans : Electron Devices and Solid State Circuit (EDSSC), bangkok (Thailand)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002184

On partial differential equations that exhibit fractional behaviors
Sabatier, Jocelyn ; Nguyen, H.C. ; Moreau, Xavier ; Oustaloup, Alain
Dans : 7th Vienna International Conference on Mathematical Modelling, Vienne (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00797594

Characterization of Mutual Heating inside a SiGe Ring Oscillator
Weiß, M. ; Ghosh, S. ; Santorelli, M. ; Chevalier, P. ; Chantre, A. ; Kumar Sahoo, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2012 IEEE, Portland (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002179

Pulsed I(V) - Pulsed RF Measurement System for Microwave Device Characterization with 80ns/45GHz
Weiß, M. ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, M. ; Kumar Sahoo, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002174

2011


Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT on Accelerated Aging Tests under Thermal and Electrical stresses
A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002459

FPGA design with double-gate carbon nanotube transistors
Ben Jamma, Haykel ; Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Fregonese, Sebastien ; De Marchi, Michele ; De Micheli, Giovanni ; Zimmer, Thomas ; Clermidy, Fabien ; O'Connor, Ian
Dans : 10th China Semiconductor Technology International Conference 2011, CSTIC 2011, Shanghai (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669403

Modeling of SiGe spike mono emitter HBT with HICUM in static and dynamic operations
Bhattacharyya, Arkaprava ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2011 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, Atlanta (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669452

Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design
Ghosh, S. ; Grandchamp, B. ; A. Koné, G. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Y. Dupuy, J. ; Godin, J.
Dans : 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002192

System Level Analysis and Accurate Prediction of Electromigration
Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
Dans : European Workshop on CMOS Variability (VARI), Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674319

Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/GaAsSb DHBT
Kone, Gilles Amadou ; Ghosh, S. ; Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Maher, H. ; Bourqui, M.L. ; Smith, D.
Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011), Berlin (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585590

A new frequency synthesizer stabilization method based on a mixed phase locked loop and delay locked loop
Lucas De Peslouan, Pierre-Olivier ; Majek, Cédric ; Taris, Thierry ; Deval, Yann ; Begueret, Jean-Baptiste ; Belot, Didier
Dans : IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Rio de Janeiro (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00583970

A 300 GHz InP/GaAsSb/InP HBT for high data rate applications
Maher, H. ; Delmouly, V. ; ROUCHY, U. ; Renvoise, M. ; Frijlink, P. ; Smith, D. ; Zaknoune, M. ; Ducatteau, D. ; Avramovic, V. ; Scavennec, A. ; Godin, J. ; Riet, M. ; Maneux, C. ; Ardouin, B.
Dans : Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Berlin (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671674

Carbon-based Schottky barrier transistor: From compact modeling to digital circuit applications
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, Nouri
Dans : 6th International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, DTIS'11, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669416

Transistor thermal fractional modeling for junction temperature estimation
Sabatier, Jocelyn ; Farges, Christophe ; Nguyen, H.C. ; Moreau, Xavier ; Delétage, Jean-Yves
Dans : IFAC, Milan (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00668926

Electro-thermal dynamic simulation and thermal spreading impedance modeling of Si-Ge HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, ATLANTA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669443

Electro-thermal characterization of Si-Ge HBTs with pulse measurement and transient simulation
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 41st European Solid-State Device Research Conference, Helsinki (Finland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669428

2010


TCAD simulation and development within the European DOTFIVE project on 500GHz SiGe:C HBT's
Al-Sa'Di, Mahmoud ; D'Alessandro, V. ; Fregonese, Sebastien ; Hong, S.M. ; Jungemann, C. ; Maneux, Cristell ; Marano, I. ; Pakfar, A. ; Rinaldi, N. ; Sasso, G. ; Schröter, M. ; Sibaja-Hernandez, A. ; Tavernier, C. ; Wedel, G.
Dans : European Microwave Week 2010: Connecting the World, EuMIC 2010, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584869

Modeling of a novel NPN-SiGe-HBT device structure using strain engineering technology in the collector region for enhanced electrical performance
Al-Sa'Di, Mahmoud ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584860

Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement through Employing Si3N4 Strain in the Collector Region
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 218th ECS Meeting, Las Vegas (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00526042

TCAD Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement Through Extrinsic Stress Layer
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00488682

From nanoscale technology scenarios to compact device models for ambipolar devices
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems (ICECS), Athènes (Greece)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00589113

A compact model for double gate carbon nanotube FET
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : ESSDERC 2010, Séville (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584874

Thermal aging model of InP/InGaAs/InP DHBT
Ghosh, S. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Grandchamp, B. ; A. Koné, G. ; Zimmer, T.
Dans : Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, gaeta (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002465

