Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système

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M4C - Model For Circuit

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    • Présentation

    Au sein du groupe Conception, l’équipe Model For Circuit (ou M4C) a pour but d’accompagner le développement de filières technologiques avancées et émergentes de composants électroniques et optoélectroniques pour permettre la conception de circuits.

    Les applications visées par ces filières technologiques sont notamment les communications très haut débit, à la fois électroniques et optoélectroniques, et l’intelligence artificielle matérielle via les circuits numériques conventionnels avancés et de nouvelles architectures de circuits numériques permettant le calcul au cœur de la mémoire.

    Membres

    Membres permanents

     

    Marina DENG 2013 Cristell Francois Chhandak
    DENG MARINA MANEUX CRISTELL MARC FRANCOIS MUKHERJEE CHHANDAK

     

    Membres non permanents

     

    BURUCOA BIXENTE DAVY NIL DUMAS LOUISE GNANAMANI RISAB GUENDOUZ DJEBER

     

    NECKEL-WESLING BRUNO REVEIL LUCAS REZGUI HOUSSEM SOBAS JUSTIN WANG YIFAN

    Compétences

    Caractérisation, technique de mesures

    Les technologies étudiées, avancées ou émergentes, nécessitent d'être caractérisées pour en extraire les performances (extraction de figures de mérite), ainsi que pour en extraire les paramètres de modèles. Plusieurs types de mesures sous pointes peuvent être réalisées.

    Caractérisation hyperfréquence jusqu'à 500 GHz

    Les mesures sous pointes hyperfréquences nécessitent d'utiliser des techniques de calibrage off-wafer et on-wafer adaptées aux bandes de fréquence jusqu'à 500 GHz. Des techniques de de-embedding avancées doivent être également développées dans le cas où les méthodes conventionnelles ne peuvent être appliquées. Une stratégie de développement et de conception de structures de test pour chaque technologie étudiée doit être menée afin d'atteindre une qualité et précision de mesure acceptable jusqu'à 500 GHz.

    Modélisation compacte, simulation TCAD

    Les modèles compacts sont une partie essentielle de l'environnement de conception pour les circuits intégrés, constituant un intermédiaire crucial entre les développeurs de procédés technologiques de semi-conducteurs et les concepteurs de circuits intégrés. S'appuyant sur une modélisation physique et des simulations TCAD, les modèles compacts contiennent des équations analytiques synthétisant les mécanismes de transport des porteurs de charge dans les transistors, tout en restant plus efficaces en termes de calcul par rapport aux simulations TCAD. Nous développons des modèles compacts en Verilog-A pour différents composants semi-conducteurs : transistors avancés et émergents, photodiodes, etc. L'objectif visé est l'intégration de ces modèles compacts dans les bibliothèques de conception de circuits intégrés.

    En étroite collaboration avec nos partenaires industriels et académiques, nous développons également des modules en Verilog-A pour améliorer les modèles compacts existants (tels que HICUM), y compris les modèles de bruit et de fiabilité pour prendre en compte de nouveaux mécanismes. Cette expertise en modélisation de composants de l'équipe M4C permet de développer des outils de conception pour des circuits avancés hautes performances.

    Evaluation et analyse de la fiabilité dans les composants et circuits numériques et analogiques

    La prévision de la fiabilité des circuits intégrés nécessite une connaissance approfondie du fonctionnement des composants élémentaires et des mécanismes de vieillissement. Cependant, cette connaissance n’est pas suffisante : il est nécessaire d’identifier aussi le lien bidirectionnel entre les dégradations à l’échelle du transistor et le comportement du circuit dans son environnement électrique et thermique d’utilisation.

    Le modèle compact des transistors intégrant les lois de vieillissement permet, dès la phase de conception – sans attendre le retour des tests circuits – de simuler la fonctionnalité du circuit au cours de son utilisation. Notre approche originale consiste à faire évoluer la valeur des paramètres du modèle compact en cours de simulation concurremment avec son échelle de temps.

    Pour les circuits numériques, la modélisation des dégradations doit passer par celle des circuits logiques, de la porte logique au circuit intégré, prenant en compte les effets des mécanismes de vieillissement, et les conditions opérationnelles.

    Pour les circuits tant analogiques que numériques, la modélisation s’appuie sur une caractérisation fine des vieillissements par des mesures. Pour la modélisation compacte des transistors incluant le vieillissement, les mesures sont pratiquées sur des transistors individuels sur wafers. Pour les circuits numériques, la caractérisation du vieillissement des portes logiques est réalisée par le développement d'une auto-instrumentation de précision implémentée sur FPGA dans les circuits intégrés numériques des technologies les plus avancées (Fin-FET 14nm).

    Technologies étudiées

    • Technologies avancées et émergentes

    Projets de recherche en cours

    ANR LEGO

    Projet H2020 FVLLMONTI

    Collaborations industrielles :

    • III-V Lab (joint lab between Nokia Bell Labs, Thales, Alcatel-Lucent and CEA)
    • STMicroelectronics
    Publications

    Total : 310

    Articles dans des revues avec comité de lecture → 106 Voir

    2022


    Extraction of small-signal equivalent circuit for de-embedding of 3D vertical nanowire transistor
    Neckel Wesling, Bruno ; Deng, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; de Matos, Magali ; Kumar, Abhishek ; Larrieu, Guilhem ; Trommer, Jens ; Mikolajick, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-03657781

    Development of a high accuracy and stability test bench for ageing measurement of 16 nm FinFETs based FPGA
    Sobas, Justin ; Airimitoaie, Tudor-Bogdan ; Marc, Francois
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-04017664

    2021


    Meander-Type Lines: An Innovative Design for On-Wafer TRL Calibration for mmW and sub-mmW Frequencies Measurements
    Cabbia, Marco ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Curutchet, Arnaud ; Yadav, Chandan ; Celi, Didier ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
    https://hal.science/hal-03273404

    Compact Modeling of 3D Vertical Junctionless Gate-allaround Silicon Nanowire Transistors Towards 3D Logic Design
    Chhandak, Mukherjee ; Poittevin, Arnaud ; O'Connor, Ian ; Larrieu, Guilhem ; Maneux, Cristell
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-03429568

    Towards Monolithic Indium Phosphide (InP)-Based Electronic Photonic Technologies for beyond 5G Communication Systems
    Chhandak, Mukherjee ; Deng, Marina ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Mismer, Colin ; Guendouz, Djeber ; Caillaud, Christophe ; Bertin, Hervé ; Vaissiere, Nicolas ; Luisier, Mathieu ; Wen, Xin ; de Matos, Magali ; Mounaix, Patrick ; Maneux, Cristell
    Dans : Applied Sciences
    https://hal.science/hal-03163305

    Importance of Probe Choice for Extracting Figures of Merit of Advanced mmW Transistors
    Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magali ; Deng, Marina ; Celi, Didier ; Derrier, Nicolas ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-03776416