Benchmarking of HBT Models for InP Based DHBT Modeling
Ghosh, S. ; Zimmer, T. ; Ardouin, B. ; Maneux, C. ; Frégonèse, S. ; Marc, F. ; Grandchamp, B. ; Koné, G.A.
Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00488687

Predicting Lifetime using power consumption from 'Wattch'
Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
Dans : 6th International Summer School on Adv. Computer Arch. and Compilation for Embedded Systems, ACACES, Terrassa (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674317

Reliability Aware ArchC based Processor Simulator
Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
Dans : IEEE Int. Integrated Reliability Workshop Final Report (IRW), lake Tahoe (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674316

High Level Power and Energy Exploration Using ArchC
Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
Dans : 22nd Int Computer Architecture and High Performance Computing (SBAC-PAD) Symp, Rio de Janeiro (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674311

Optically-Gated CNTFET compact model including source and drain Schottky barrier
Liao, Si-Yu ; Najari, Montassar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, H. ; Masmoudi, N.
Dans : 5th Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Hammamet (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584845

Low Power and High Gain Double-Balanced Mixer dedicated to 77 GHz Automotive Radar Applications
Mariano, André ; Taris, Thierry ; Leite, Bernardo ; Majek, Cédric ; Deval, Yann ; Kerherve, Eric ; Begueret, Jean-Baptiste ; Belot, Didier
Dans : ESSCIRC 2010, (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00498733

A Low Power and High Gain Double-Balanced Active Mixer with Integrated Transformer-Based Baluns dedicated to 77 GHz Automotive Radar Applications
Mariano, André ; Leite, Bernardo ; Majek, Cédric ; Taris, Thierry ; Deval, Yann ; Begueret, Jean-Baptiste ; Belot, Didier
Dans : newcas2010, (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00476797

Accurate Multi-bit Feedback DAC Dedicated to High-speed Continuous-time DS Converters
Mariano, André ; Majek, Cédric ; Dallet, Dominique ; Begueret, Jean-Baptiste ; Deval, Yann
Dans : Latin American Symposium on Circuits and Systems, Iguaçu Falls (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00448816

On the Use of Body Biasing to Control Gain, Linearity, and Noise Figure of a mm-Wave CMOS LNA
Rashtian, Hooman ; Majek, Cédric ; Mirabbasi, Shahriar ; Taris, Thierry ; Deval, Yann ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : NEWCASTAISA, MONTREAL (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00840675

Electrical simulation of learning stage in OG-CNTFET based neural crossbar
Retrouvey, J.M. ; Klein, Jacques-Olivier ; Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell
Dans : 5th Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671681

2009


Investigation of High Frequency coupling between Probe tips and Wafer surface.
Bazzi, J. ; Raya, C. ; Curutchet, A. ; Zimmer, T.
Dans : IEEE BiCMOS Technology Meeting 2009, (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00400373

A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Semiconductor Device Research Symposium, 2009. ISDRS '09. International, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00450128

Effects of various applications on relative lifetime of processor cores
Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, T. ; Marc, F.
Dans : IRW, Lake Tahoe (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674313

Effects of various applications on relative lifetime of processor cores
Gupta, Tushar ; Héron, Olivier ; Zimmer, Thomas ; Ventroux, Nicolas ; Marc, François ; Bertolini, Clément
Dans : International Integrated Reliability Workshop, South Lake Tahoe (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00499480

Compact modeling of Optically-Gated Carbon NanoTube Field Effect Transistor
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Trends in NanoTechnologies 2009, Barcelonna (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399897

A Digitally Tuned Voltage Controlled Delay Element for 1-10GHz DLL-based Frequency Synthesis
Lucas De Peslouan, Pierre-Olivier ; Majek, Cédric ; Taris, Thierry ; Deval, Yann ; Belot, Didier ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : NEWCAS – TAISA'09, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00380884

60 GHz cascode LNA with interstage matching: performance comparison between 130nm BiCMOS and 65nm CMOS-SOI technologies
Majek, Cédric ; Severino, Raffaele ; Taris, Thierry ; Deval, Yann ; Mariano, André ; Begueret, Jean-Baptiste ; Belot, Didier
Dans : Signals, Circuits & Systems, Jerba (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00418915

Voltage Controlled Delay Line with phase quadrature outputs for [0.9-4] GHz F-DLL dedicated to Zero-IF multi-standard LO
Majek, Cédric ; Lapuyade, Herve ; Deval, Yann ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : 22nd Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (SBCCI), (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00402264

Efficient Physics-Based Compact Schottky Barrier Carbon Nanotube FET
Najari, M. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Mnif, H. ; Masmoudi, N.
Dans : Trends in NanoTechnologies 2009, Barcelonna (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399901

2008


Compact Model of a Dual Gate CNTFET: Description and Circuit Application
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 8th IEEE Conference on Nanotechnology, Arlington, TEXAS, USA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00319955

A Charge Approach for a Compact Model of Dual Gate CNTFET
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Tozeur (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00288046

An E-Learning Experience in Practical Electronics: Technological and Pedagogical Aspects
Lewis, Noelle ; Zimmer, Thomas ; Billaud, Michel ; Geoffroy, Didier
Dans : 5th Congress of Scientific Research Outlook in the Arab World, Fez (Morocco)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327562

Ge Base Profile Engineering in SiGe:C HBTs for Power Amplifier Applications : Influence on Current Gain and Input Impedance over a Wide Range of Temperature
Mans, P.M. ; Jouan, S. ; Brossard, F. ; Comte, Myriam ; Pache, D. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 4th International SiGe Technology and Device Meeting, (Taiwan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327467

Germanium Base Profile Optimization to Improve fT Characteristics at High Injection in RF Power SiGe:C HBTs
Mans, P.M. ; Jouan, S. ; Pakfar, A. ; Fregonese, S. ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 7th IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, Orlando (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327463

Electronic Practical Course via the Web in a Virtual Laboratory
Mnif, Hassene ; Sahnoun, Salwa ; Hdiji, Fatma ; Geoffroy, Didier ; Billaud, Michel ; Lewis, Noelle ; Zimmer, Thomas
Dans : Conference REV 2008, Düsseldorf (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327567

Towards Compact Modelling of Schottky Barrier CNTFET
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, N.
Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00288040

2007


Integration of remote lab exercises into standard course packages
Billaud, M. ; Zimmer, T. ; Geoffroy, D.
Dans : Conference IMCL2007, Amman (Jordan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327559

The Factorial Delay Locked Loop: a solution to fulfill multistandard RF synthesizer requirements
Majek, Cédric ; Deval, Yann ; Lapuyade, Herve ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : PRIME'07 (PhD Research in Microelectronics and Electronics Conference), Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00178327

LF noise analysis of InP/GaAsSb/InP and InP/InGaAs/InP HBTs
Maneux, C. ; Grandchamp, B. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J. ; Bove, Ph.
Dans : 19th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401338

Scalable Approach for External Collector Resistance Calculation
Raya, Christian ; Kauffmann, Nicolas ; Pourchon, Franck ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : ICMTS International Conference on Microelectronic Test Structures, Tokyo (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187269

New Method for Oxide Capacitance Extraction
Raya, Christian ; Schwartzmann, Thierry ; Chevalier, Pascal ; Pourchon, Franck ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187268

2006


Power Transistor Electrical Behavior
Beckrich, Helene ; Ortolland, Sylvie ; Pache, D. ; Céli, Didier ; Gloria, D. ; Zimmer, Thomas
Dans : ICMTS International Conference on Microelectronic Test Structures, Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187276

SiGe HBT design for CMOS compatible SOI
Chantre, Alain ; Avenier, Gregory ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Saguin, Fabienne. ; Maneux, Cristell ; Dutartre, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187273

Prospects for Complementary SiGeC BiCMOS on Thin-Film SOI
Chantre, Alain ; Boissonnet, Laurence ; Avenier, Gregory ; Borot, Gael ; Bouillon, Pierre ; Brossard, Florence ; Chevalier, Pascal ; Deleglise, Florence ; Dutartre, Didier ; Duvernay, Julien ; Fregonese, Sebastien ; Judong, Fabienne ; Pantel, Roland ; Perrotin, Andre ; Rauber, Bruno ; Rubaldo, Laurent ; Saguin, Fabienne ; Schwartzmann, Thierry ; Vandelle, Benoit ; Zimmer, Thomas
Dans : ECS Transactions, Cancun (Mexico)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181206

Analysis of CNTFET physical compact model
Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Cazin D'Honincthun, Hughes ; Galdin-Retailleau, S.
Dans : IEEE Design and Test of integrated Systems In Nanoscale Technology, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181481

Sheet Resistance in BiCMOS Technology
Raya, Christian ; Pourchon, Franck ; Celi, Didier ; Laurens, M. ; Zimmer, Thomas
Dans : International Conference on Microelectronic Test Structures, Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187305

A remote laboratory for electrical engineering education
Zimmer, T. ; Billaud, M. ; Geoffroy, D.
Dans : Conference IMCL2006, Amman (Jordan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327558

2005


Cyberchip for analogue integrated circuit design teaching
Billaud, M. ; Zimmer, T. ; Geoffroy, D.
Dans : 16th EAEEIE Annual Conference on Innovation in Education for Electrical and Information Engineering (EIE), Lappeenranta (Finland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00415676