    Multiscale compact modelling of UTC-photodiodes enabling monolithic terahertz communication systems design
    Guendouz, Djeber ; Chhandak, Mukherjee ; Deng, Marina ; de Matos, Magali ; Caillaud, Christophe ; Bertin, Hervé ; Bobin, Antoine ; Vaissière, Nicolas ; Mekhazni, Karim ; Mallecot, Franck ; Arabhavi, Akshay ; Chaudhary, Rimjhim ; Ostinelli, Olivier ; Bolognesi, Colombo ; Mounaix, Patrick ; Maneux, Cristell
    Dans : Applied Sciences
    https://hal.science/hal-03847207

    Multiscale Compact Modelling of UTC-Photodiodes Enabling Monolithic Terahertz Communication Systems Design
    Maneux, Cristell ; Mounaix, Patrick ; Bolognesi, Colombo ; Ostinelli, Olivier ; Chaudhary, Rimjhim ; Arabhavi, Akshay ; Mallecot, Franck ; Mekhazni, Karim ; Vaissière, Nicolas ; Bobin, Antoine ; Bertin, Hervé ; Caillaud, Christophe ; de Matos, Magali ; Deng, Marina ; Mukherjee, Chhandak ; Guendouz, Djeber
    Dans : Applied Sciences
    https://hal.science/hal-03657756

    SiGe HBTs and BiCMOS technology for present and future millimeter-wave system
    Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Buchali, Fred ; Chevalier, Pascal ; Collisi, Michael ; Debaillie, Bjorn ; Deng, Marina ; Ferrari, Philippe ; Fregonese, Sebastien ; Gaquière, Christophe ; Ghanem, Haitham ; Hettrich, Horst ; Karakuzulu, Alper ; Maiwald, Tim ; Margalef-Rovira, Marc ; Maye, Caroline ; Moller, Michael ; Mukherjee, Anindya ; Rucker, Holger ; Sakalas, Paulius ; Schmid, Rolf ; Schneider, Karina ; Schuh, Karsten ; Templ, Wolfgang ; Visweswaran, Akshay ; Zwick, Thomas
    Dans : IEEE Journal of Microwaves
    https://hal.science/hal-03111157

    2020


    Silicon Test Structures Design for Sub-THz and THz Measurements
    Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-03015973

    A unified aging compact model for hot carrier degradation under mixed-mode and reverse E-B stress in complementary SiGe HBTs
    Chhandak, Mukherjee ; Fischer, G.G. ; Marc, F ; Couret, Marine ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-03014952

    Scalable compact modeling of trap generation near the EB spacer oxide interface in SiGe HBTs
    Couret, Marine ; Jaoul, Mathieu ; Marc, François ; Mukherjee, Chhandak ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-02541991

    Design of On-Wafer TRL Calibration Kit for InP Technologies Characterization up to 500 GHz
    Deng, Marina ; Mukherjee, Chhandak ; Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; de Matos, Magali ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay Mahadev ; Bolognesi, Colombo ; Wen, Xin ; Luisier, Mathieu ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-03088017

    High-Frequency Noise Characterization and Modeling of Graphene Field-Effect Transistors
    Deng, Marina ; Fadil, Dalal ; Wei, Wei ; Pallecchi, Emiliano ; Happy, Henri ; Dambrine, Gilles ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas ; Frégonèse, Sébastien
    Dans : IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
    https://hal.science/hal-02540064

    Analysis of High-Frequency Measurement of Transistors Along With Electromagnetic and SPICE Cosimulation
    Fregonese, Sebastien ; Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Panda, Soumya Ranjan ; Matos, Magali De ; Celi, Didier ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-03015012

    THz characterization and modeling of SiGe HBTs: review (invited)
    Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Journal of the Electron Devices Society
    https://hal.science/hal-03014869

    Efficient compact modelling of UTC-photodiode towards terahertz communication system design
    Mukherjee, Chhandak ; Natrella, Michele ; Seddon, James ; Graham, Chris ; Mounaix, Patrick ; Renaud, Cyril ; Maneux, Cristell
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-02651295

    A physical and versatile aging compact model for hot carrier degradation in SiGe HBTs under dynamic operating conditions
    Mukherjee, C. ; Marc, F. ; Couret, M. ; Fischer, G.G. ; Jaoul, M. ; Céli, D. ; Aufinger, K. ; Zimmer, T. ; Maneux, C.
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-02475429

    TCAD and EM co-simulation method to verify SiGe HBT measurements up to 500 GHz
    Panda, Soumya Ranjan ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-03016002

    Importance and Requirement of frequency band specific RF probes EM Models in sub-THz and THz Measurements up to 500 GHz
    Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Cabbia, Marco ; de Matos, Magali ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
    https://hal.science/hal-02884144

    2019


    Long term accelerated ageing of an ASIC dedicated to cryptographic application
    Coutet, Julien ; Doche, Emmanuel ; Guétard, Romain ; Janvresse, Aurélien ; Lavagne, Suzel ; Lebossé, Pierre ; Pastre, Antonin ; Sarlotte, Michel ; Moreau, Christian ; Marc, Francois ; Bayle, Franck
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-02394907

    Comparison of on-wafer TRL calibration to ISS SOLT calibration with open-short de-embedding up to 500 GHz
    Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; de Matos, Magali ; Yadav, Chandan ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Joly, Simon ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
    https://hal.science/hal-01985495

    A Compact Formulation for Avalanche Multiplication in SiGe HBTs at High Injection Levels
    Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Celi, Didier ; Schröter, Michael ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-02379143

    Scalable Modeling of Thermal Impedance in InP DHBTs Targeting Terahertz Applications
    Mukherjee, Chhandak ; Couret, Marine ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, J.-Y. ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-02372518

    A Multiscale TCAD Approach for the Simulation of InP DHBTs and the Extraction of Their Transit Times
    Wen, Xin ; Mukherjee, Chhandak ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay ; Ostinelli, Olivier ; Bolognesi, Colombo ; Maneux, Cristell ; Luisier, Mathieu
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-02379133

    2018


    Simulation and modelling of long term reliability of digital circuits implemented in FPGA
    Aguirre Morales, J.D. ; Marc, F. ; Bensoussan, A. ; Durier, A.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01946442

    Influence of temperature of storage, write and read operations on multiple level cells NAND flash memories
    Coutet, Julien ; Marc, Francois ; Dozolme, Flavien ; Guétard, Romain ; Janvresse, Aurélien ; Lebossé, Pierre ; Pastre, Antonin ; Clément, Jean-Claude
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01946449

    On-Wafer Characterization of Silicon Transistors Up To 500 GHz and Analysis of Measurement Discontinuities Between the Frequency Bands
    Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magali ; Deng, Marina ; Potéreau, Manuel ; Ayela, Cédric ; Aufinger, Klaus ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
    https://hal.science/hal-01818021

    Scalable Compact Modeling of III–V DHBTs: Prospective Figures of Merit Toward Terahertz Operation
    Mukherjee, Chhandak ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Luisier, Mathieu ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay ; Bolognesi, Colombo ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01985507

    An integrative approach to simulation model discovery: Combining system theory, process mining and fuzzy logic
    Wang, Yan ; Zacharewicz, Grégory ; Traoré, Mamadou Kaba ; Chen, David
    Dans : Journal of Intelligent and Fuzzy Systems
    https://hal.science/hal-01773634

    2017


    A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications
    Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sébastien ; Mukherjee, Chhandak ; Wei, Wei ; Happy, Henri ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01639648

    Multiscaled simulation methodology for neuro-inspired circuits demonstrated with an organic memristor
    Bennett, Christopher ; Lorival, Jean-Etienne ; Marc, François ; Cabaret, Théo ; Jousselme, Bruno ; Derycke, Vincent ; Klein, Jacques-Olivier ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Multi-Scale Computing Systems
    https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01656702

    Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications
    Chevalier, Pascal ; Schroter, Michael ; Bolognesi, Colombo R. ; d'Alessandro, Vincenzo ; Alexandrova, Maria ; Bock, Josef ; Flickiger, Ralf ; Fregonese, Sébastien ; Heinemann, Bernd ; Jungemann, C. ; Lovblom, Rickard ; Maneux, Cristell ; Ostinelli, Olivier ; Pawlak, Andreas ; Rinaldi, Niccolo ; Rucker, Holger ; Wedel, Gerald ; Zimmer, Thomas
    Dans : Proceedings of the IEEE
    https://hal.science/hal-01639677

    Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit
    Kamrani, Hamed ; Jabs, Dominic ; d'Alessandro, Vincenzo ; Rinaldi, Niccolo ; Jacquet, Thomas ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Aufinger, Klaus ; Jungemann, Christoph
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01695268

    Proceedings of the 28th European Symposium on the reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Labat, Nathalie ; Marc, François ; Frémont, Helene ; Bafleur, Marise
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01660958

    Random telegraph noise in SiGe HBTs: Reliability analysis close to SOA limit
    Mukherjee, C. ; Jacquet, T. ; Chakravorty, A. ; Zimmer, T. ; Boeck, J. ; Aufinger, K. ; Maneux, C.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01695265

    Hot-Carrier Degradation in SiGe HBTs: A Physical and Versatile Aging Compact Model
    Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Fischer, Gerhard ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01695254

    Reliability-Aware Circuit Design Methodology for Beyond-5G Communication Systems
    Mukherjee, Chhandak ; Ardouin, Bertrand ; Dupuy, Jean-Yves ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Zimmer, Thomas ; Marc, François ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
    https://hal.science/hal-01670929

    2016


    Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis
    Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01399855

    Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part II: Correlation and Modeling
    Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01399852

    FPGA LUT delay degradation due to HCI: Experiment and simulation results
    Naouss, Mohammad ; Marc, F.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01661820

    2015


    An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs
    Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01235964

    Editorial, Microelectronics Reliability, Volume 55, Issues 9–10, August–September 2015
    Bafleur, Marise ; Perdu, Philippe ; Marc, François ; Frémont, Hélène ; Nolhier, Nicolas
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01257965

    Source-Pull and Load-Pull Characterization of Graphene FET
    Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magali ; Mele, David ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Journal of the Electron Devices Society
    https://hal.science/hal-01090826

    Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit
    Jacquet, T. ; Sasso, G. ; Chakravorty, A. ; Rinaldi, N. ; Aufinger, K. ; Zimmer, T. ; d'Alessandro, V. ; Maneux, C.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01695288

    Versatile Compact Model for Graphene FET Targeting Reliability-Aware Circuit Design
    Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01127979

    Design and implementation of a low cost test bench to assess the reliability of FPGA
    Naouss, Mohammad ; Marc, F.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-01661808

    A Geometry Scalable Model for Nonlinear Thermal Impedance of Trench Isolated HBTs
    Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Desposito, Rosario ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Electron Device Letters
    https://hal.science/hal-01090801

    Isothermal Electrical Characteristic Extraction for mmWave HBTs
    Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; d'Esposito, Rosario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-01090791

    2014


    Innovative Dual-Gate CNTFET Logic Cell: Investigation of Technological Dispersion Impact Through Compact Modeling
    Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
    https://hal.science/hal-01090852

    InP HBT Thermal Management by Transferring to High Thermal Conductivity Silicon Substrate
    Thiam, Ndèye Arame ; Roelens, Yannick ; Coinon, Christophe ; Avramovic, Vanessa ; Grandchamp, Brice ; Ducateau, D. ; Wallart, Xavier ; Maneux, Cristell ; Zaknoune, Mohamed
    Dans : IEEE Electron Device Letters
    https://hal.science/hal-01090844

    2013


    Benchmarking of GFET devices for amplifier application using multiscale simulation approach
    Fregonese, Sébastien ; Potereau, Manuel ; Deltimple, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Journal of Computational Electronics
    https://hal.science/hal-00918225

    Scalable Electrical Compact Modeling for Graphene FET Transistors
    Fregonese, Sébastien ; Magallo, Maura ; Maneux, Cristell ; Happy, H. ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
    https://hal.science/hal-00906225

    On the Simulation of HCI-Induced Variations of IC Timings at High Level
    Héron, Olivier ; Bertolini, Clément ; Ventroux, Nicolas ; Sandionigi, Chiara ; Marc, François
    Dans : Journal of Electronic Testing: : Theory and Applications
    https://hal.science/hal-00950233

    Submicrometer InP/InGaAs DHBT Architecture Enhancements Targeting Reliability Improvements
    Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Godin, Jean ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00909053

    Multiscale simulation of carbon nanotube transistors
    Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Retailleau, Sylvie ; Nguyen, Huu Nha ; Querlioz, Damien ; Bournel, Arnaud ; Dollfus, Philippe ; Triozon, François ; Niquet, Yann-Michel ; Roche, Stephan
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-00906950

    80 ns/45 GHz Pulsed measurement system for DC and RF characterization of high speed microwave devices
    Weib, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Santorelli, Marco ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-00909009

    Optimized Ring Oscillator With 1.65-ps Gate Delay in a SiGe:C HBT Technology
    Weib, Mario ; Majek, Cédric ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Mazouffre, Olivier ; Chevalier, Pascal ; Chantre, Alain ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Electron Device Letters
    https://hal.science/hal-00906390

    2012


    Electrical compact modelling of graphene transistors
    Fregonese, Sebastien ; Meng, N. ; Nguyen, H.-N. ; Majek, C. ; Maneux, C. ; Happy, H. ; Zimmer, T.
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-01002093