Disruptive design solutions for frequency generation in silicon RFIC
Deval, Yann ; Mazouffre, Olivier ; Majek, Cédric ; Lapuyade, Herve ; Taris, Thierry ; Begueret, Jean-Baptiste
Dans : IEEE International Workshop on Radio-Frequency Integration Technology: Integrated Circuits for Wideband Communication and Wireless Sensor Networks, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00178633

Evidence of RTS noise in emitter-base periphery of InP/GaAsSb/InP HBT
Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : 20th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401340

2004


A Programmable CMOS RF Frequency Synthesizer for Multi-standard Wireless Applications
Majek, Cédric ; Deltimple, Nathalie ; Lapuyade, Herve ; Begueret, Jean-Baptiste ; Kerherve, Eric ; Deval, Yann
Dans : 2nd annual IEEE Northeast Workshop on Circuits and Systems (NEWCAS2004), Montréal, Québec (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00180789

2002


HICUM Parameter Extraction Methodology for a Single Transistor Geometry
Berger, Dominique ; Céli, Didier ; Schröter, Michael ; Malorny, M. ; Zimmer, Thomas ; Ardouin, Bertrand
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, Monterey (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187309

2000


Use of Genetic Algorithm for Efficient Integrated Circuits Compact Modelling and Parameter Extraction
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas ; Batiste Duluc, Jean ; Marc, Francois ; Fouillat, Pascal
Dans : ACIDCA'2000, Monastir (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189377

Model parameter extraction with non-conventional optimisation algorithms
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas ; Franzè, F. ; Fouillat, Pascal
Dans : JSFT, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187311

1999


RETWINE : A new distributed Environment for Microelectronics Intrumentation Learning and Measurement
Kadionik, Patrice ; Zimmer, Thomas ; Danto, Yves
Dans : IMTC: IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, Venice (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183034

1998


A distributed environment in Microelectronics Instrumentation Learning
Kadionik, Patrice ; Zimmer, Thomas ; Danto, Yves
Dans : EAEEIE: European Association for Education in Electrical and Information Engineering Conference, Lisboa (Portugal)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183035

BJT avalanche breakdown voltage improvement by introduction of a floating P-layer in the epitaxial collector region
Zimmer, Thomas ; N?doye, M. ; Lewis, Noelle ; Batiste Duluc, Jean ; Fremont, Helene ; Paul Dom, Jean
Dans : Symposium on Microelectronic Facturing, Santa Clara (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189380

A new Approach of continuing Education for Engineer : advanced Instruments Training in a telematic Network
Zimmer, Thomas ; Kadionik, Patrice ; Danto, Yves ; Dulau, Laurent
Dans : WCCEE: World Conference on Continuing Engineering Education, Torino (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183039

A Network based training Tool for electrical Engineer's Education
Zimmer, Thomas ; Kadionik, Patrice ; Danto, Yves
Dans : CILT: Conference on broadband Communications in Education and Training, Cambridge (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183038

1997


Fault and Diagnosis on a Successive Approximation ADC
Marc, Francois ; Dallet, Dominique ; Danto, Yves
Dans : IMTC97, Ottawa (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01182421

A World Wide Web based Instrumentation Pool
Zimmer, Thomas ; Kadionik, Patrice ; Danto, Yves
Dans : MSE: IEEE Conference of Microelectronics Systems Education, Arlington (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183005

1992


A fast VLSI SRAM mapping methodology using voltage contrast techniques on SEM
Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF, Schwäbisch-Gmünd (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181911
Communications sans actes → 57 Voir

2018


High Current Impact Ionization Model
Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier ; Schröter, Michael
Dans : HICUM WORKSHOP, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01820049

2017


A Wideband Highly Efficient Class-J Integrated Power Amplifier for 5G Applications
Hanna, Tony ; Deltimple, Nathalie ; Fregonese, Sebastien
Dans : NEWCAS2017, Strasbourg (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01618182

2016


BEOL-investigation on selfheating and SOA of SiGe HBT
D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 28th BipAK 2016, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399956

2015


Nouvelles structures 3D pour calibrage TRL sur puces adaptées à la mesure de paramètres S très hautes fréquences
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM2015), Talence (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163604

2014


Analytical Study of Performances of Bilayer and Monolayer Graphene FETs based on Physical Mechanisms
Aguirre-Morales, J.D. ; Mukherjee, C. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Graphene week, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002504

Statistical Study on the Variation of Device Performance in CVD-grown Graphene FETs
Mukherjee, C. ; Morales, D.A. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Graphene week 2014, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002511

2012


Pulsed I(V) pulsed RF measurement system for microwave device characterization with 80ns/45GHz
Weis, Mario ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, Marco ; Kumar Sahoo, Amit ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012 Proceedings of the European, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978793

2011


On-Si calibration vs ISS calibration
Bazzi, Jad ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, P. ; Zimmer, Thomas
Dans : 24th BipAk, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590786