    Characterization and Modeling of Graphene Transistor Low-Frequency Noise
    Grandchamp, Brice ; Fregonese, Sebastien ; Majek, Cédric ; Hainaut, Cyril ; Maneux, Cristell ; Meng, Nan ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00669458

    2011


    A compact model for dual-gate one-dimensional FET: Application to carbon-nanotube FETs
    Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00584879

    Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design
    Ghosh, S. ; Grandchamp, B. ; Koné, G.A ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Dupuy, J.-Y. ; Godin, J.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00671676

    Trends in submicrometer InP-based HBT architecture targeting thermal management
    Grandchamp, Brice ; Nodjiadjim, Virginie ; Zaknoune, M. ; Koné, Gilles Amadou ; Hainaut, Cyril ; Godin, Jean ; Riet, M. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00671675

    Impact of Power Consumption and Temperature on Processor Lifetime Reliability
    Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
    Dans : American Scientific Publishers in JOLPE
    https://hal.science/hal-00674305

    Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses
    Koné, G. A. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00670550

    Design and Modeling of a Neuro-Inspired Learning Circuit Using Nanotube-Based Memory Devices
    Liao, Si-Yu ; Retrouvey, J.M. ; Agnus, G. ; Zhao, W. ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chabi, D. ; Filoramo, A. ; Derycke, Vincent ; Gamrat, C. ; Klein, J.O.
    Dans : IEEE Transactions on Circuits and Systems
    https://hal.science/hal-00584909

    Schottky barrier carbon nanotube transistor: Compact modeling, scaling study, and circuit design applications
    Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Masmoudi, N. ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00584876

    2010


    A versatile compact model for ballistic 1D transistor: GNRFET and CNTFET comparison
    Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-00512742

    Thermal aging model of InP/InGaAs/InP DHBT
    Gosh, S. ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Grandchamp, Brice ; Koné, Gilles Amadou ; Zimmer, Thomas
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00674295

    Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/InGaAs DHBT
    Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Nodjiadjim, V. ; Godin, J.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00585073

    Compact modeling of optically gated carbon nanotube field effect transistor
    Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : physica status solidi (b)
    https://hal.science/hal-00495144

    TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer
    Mahmoud, Al-Sadi ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Materials Science in Semiconductor Processing
    https://hal.science/hal-00671678

    Efficient physics-based compact model for the Schottky barrier carbon nanotube FET
    Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, N.
    Dans : physica status solidi (c)
    https://hal.science/hal-00584855

    SiGe HBTs optimization for wireless power amplifier applications
    Zimmer, Thomas ; Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Pache, Denis ; Curutchet, Arnaud ; Maneux, Cristell
    Dans : Active and Passive Electronic Components
    https://hal.science/hal-00671680

    2009


    Multiscale simulation of carbon nanotube devices
    Adessi, Christophe ; Avriller, R. ; Bournel, A. ; Blase, Xavier ; Cazin d'Honincthun, H. ; Dollfus, P. ; Frégonèse, S. ; Galdin-Retailleau, S. ; López-Bezanilla, A. ; Maneux, C. ; Nha Nguyen, H. ; Querlioz, D. ; Roche, S. ; Triozon, F. ; Zimmer, T.
    Dans : Comptes Rendus. Physique
    https://hal.science/hal-00400169

    Multilevel behavioural modelling for reliability analysis of ionizing dose effects on a n-MOS simple current mirror
    Bestory, Corinne ; Marc, François ; Duzellier, Sophie ; Lévi, Hervé
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00499470

    Implementation of tunneling phenomena in a CNTFET compact model
    Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00399797

    Technological dispersion in CNTFET: Impact of the presence of metallic carbon nanotubes in logic circuits
    Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-00399786

    Implementation of Electron–Phonon Scattering in a CNTFET Compact Model
    Fregonese, Sebastien ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00388046

    2008


    Behavior and optimizations of Si/SiGe HBT on thin-film SOI
    Avenier, Gregory ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Dutartre, D. ; Saguin, Fabienne ; Schwartzmann, Thierry ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, Alain
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00197532

    Challenges and potential of new approaches for reliability assessment of nanotechnologies
    Bechou, L. ; Danto, Y. ; Deletage, J.Y. ; Verdier, F. ; Deshayes, Y. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Laffitte, D.
    Dans : Comptes Rendus de l'Academie des Sciences. Série IV, Physique, Astronomie
    https://hal.science/hal-00266387

    Computationally Efficient Physics-Based Compact CNTFET Model for Circuit Design
    Fregonese, Sebastien ; Cazin d'Honincthun, Hughes ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Bourgoin, J.-P. ; Dollfus, P. ; Galdin-Retailleau, S.
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00287142

    2007


    Statistical analysis during the reliability simulation
    Bestory, Corinne ; Marc, François ; Lévi, Hervé
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00326542

    2006


    Thin film SOI HBT: A study of the effect of substrate bias on the electrical characteristics
    Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-00181972

    A compact model for SiGe HBT on thin film SOI
    Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00181969

    Improvement of Aging Simulation of Electronic Circuits Using Behavioral Modeling
    Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Bestory, Corinne ; Levi, Herve ; Danto, Yves
    Dans : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
    https://hal.science/hal-00181801

    2005


    A Scalable Substrate Network for HBT Compact Modeling
    Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-00181973

    Two dimensional DC simulation methodology for InP/GaAs0.51Sb0.49/InP heterojunction bipolar transistor
    Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
    Dans : Solid-State Electronics
    https://hal.science/hal-00183087

    2004


    Reliability of Low-Cost PCB Interconnections for Telecommunication Applications
    Duchamp, Geneviève ; Verdier, Frédéric ; Deshayes, Yannick ; Marc, François ; Ousten, Yves ; Danto, Yves
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00181802

    Obtaining Isothermal Data for HBT
    Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Baureis, P. ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
    https://hal.science/hal-00181975

    On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise
    Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Zimmer, Thomas
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183089

    Low frequency noise as a reliability diagnostic tool in compound semiconductor transistors
    Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183088

    2003


    High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects
    Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bove, Philippe ; Lareche, H.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183091

    1/f noise analysis of InP/InGaAs DHBTs submitted to bias and thermal stresses
    Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183090

    Ageing simulation of MOSFET circuit using a VHDL-AMS behavioural modelling: An experimental case study
    Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Danto, Yves
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00181803

    2002


    Contribution to ageing simulation of complex analogue circuit using VHDL-AMS behavioural modelling language
    Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Lewis, Noëlle ; Danto, Yves
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00181804

    2001


    Experimental procedure for the evaluation of GaAs-based HBT's reliability
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Benchimol, Jean-Louis ; Riet, Muriel
    Dans : Microelectronics Journal
    https://hal.science/hal-00183093

    1999


    Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs
    Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183094

    1997


    Ultrasonic images interpretation improvement for microassembling technologies characterization
    Bechou, L. ; Tregon, B. ; Ousten, Y. ; Marc, F. ; Danto, Y. ; Kertesz, Ph. ; Even, R.
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00164920

    Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization
    Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Cova, Paolo ; Fantini, Fausto
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183095

    Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183096

    1996


    Analysis of the surface base current drift in GaAs HBT's
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00183097

    1995


    A general methodology using an electron beam tester applied to failure localization inside a logic integrated circuit
    Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Barre, M. ; Danto, Yves
    Dans : Microelectronic Engineering
    https://hal.science/hal-00181885

    LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
    Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
    Dans : Journal de Physique III
    https://hal.science/hal-00183098

    1994


    Functionnal localization in integrated circuits by Signal Selective Voltage Contrast in a scanning electron microscope
    Marc, François ; Frémont, Hélène ; Jounet, Paul ; Danto, Yves ; Barré, Michel
    Dans : Microelectronics Reliability
    https://hal.science/hal-00326620

    Quick and exhaustive descrambling methodology for high density static random access memories using voltage contrast
    Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Danto, Yves
    Dans : Microelectronic Engineering
    https://hal.science/hal-00181886
    Communication dans un congrès → 173 Voir

    2022


    InP DHBT test structure optimization towards 110 GHz characterization
    Davy, Nil ; Deng, Marina ; Nodjiadjim, Virginie ; Chhandak, Mukherjee ; Riet, Muriel ; Mismer, Colin ; Renaudier, Jérémie ; Maneux, Cristell
    Dans : IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference, Milan (Italy)
    https://hal.science/hal-03846891

    Extraction of small signal equivalent circuit for de-embedding of 3D vertical nanowire transistor
    Neckel Wesling, Bruno ; Deng, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Kumar, Abhishek ; Larrieu, Guilhem ; Trommer, Jens ; Mikolajick, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : 8th Joint International EuroSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS 2022), Udine (Italy)
    https://hal.science/hal-03864048

    A Logic Cell Design and routing Methodology Specific to VNWFET
    Poittevin, Arnaud ; O'Connor, Ian ; Marchand, Cédric ; Bosio, Alberto ; Maneux, Cristell ; Chhandak, Mukherjee ; Larrieu, Guilhem ; Kumar, Abhishek
    Dans : 2022 20th IEEE Interregional NEWCAS Conference (NEWCAS), Quebec City (Canada)
    https://hal.science/hal-03864493

    Analysis of an Inverter Logic Cell based on 3D Vertical NanoWire Junction-Less Transistors
    Réveil, Lucas ; Chhandak, Mukherjee ; Maneux, Cristell ; Deng, Marina ; Marc, François ; Kumar, Abhishek ; Larrieu, Guilhem ; Poittevin, Arnaud ; O'Connor, Ian ; Baumgartner, Oskar ; Pirker, David
    Dans : 30th IFIP/IEEE International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI-SOC 2022), Patras (Greece)
    https://hal.science/hal-03765079

    S-Parameter Measurement and EM Simulation of Electronic Devices towards THz frequency range
    Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; Cabbia, Marco ; Deng, Marina ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2022 IEEE 34th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2022), Cleveland, OH (United States)
    https://hal.science/hal-03856275

    2021


    Meander-Type Transmission Line Design for On-Wafer TRL Calibration up to 330 GHz
    Cabbia, Marco ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Yadav, Chandan ; Curutchet, Arnaud ; de Matos, Magali ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2020 50th European Microwave Conference (EuMC), Utrecht (France)
    https://hal.science/hal-03173013

    Ultra compact High responsivity photodiodes for >100 Gbaud applications
    Caillaud, C ; Bertin, H ; Bobin, A ; Gnanamani, R ; Vaissiere, N ; Pommereau, F ; Decobert, J ; Maneux, C
    Dans : ECOC 2021, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-03350750

    Electro-Thermal Limitations and Device Degradation of SiGe HBTs with Emphasis on Circuit Performance
    Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Rucker, Holger ; Chevalier, Pascal ; Fischer, Gerhard ; Celi, Didier ; Deng, Marina ; Couret, Marine ; Marc, Francois ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Monterey (France)
    https://hal.science/hal-03776392

    Analysis of Energy-Delay-Product of a 3D Vertical Nanowire FET Technology
    O'Connor, Ian ; Poittevin, Arnaud ; Le Beux, Sébastien ; Bosio, Alberto ; Stanojevic, Zlatan ; Baumgartner, Oskar ; Trommer, Jens ; Mikolajick, Thomas ; Larrieu, Guilhem ; Chhandak, Mukherjee ; Maneux, Cristell
    Dans : EuroSOI-ULIS, Caen (France)
    https://hal.science/hal-03407210

    Guideline for test-structures placement for on-Wafer calibration in sub-THz Si device characterization
    Yadav, Chandan ; Cabbia, Marco ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2021 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2021, Atlanta (United States)
    https://hal.science/hal-03851109

    2020


    In-Situ Calibration and De-Embedding Test Structure Design for SiGe HBT On-Wafer Characterization up to 500 GHz
    Cabbia, M. ; Deng, Marina ; Fregonese, S. ; Matos, M. De ; Celi, D. ; Zimmer, T.
    Dans : 2020 94th ARFTG Microwave Measurement Symposium (ARFTG), San Antonio (United States)
    https://hal.science/hal-02569052

    3D logic cells design and results based on Vertical NWFET technology including tied compact model
    Chhandak, Mukherjee ; Deng, Marina ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Poittevin, Arnaud ; O'Connor, Ian ; Le Beux, Sébastien ; Marchand, Cédric ; Kumar, Abhishek ; Lecestre, Aurélie ; Larrieu, Guilhem
    Dans : 28th IFIP/IEEE International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI-SOC) 2020, Salt Lake City (virtual) (United States)
    https://hal.science/hal-03166674

    Compact Modeling of 3D Vertical Junctionless Gate-all-around Silicon Nanowire Transistors
    Chhandak, Mukherjee ; Larrieu, Guilhem ; Maneux, Cristell
    Dans : EuroSOI-ULIS 2020, Caen (France)
    https://hal.science/hal-02869216

    2019


    Characterization of Sub-THz & THz Transistors
    Cabbia, Marco ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; de Matos, Magalie ; Thomas, Zimmer ; Upadhyay, Abhishek Kumar
    Dans : 3rd IEEE Student Branch BEE Week, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-02512268

    Caractérisation RF de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe jusqu’à 500 GHz
    Cabbia, Marco ; Deng, Marina ; Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magalie ; Zimmer, Thomas
    Dans : XIIIème colloque national du GDR SOC², Montpellier (France)
    https://hal.science/hal-02512232