Investigation of de-embedding procedure up to 110GHz
Bazzi, Jad ; Raya, C. ; Curutchet, Arnaud ; Pourchon, F. ; Derrier, N. ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas
Dans : MOS-AK/GSA Workshop, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590781

NQS modelling with HiCuM: What works, what doesn't
Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 24th BipAk, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590790

NQS effect and implementation in compact transistor model
Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : MOS-AK/GSA Workshop, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590784

Electrical compact modelling of graphene transistors
Fregonese, Sebastien ; Nguyen, Huu-Nha ; Majek, Cédric ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Meng, Nan ; Zimmer, Thomas
Dans : Conference Graphene 2011, Bilbao (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00588825

De la modélisation électrothermique des faisceaux aux MOS intelligents
Nguyen, H.C. ; Sabatier, Jocelyn ; Moreau, Xavier ; Guillemard, Franck ; Bavoux, Bernard
Dans : Groupe de Travail " Automatique et Automobile et Journées d'étude Automatique et Automobile - GTAA - JAA 2011, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00797827

2010


A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
Dans : First EuroGRAPHENE Symposium, Strasbourg (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00588829

2009


Investigation of Electrical BJT Performance through Extrinsic Stress Layer Using TCAD Modeling
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Semiconductor Conference Dresden 2009, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399917

Effects of Power consumption and Temperature on Lifetime Reliability of ArchC based Processor Architecture
Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
Dans : Workshop on Design for Reliability and Variability, Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00499484

Modélisation compacte et transport balistique
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, T.
Dans : ATELIER DU GDR NANOELECTRONIQUE DE LA REALITE ET DE L'INTERET DU TRANSPORT BALISTIQUE DANS LES COMPOSANTS NANOELECTRONIQUES, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399887

Conception fiabilisée pour les circuits à nanodispositifs
Marc, François
Dans : Atelier du GDR Nanoélectronique / SOP-SIC - De la modélisation des nanodispositifs aux circuits innovants, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00499488

Analytical modeling of the tunneling current in schottky barrier carbon nanotube field effect transistor using the verilog-a language
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, Nouri
Dans : ) 2009 6th International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674301

2008


Toward compact model of Optical-Gated Carbon Nanotube Field Effect Transistor (OG-CNTFET)
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00337487

Prévision du vieillissement des composants en utilisation et de l'effet sur l'évolution paramétrique des fonctions analogiques
Marc, François ; Bestory, Corinne ; Lévi, Hervé
Dans : GDR SoC-SiP, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00326618

Approche statistique de la fiabilité : application à la fiabilité des systèmes et aux mécanismes d'usure
Marc, François
Dans : Atelier ANADEF2008, Port d'Albret (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00326601

COMPACT MODELING OF THE SCHOTTKY BARRIER JUNCTION IN THE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Najari, Montassar ; Frégonèse, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hasséne ; Masmoudi, Nouri
Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00337489

Investigation of De-embedding Methods up to 110GHz
Raya, C. ; Celi, D. ; Zimmer, T.
Dans : 8th European HICUM Workshop, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327490

2007


Modèle compact du transistor double grille CNTFET
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées thématiques sur la simulation multiphysique de composants et dispositifs nanométriques, Lille (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197536

Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C pour les applications d'amplification de puissance
Mans, P.M. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Jouan, S.
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctorant en Microélectronique, Lille (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327470

Investigation of Ge content in the BC transition region with respect to transit frequency
Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Pakfar, A. ; Fregonese, Sebastien ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 20th BipAk, Munchen (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189397

A new transit time extraction algorithm based on matrix deembedding techniques
Raya, C. ; Kaufmann, N. ; Celi, D. ; Zimmer, T.
Dans : 7th European HICUM Workshop, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327487

the Heat Equation with the Quadrupole Approach
Sulima, P.Y. ; Battaglia, J.L. ; Zimmer, T.
Dans : 7th European HICUM Workshop, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00415624

Solving the Heat Equation with the Quadrupole Approach
Sulima, P.Y. ; Battaglia, J.L. ; Zimmer, T.
Dans : 7th European HICUM Workshop, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327485

2006


3D Simulation Study of Strained CMOS based on a disposable SiGe Dot Technology
Fregonese, Sebastien ; Zhuang, Yan ; Burghartz, Joachim Norbert
Dans : GDR Nanoélectronique, Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181694

Modélisation compacte du transistor à nanotube de carbone
Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées thématiques du Club EEA, Nanoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181996

HBT's thermal impedance measurement
Zimmer, Thomas ; Baureis, Peter ; Beckrich, Helene ; Yvan Sulima, Pierre
Dans : 19th BipAk, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189401