    Compact Modeling of UTC Photodiodes Enabling Future Terahertz Communication System Design
    Chhandak, Mukherjee ; Natrella, M. ; Seddon, J. ; Grahams, C. ; Mounaix, Patrick ; Renaud, C. C. ; Maneux, Cristell
    Dans : XIIIème Colloque du GdR SOC2, Montpellier (France)
    https://hal.science/hal-02511632

    Impact of SiGe HBT hot-carrier degradation on the broadband amplifier output supply current
    Couret, Marine ; Fischer, Gerhard ; Garcia-Lopez, Iria ; de Matos, Magali ; Marc, François ; Maneux, Cristell
    Dans : ESSDERC 2019, Cracow (Poland)
    https://hal.science/hal-02379120

    Physical, small-signal and pulsed thermal impedance characterization of multi-finger SiGe HBTs close to the SOA edges
    Couret, Marine ; Fischer, Gerhard ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Kita-Kyushu City (Japan)
    https://hal.science/hal-02276656

    RF Characterization of 28 nm FD-SOI Transistors Up to 220 GHz
    Deng, Marina ; Frégonèse, Sébastien ; Dorrnieu, Benjamin ; Scheer, Patrick ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Grenoble (France)
    https://hal.science/hal-02517274

    Analysis of a failure mechanism occurring in SiGe HBTs under mixed-mode stress conditions
    Jaoul, Mathieu ; Ney, David ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Kita-Kyushu City (Japan)
    https://hal.science/hal-02379157

    First Uni-Traveling Carrier Photodiode Compact Model Enabling Future Terahertz Communication System Design
    Mukherjee, C ; Mounaix, Patrick ; Maneux, C. ; Natrella, M. ; Seddon, J ; Graham, C. ; Renaud, Cédric
    Dans : ESSDERC 2019, Cracow (Poland)
    https://hal.science/hal-02379096

    On the Variation in Short-Open De-embedded S-parameter Measurement of SiGe HBT upto 500 GHz
    Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Cabbia, Marco ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2019 12th German Microwave Conference (GeMiC), Stuttgart (Germany)
    https://hal.science/hal-02305963

    Analysis of Test Structure Design Induced Variation in on Si On-wafer TRL Calibration in sub-THz
    Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Cabbia, Marco ; de Matos, Magali ; Jaoul, Mathieu ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Kita-Kyushu City (France)
    https://hal.science/hal-02163807

    2018


    2D-Graphene Epitaxy on SiC for RF Application: Fabrication, Electrical Characterization and Noise Performance
    Fadil, Dalal ; Wei, Wei ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Stuprinski, Wlodek ; Pallecchi, Emiliano ; Happy, Henri
    Dans : 2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2018, Philadelphia (United States)
    https://hal.science/hal-02372682

    Impact of on-Silicon De-Embedding Test Structures and RF Probes Design in the Sub-THz Range
    Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magali ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2018 48th European Microwave Conference (EuMC), Madrid (Spain)
    https://hal.science/hal-01985501

    Importance of complete characterization setup on on-wafer TRL calibration in sub-THz range
    Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; de Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Austin (United States)
    https://hal.science/hal-01838050

    2017


    Reliability-Aware Circuit Design for High Speed Communication Systems
    Chhandak, Mukherjee ; Ardouin, Bertrand ; Dupuy, Jean-Yves ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Thomas, Zimmer ; Marc, François ; Maneux, Cristell
    Dans : XIIème Colloque du GdR SOC2, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-02511649

    Characterization and modelling of SubTHz & THz-transistors
    Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magali ; Thomas, Zimmer
    Dans : 2nd IEEE Student Branch BEE Week, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-02512287

    Design of Silicon On-Wafer Sub-THz Calibration Kit
    Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Céli, Didier ; Chevalier, Pascal ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2017 Mediterranean Microwave Symposium (MMS), Marseille (France)
    https://hal.science/hal-01985481

    Avalanche Compact model featuring SiGe HBTs Characteristics up to BVCBO
    Jaoul, Mathieu ; Céli, Didier ; Maneux, Cristell
    Dans : HICUM Workshop 2017, Dresden (Germany)
    https://hal.science/hal-02511645

    Avalanche compact model featuring SiGe HBTs characteristics up to BVcbo
    Jaoul, Mathieu ; Céli, Didier ; Maneux, Cristell ; Schroter, Michael ; Pawlak, Andreas
    Dans : ESSDERC 2017 - 47th IEEE European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Leuven (France)
    https://hal.science/hal-01695262

    NF 50 Ohm: Improvement of the high frequency noise measurement bench 0.8 – 18 GHz of the NANOCOM platform
    Medzegue, Ghyslain ; de Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Thomas, Zimmer ; Deng, Marina
    Dans : 2nd IEEE Student Branch BEE Week, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-02512283

    1/f Noise in 3D vertical gate-all-around junction-less silicon nanowire transistors
    Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Pezard, Julien ; Larrieu, Guilhem
    Dans : 47th IEEE ESSDERC, Leuven (Belgium)
    https://hal.science/hal-01695259

    High frequency and noise performance of GFETs
    Wei, W. ; Fadil, D. ; Pallecchi, Emiliano ; Dambrine, Gilles ; Happy, Henri ; Deng, Marina ; Fregonese, S. ; Zimmer, T.
    Dans : 24th International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2017, Vilnius (Lithuania)
    https://hal.science/hal-01639676

    2016


    Comprehensive study of random telegraph noise in base and collector of advanced SiGe HBT: Bias, geometry and trap locations
    Mukherjee, C. ; Jacquet, T. ; Zimmer, T. ; Maneux, C. ; Chakravorty, A. ; Boeck, J. ; Aufinger, K.
    Dans : ESSDERC 2016 - 46th European Solid-State Device Research Conference, Lausanne (France)
    https://hal.science/hal-01695274

    Modelling delay degradation due to NBTI in FPGA Look-up tables
    Naouss, Mohammad ; Marc, François
    Dans : 26th International Conference on Field Programmable Logic and Applications (FPL 2016) , Lausanne (Switzerland)
    https://hal.science/hal-01661828

    Meander type transmission line design for on-wafer TRL calibration
    Potéreau, Manuel ; Deng, Marina ; Raya, C ; Ardouin, Bertrand ; Aufinger, Klaus ; Ayela, Cédric ; Dematos, Magalie ; Curutchet, Arnaud ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : EuMW 2016, Londres (United Kingdom)
    https://hal.science/hal-01301312

    Production and transportation planning based on a cooperative game approach
    Wang, Yiting ; Deschamps, Jean Christophe ; Dupas, Rémy
    Dans : ILS2016, 6th International Conference on Information Systems, Logistics and Supply Chain, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-01695913

    2015


    A new physics-based compact model for Bilayer Graphene Field-Effect Transistors
    Aguirre-Morales, Jorgue Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
    https://hal.science/hal-01235950

    Characterization and modeling of low-frequency noise in CVD-grown graphene FETs
    Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorgue-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Wei, Wei
    Dans : proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
    https://hal.science/hal-01235951

    Calibration of 1D doping profiles of SiGe HBTs
    Rosenbaum, T. ; Saxod, O. ; Vu, V. ; Celi, D. ; Chevalier, P. ; Schroter, M. ; Maneux, C.
    Dans : 2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, Boston (France)
    https://hal.science/hal-01695279

    Cooperative planning between manufacturer and transport operator: a game theory approach based on the Shapley value
    Wang, Yiting ; Deschamps, Jean Christophe ; Dupas, Rémy
    Dans : International France-China Workshop NICST’2015, New Information Communication Sciences and Technology for Sustainable Development, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-01695917

    A PROPOSAL OF USING DEVS MODEL FOR PROCESS MINING
    Wang, Yan ; Zacharewicz, Grégory ; Chen, David ; Kaba Traoré, Mamadou
    Dans : 27th European Modeling & Simulation Symposium (Simulation in Industry), Bergeggi (Italy)
    https://hal.science/hal-01536390

    2014


    Analytical Study of Performances of Bilayer and Monolayer Graphene FETs based on Physical Mechanisms
    Aguirre-Morales, J.D. ; Mukherjee, C. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : Graphene week, Toulouse (France)
    https://hal.science/hal-01002504

    Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature Variation
    Chhandak, Mukherjee ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Happy, H. ; Mele, David ; Maneux, Cristell
    Dans : Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, 44th European, Venise (Italy)
    https://hal.science/hal-01090864

    Statistical Study on the Variation of Device Performance in CVD-grown Graphene FETs
    Mukherjee, C. ; Morales, D.A. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : Graphene week 2014, Toulouse (France)
    https://hal.science/hal-01002511

    Extraction Procedure for Emitter Series Resistance Contributions in SiGeC BiCMOS Technologies
    Stein, F. ; Huszka, Z. ; Derrier, N. ; Maneux, C. ; Celi, D.
    Dans : IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, (Italy)
    https://hal.science/hal-00987233

    2013


    A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs
    Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-00905673

    Robustness of the Base Resistance Extraction Method for SiGe HBT Devices
    Stein, F. ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Derrier, N. ; Chevalier, P.
    Dans : ISCDG 2013, Dresden (Germany)
    https://hal.science/hal-00905789

    Advanced Extraction Procedure for Parasitic Collector Series Resistance Contributions in High-Speed BiCMOS Technologies
    Stein, F. ; Derrier, N. ; Maneux, Cristell ; Celi, Didier
    Dans : IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-00905747

    Investigation of the Base Resistance Contributions in SiGe HBT Devices
    Stein, F. ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Derrier, N. ; Chevalier, P.
    Dans : CAS 2013, Bucarest (Romania)
    https://hal.science/hal-00905654

    Modeling of mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
    Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : SBMicro 2013, Curitiba (Brazil)
    https://hal.science/hal-00905817

    Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs
    Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Raya, Cristian ; Santorelli, Marco ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : EDSSC 2013, Hong Kong (China)
    https://hal.science/hal-00905765

    Mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
    Weiss, M. ; Sahoo, A.K. ; Maneux, C. ; Fregonese, S. ; Zimmer, T.
    Dans : Chip in Curitiba 2013 - SBMicro 2013: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Curitiba (Brazil)
    https://hal.science/hal-00978734

    The potential of graphene for electronics
    Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell
    Dans : The International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices 2013, Hammamet (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00905774

    2012


    Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests
    A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Maher, H.
    Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2012, santa barbara (United States)
    https://hal.science/hal-01002159

    Characterization of Mutual Heating inside a SiGe Ring Oscillator
    Weiss, M. ; Ghosh, S. ; Santorelli, M. ; Chevalier, P. ; Chantre, A. ; Kumar Sahoo, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2012 IEEE, Portland (United States)
    https://hal.science/hal-01002179

    Pulsed I(V) - Pulsed RF Measurement System for Microwave Device Characterization with 80ns/45GHz
    Weiss, M. ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, M. ; Kumar Sahoo, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-01002174

    Pulsed I(V) pulsed RF measurement system for microwave device characterization with 80ns/45GHz
    Weis, Mario ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, Marco ; Kumar Sahoo, Amit ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012 Proceedings of the European, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-00978793

    2011


    Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT on Accelerated Aging Tests under Thermal and Electrical stresses
    A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
    Dans : 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-01002459

    Modeling of SiGe spike mono emitter HBT with HICUM in static and dynamic operations
    Bhattacharyya, Arkaprava ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2011 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, Atlanta (United States)
    https://hal.science/hal-00669452

    NQS modelling with HiCuM: What works, what doesn't
    Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : 24th BipAk, Munich (Germany)
    https://hal.science/hal-00590790

    NQS effect and implementation in compact transistor model
    Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : MOS-AK/GSA Workshop, Paris (France)
    https://hal.science/hal-00590784

    Electrical compact modelling of graphene transistors
    Fregonese, Sebastien ; Nguyen, Huu-Nha ; Majek, Cédric ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Meng, Nan ; Zimmer, Thomas
    Dans : Conference Graphene 2011, Bilbao (Spain)
    https://hal.science/hal-00588825

    Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design
    Ghosh, S. ; Grandchamp, B. ; A. Koné, G. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Y. Dupuy, J. ; Godin, J.
    Dans : 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-01002192

    System Level Analysis and Accurate Prediction of Electromigration
    Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
    Dans : European Workshop on CMOS Variability (VARI), Grenoble (France)
    https://hal.science/hal-00674319

    A 300 GHz InP/GaAsSb/InP HBT for high data rate applications
    Hassan, Maher, ; Delmouly, Vincent ; Rouchy, U. ; Renvoisé, Michel ; Frijlink, Peter ; Smith, Derek ; Zaknoune, M. ; Ducatteau, Damien ; Avramovic, Vanessa ; Scavennec, André ; Godin, Jean ; Riet, Muriel ; Maneux, Cristell ; Ardouin, Bertrand
    Dans : Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Berlin (Germany)
    https://hal.science/hal-00671674

    Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/GaAsSb DHBT
    Kone, Gilles Amadou ; Ghosh, S. ; Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Maher, H. ; Bourqui, M.L. ; Smith, D.
    Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011), Berlin (Germany)
    https://hal.science/hal-00585590

    Carbon-based Schottky barrier transistor: From compact modeling to digital circuit applications
    Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, Nouri
    Dans : 6th International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, DTIS'11, (France)
    https://hal.science/hal-00669416

    2010


    TCAD simulation and development within the European DOTFIVE project on 500GHz SiGe:C HBT's
    Al-Sa'Di, Mahmoud ; d'Alessandro, V. ; Fregonese, Sebastien ; Hong, S.M. ; Jungemann, C. ; Maneux, Cristell ; Marano, I. ; Pakfar, A. ; Rinaldi, N. ; Sasso, G. ; Schröter, M. ; Sibaja-Hernandez, A. ; Tavernier, C. ; Wedel, G.
    Dans : European Microwave Week 2010: Connecting the World, EuMIC 2010, Paris (France)
    https://hal.science/hal-00584869