2005


A thermal sub-circuit for modelling temperature distribution in multi-finger HBTs and in multi-HBTs structures
Beckrich, Helene ; Ortoland, Sylvie ; Schwartzmann, Thierry ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas
Dans : 5th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203983

A SPICE model for predicting static thermal coupling between bipolar transistors
Beckrich, Helene ; Schwartzmann, Thierry ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas
Dans : PRIME 2005, Ph.D. Research in Micro-Electronics & Electronics, (Switzerland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203982

A Hicum SOI extension
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : 5th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181989

Self-heating investigation of bulk and SOI transistors
Sulima, Pierre-Yvan ; Beckrich, Helene ; Battaglia, Jean Luc ; Zimmer, Thomas
Dans : MOS-AK Meeting, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203984

3D self Heating medelling for electrothermal characterisation of SiGe HBTs
Sulima, Pierre-Yvan ; Battaglia, Jean Luc ; Zimmer, Thomas ; Beckrich, Helene ; Celi, D.
Dans : 5th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203981

Study of a 3D thermal characterization of SiGe HBTS
Sulima, Pierre-Yvan ; Battaglia, Jean Luc ; Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sébastien ; Celi, D.
Dans : Microtherm 2005, VI Conference Thermal Problems in Electronics, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181990

2004


Scalable bipolar transistor modelling with HICUM L0
Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
Dans : 4th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181991

Modélisation comportementale de la fiabilité des circuits intégrés complexes
Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
Dans : RTP Fiabilité, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181918

2003


Simulation physique de TBH SiGe : Etude du temps de transit sur une structure 1D et 2D
Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées Nationales du GDR Nanoélectronique - 4èmes Journées, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181992

InP-based HBT Reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Godin, Jean ; Blayac, S. ; Kahn, M. ; Riet, Muriel
Dans : 2003 European Microwave Week, Workshop on Reliability of microwave devices, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183104

Prévision de l'impact du vieillissement des composants sur le comportement des circuits
Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
Dans : Workshop MicroNanotechnologies, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181919

Fractional Order Model for the Thermal Behavior of Bipolar Transistors
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Luc Battaglia, Jean
Dans : Les journées de l'Action Thématique "Les systèmes à dérivées non entières, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189393

Obtaining isothermal data with standard measurement equipment
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Mnif, Hassene ; Ardouin, Bertrand
Dans : 3th European HICUM Workshop, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189389

2002


An IC-CAP Toolkit for HICUM Model Parameter Extraction
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas
Dans : European ICCAP User meeting, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203985

Caractérisation électrique et modélisation de l'ionisation par impact sur des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur InP
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral Microélectronique 2002, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183105

2001


HICUM parameter extraction in ICCAP
Zimmer, Thomas ; Ardouin, Bertrand
Dans : HICUM Workshop / User s Meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203986

1999


Les travaux pratiques à distance
Zimmer, Thomas ; Kadionik, Patrice ; Danto, Yves
Dans : Journées d'études internationales. Les TIC au service des relations internationales des établissements d'enseignement supérieur et de recherche, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183062

1996


Determination of critical process steps for enhanced yield improvement
Duluc, J. ; Zimmer, Thomas ; Lewis, N. ; Dom, Jean
Dans : Microelectronic Manufacturing 1996, Austin (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721693

A new approach to determine active doping profiles of bipolar transistors using electrical measurements and a physical device simulator
Hachicha, I. ; Fouillat, P. ; Zimmer, T. ; Dom, J.P.
Dans : International Conference on Microelectronic Test Structures, Trento (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721688

Method for determining the effective base resistance of bipolar transistors
Zimmer, T. ; Berkner, J. ; Branciard, B. ; Lewis, N. ; Duluc, J.B. ; Dom, J.P.
Dans : 1996 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Minneapolis (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721689

1995


SPICE data base for neutron (1 MeV) radiation hardening design: permanent damage effects simulation of bipolar transistors
Rinaudo, O. ; Zimmer, T. ; Limtouch, S. ; Bourgoin, G. ; Lalande, P.
Dans : Third European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, Arcachon (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721687

A new WLR method based on model parameter analysis
Zimmer, T. ; Duluc, J.B. ; Milet, N. ; Dom, J.P.
Dans : IEEE 1995 International Integrated Reliability Workshop. Final Report, Lake Tahoe (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721684

1994


Critères de choix des méthodes et des techniques
Barre, M. ; Marc, François
Dans : S.E.E. 4e atelier du cercle thématique 21-70 - Techniques d'analyse de défaillance des composants électroniques, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181920

1992


Méthodologie de test sans contact
Marc, François
Dans : S.E.E. 3e atelier du cercle thématique 21-70 -Techniques d'analyse de défaillance des composants électroniques, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181921
Conférences invitées → 17 Voir

2017


Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction
Danneville, F. ; DENG, Marina ; Bouvot, S. ; Goncalves, J. Azevedo ; Lepilliet, S. ; Ducournau, G. ; Gaquiere, C. ; Dambrine, G. ; Bossuet, A. ; Quemerais, T. ; Lauga-Larroze, G. ; Fournier, J-M ; Chevalier, Pascal ; Gloria, D.
Dans : 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Vilnius (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695805

High frequency and noise performance of GFETs
Wei, W. ; Fadil, D. ; DENG, Marina ; Fregonese, S. ; Zimmer, T. ; Pallecchi, E. ; Dambrine, G. ; Happy, H.
Dans : 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Vilnius (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695812

2015


Compact Model Validation Strategies Based on Dedicated and Benchmark Circuit Blocks for the mm-Wave Frequency Range
Ardouin, Bertrand ; Schroter, Michael ; Zimmer, Thomas ; Aufinger, Klaus ; Pfeiffer, Ulrich ; Raya, Christian ; Mukherjee, A. ; Malz,, S. ; Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali
Dans : proceeding of the Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2015 IEEE,, New Orleans, LA, USA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235946

Graphene FET evaluation for RF and mmWave circuit applications
Fregonese, Sebastien ; Morales, Jorgue Daniel Aguirre ; De Matos, Magali ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Circuits and Systems (ISCAS), 2015 IEEE International Symposium on, Lisbonne (Portugal)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235960

Substrate-coupling effect in BiCMOS technology for millimeter wave applications
Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali ; Kohler, Andreas ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235958

On the Use of Single-Crystals of Organic Semiconductors in Novel Electronic Devices
Wantz, Guillaume ; Bachevillier, Stéphane ; Reyes-Martinez, Marcos ; Ayela, Cédric ; Fregonese, Sebastien ; Hirsch, Lionel ; Briseno, Alejandro
Dans : MRS Spring Meeting 2015, San Francisco (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01228731

2014


Graphene electronics: how far from industrial applications
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien
Dans : ICTC Compact Modeling Workshop, Shangai (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002135

The potential of graphene for RF applications
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
Dans : BIT's 3rd World Congress of Advanced Materials, (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002132

Electro-Thermal Investigation and Modeling of Sige Hbt High-Speed Devices
Zimmer, Thomas ; Weiß, Mario ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien
Dans : SiGe, Ge & Related Compounds: Materials, Processing and Devices, (Mexico)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987211

2013


Electro-Thermal Device Characterization & Modelling
Fregonese, Sebastien ; Kumar Sahoo, Amit ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell
Dans : OBip: Open Bipolar Workshop at BCTM in Bordeaux, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987256

The potential of graphene for electronics
Zimmer, T. ; Fregonese, S. ; Maneux, Cristell
Dans : SDD, International Multi-Conference on Systems Signals & Devices, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002124

2011


Anything else beyond CMOS?
Fregonese, Sebastien ; Cristell, Maneux ; Thomas, Zimmer
Dans : Atelier CNRS : " Nouveaux paradigmes de traitement de l'information ", Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987253

Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Curutchet, Arnaud ; Grandchamp, Brice
Dans : INCF 2011, Toronto (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585593

2008


Transistors hautes fréquences à base de nanotubes de carbone
Happy, H. ; Zimmer, T.
Dans : JOURNEES NANO, MICRO ET OTOELECTRONIQUE, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327452

2007


Current status of e-Learning in Europe
Zimmer, Thomas
Dans : Kumamoto University GP International Symposium 2007, (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00211728

Best practice of on-line labs in electrical engineering education: A ten years experience at the University Bordeaux
Zimmer, T. ; Geoffroy, D. ; Billaud, M.
Dans : International Conference on Information Technology Based Higher Education and Training ITHET, Kumamoto (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00211727

2003


Low frequency noise as early indicator of degradation in compound semiconductor FETs and HBTs
Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183106
Chapitres d'ouvrages scientifiques → 9 Voir

2011


Chapter 9: Electronics Basics E-Learning: From Lectures to Lab
SaÏghi, S. ; Billaud, M. ; Geoffroy, D. ; Zimmer, T.
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002610

2005


Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas ; Cazenave, Philippe
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203989

Modélisation bipolaires avancée
Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203988

Running remote lab experiments through the eLab platform
Billaud, Michel ; Geoffroy, Didier ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00211724

Network Analysis for SiGe HBT's Thermal Impedance Modelling
Mnif, Hassene ; Battaglia, Jean-Luc ; Sulima, Pierre Yvan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181751

Extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires
Zimmer, Thomas ; Ardouin, Bertrand
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203987

2004


EMERGE: A EUROPEAN EDUCATIONAL NETWORK FOR DISSEMINATION OF ONLINE LABORATORY EXPERIMENTS
Cabello, Ruben ; Gonzalez, Ivan ; Gomez-Arribas, Francisco ; Martinez, Xavier ; Billaud, Michel ; Zimmer, Thomas ; Geoffroy, Didier ; Effinger, Hans ; Seifert, Wilhelm ; Jaeger, Reinhold ; Fjeldly, T.A. ; Jeppson, Kjell ; Mann, Hermann ; Asimopoulos, Nikolaos ; German-Sallo, Zoltan
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00364931

Reliability simulation of electronic circuits with VHDL- AMS
Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181922

2003


Instrumentation on the WEB
Zimmer, Thomas ; Geoffroy, Didier ; Billaud, M.
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00203990
Direction d'ouvrage, Proceedings → 4 Voir

2015


Microelectronics Reliability Volume 55, Issues 9–10
Perdu, Philippe ; MARC, François ; Bafleur, Marise ; Fremont, Hélène ; Nolhier, Nicolas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01257945

2013


Proceedings of 24th European Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis - ESREF 2013 (Special issue of Microelectronics Reliability, Vol. 53, Issues 9-11) (2013)
Labat, Nathalie ; Marc, François
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00995849

Foreword
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978707

2011


Proceedings of 22nd European Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis - ESREF 2011 (Special issue of Microelectronics Reliability, Vol. 51, Issues 9-11)
Labat, Nathalie ; Marc, François
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00670461
Preprint, Working Paper, Document sans référence, etc. → 1 Voir

2017


Frequency analysis of the penetration depth of the heat flow in SiGe HBTs
Rosario, D'Esposito ; Fregonese, Sébastien ; Suresh, Balanethiram ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01649953
Ouvrages scientifiques → 2 Voir

2011


From Lectures to Lab: Electronics of Devices and Circuits - Essentials
Zimmer, T. ; SaÏghi, S.
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002608

2010


Contribution à la modélisation des TBH SiGe en température et en bruit
Mnif, H. ; Zimmer, T.
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002607
Brevets → 6 Voir

2016


Balun device with GFET transistors
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Happy, Henri
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721670

2015


Dispositif de calibrage pour l'ajustement d'une mesure radiofréquence
Zimmer, Thomas ; Sebastien, Fregonese ; Curutchet, A. ; Potéreau, Manuel ; Raya, Christian
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721675

2013


ELECTRONIC DEVICE FOR PROTECTING AN ELECTRIC CONDUCTOR AND METHOD FOR CONTROLLING SUCH A DEVICE
Guillemard, Franck ; Bavoux, Bernard ; Nguyen, Huy Cuong ; Nocquet, C. ; Pavero, G. ; Cloup, J. P. ; Sabatier, Jocelyn ; Moreau, Xavier
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00983945

Dispositif électronique de protection d'un conducteur électrique
Guillemard, Franck ; Bavoux, Bernard ; Nguyen, Huy Cuong ; Nocquet, C. ; Pavero, G. ; Cloup, J. P. ; Sabatier, Jocelyn ; Moreau, Xavier
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00949718

2012


Device And Method For Generating A Signal Of Parametrizable Frequency
Belot, Didier ; Lucas De Peslouan, Pierre-Olivier ; Majek, Cédric ; Deval, Yann ; Taris, Thierry ; Begueret, Jean-Baptiste
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01582204

Dispositif et procédé de génération d'un signal de fréquence paramétrable
Belot, Didier ; Lucas De Peslouan, Pierre-Olivier ; Majek, Cédric ; Deval, Yann ; Taris, Thierry ; Begueret, Jean-Baptiste
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00840498
Rapport de recherche → 1 Voir

2016


Modèle dans NANOHUB : Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs 1.0.0
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399947
Theses → 9 Voir

2016


Characterization and modeling of graphene-based transistors towards high frequency circuit applications
Aguirre morales, Jorge daniel
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01455081

Reliability of SiGe, C HBTs operating at 500 GHz : characterization and modeling
Jacquet, Thomas
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01476084

Design and operation of an auto-characterization test bench for predicting the reliability of programmable digital circuits.
Naouss, Mohammad
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01412351

2014


SPICE Modeling of TeraHertz Heterojunction bipolar transistors
Stein, Félix
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01200490

2013


Electrothermal device-to-circuit interactions for half THz SiGe∶C HBT technologies
Weisz, Mario
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01249529

2011


Electrical and electro-optic characterisation of carbon nanotube transistor for the compact modeling
Liao, Si-Yu
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00592479

2010


Compact modeling of the Schottky carbon nanotube transistor and its application to digital circuit design
Najari, Montassar
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00560346

2009


Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube
Goguet, Johnny
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00585836

2006


Contribution to the study of a frequency synthesizer dedicated to multistandard communicating objects in SOI CMOS technology
Majek, Cédric
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00188659