    Modeling of a novel NPN-SiGe-HBT device structure using strain engineering technology in the collector region for enhanced electrical performance
    Al-Sa'Di, Mahmoud ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Austin (United States)
    https://hal.science/hal-00584860

    Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement through Employing Si3N4 Strain in the Collector Region
    Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : 218th ECS Meeting, Las Vegas (United States)
    https://hal.science/hal-00526042

    TCAD Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement Through Extrinsic Stress Layer
    Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
    https://hal.science/hal-00488682

    From nanoscale technology scenarios to compact device models for ambipolar devices
    Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems (ICECS), Athènes (Greece)
    https://hal.science/hal-00589113

    A compact model for double gate carbon nanotube FET
    Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : ESSDERC 2010, Séville (Spain)
    https://hal.science/hal-00584874

    Thermal aging model of InP/InGaAs/InP DHBT
    Ghosh, S. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Grandchamp, B. ; A. Koné, G. ; Zimmer, T.
    Dans : Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, gaeta (Italy)
    https://hal.science/hal-01002465

    Benchmarking of HBT Models for InP Based DHBT Modeling
    Ghosh, S. ; Zimmer, T. ; Ardouin, B. ; Maneux, C. ; Frégonèse, S. ; Marc, F. ; Grandchamp, B. ; Koné, G.A.
    Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
    https://hal.science/hal-00488687

    Predicting Lifetime using power consumption from 'Wattch'
    Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
    Dans : 6th International Summer School on Adv. Computer Arch. and Compilation for Embedded Systems, ACACES, Terrassa (Spain)
    https://hal.science/hal-00674317

    Reliability Aware ArchC based Processor Simulator
    Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
    Dans : IEEE Int. Integrated Reliability Workshop Final Report (IRW), lake Tahoe (United States)
    https://hal.science/hal-00674316

    High Level Power and Energy Exploration Using ArchC
    Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
    Dans : 22nd Int Computer Architecture and High Performance Computing (SBAC-PAD) Symp, Rio de Janeiro (Brazil)
    https://hal.science/hal-00674311

    Optically-Gated CNTFET compact model including source and drain Schottky barrier
    Liao, Si-Yu ; Najari, Montassar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, H. ; Masmoudi, N.
    Dans : 5th Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Hammamet (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00584845

    Electrical simulation of learning stage in OG-CNTFET based neural crossbar
    Retrouvey, J.M. ; Klein, Jacques-Olivier ; Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell
    Dans : 5th Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00671681

    A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
    Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
    Dans : First EuroGRAPHENE Symposium, Strasbourg (France)
    https://hal.science/hal-00588829

    2009


    Investigation of Electrical BJT Performance through Extrinsic Stress Layer Using TCAD Modeling
    Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : Semiconductor Conference Dresden 2009, Dresden (Germany)
    https://hal.science/hal-00399917

    A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
    Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Semiconductor Device Research Symposium, 2009. ISDRS '09. International, (United States)
    https://hal.science/hal-00450128

    Effects of various applications on relative lifetime of processor cores
    Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, T. ; Marc, F.
    Dans : IRW, Lake Tahoe (United States)
    https://hal.science/hal-00674313

    Effects of Power consumption and Temperature on Lifetime Reliability of ArchC based Processor Architecture
    Gupta, Tushar ; Bertolini, Clément ; Héron, Olivier ; Ventroux, Nicolas ; Zimmer, Thomas ; Marc, François
    Dans : Workshop on Design for Reliability and Variability, Austin (United States)
    https://hal.science/hal-00499484

    Effects of various applications on relative lifetime of processor cores
    Gupta, Tushar ; Héron, Olivier ; Zimmer, Thomas ; Ventroux, Nicolas ; Marc, François ; Bertolini, Clément
    Dans : International Integrated Reliability Workshop, South Lake Tahoe (United States)
    https://hal.science/hal-00499480

    Compact modeling of Optically-Gated Carbon NanoTube Field Effect Transistor
    Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : Trends in NanoTechnologies 2009, Barcelonna (Spain)
    https://hal.science/hal-00399897

    Modélisation compacte et transport balistique
    Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, T.
    Dans : ATELIER DU GDR NANOELECTRONIQUE DE LA REALITE ET DE L'INTERET DU TRANSPORT BALISTIQUE DANS LES COMPOSANTS NANOELECTRONIQUES, (France)
    https://hal.science/hal-00399887

    Conception fiabilisée pour les circuits à nanodispositifs
    Marc, François
    Dans : Atelier du GDR Nanoélectronique / SOP-SIC - De la modélisation des nanodispositifs aux circuits innovants, Bordeaux (France)
    https://hal.science/hal-00499488

    Analytical modeling of the tunneling current in schottky barrier carbon nanotube field effect transistor using the verilog-a language
    Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, Nouri
    Dans : ) 2009 6th International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00674301

    Efficient Physics-Based Compact Schottky Barrier Carbon Nanotube FET
    Najari, M. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Mnif, H. ; Masmoudi, N.
    Dans : Trends in NanoTechnologies 2009, Barcelonna (Spain)
    https://hal.science/hal-00399901

    2008


    Compact Model of a Dual Gate CNTFET: Description and Circuit Application
    Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 8th IEEE Conference on Nanotechnology, Arlington, TEXAS, USA (United States)
    https://hal.science/hal-00319955

    A Charge Approach for a Compact Model of Dual Gate CNTFET
    Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Tozeur (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00288046

    Toward compact model of Optical-Gated Carbon Nanotube Field Effect Transistor (OG-CNTFET)
    Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
    Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
    https://hal.science/hal-00337487

    Ge Base Profile Engineering in SiGe:C HBTs for Power Amplifier Applications : Influence on Current Gain and Input Impedance over a Wide Range of Temperature
    Mans, P.M. ; Jouan, S. ; Brossard, F. ; Comte, Myriam ; Pache, D. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : 4th International SiGe Technology and Device Meeting, (Taiwan)
    https://hal.science/hal-00327467

    Germanium Base Profile Optimization to Improve fT Characteristics at High Injection in RF Power SiGe:C HBTs
    Mans, P.M. ; Jouan, S. ; Pakfar, A. ; Fregonese, S. ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
    Dans : 7th IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, Orlando (United States)
    https://hal.science/hal-00327463

    Prévision du vieillissement des composants en utilisation et de l'effet sur l'évolution paramétrique des fonctions analogiques
    Marc, François ; Bestory, Corinne ; Lévi, Hervé
    Dans : GDR SoC-SiP, Paris (France)
    https://hal.science/hal-00326618

    Approche statistique de la fiabilité : application à la fiabilité des systèmes et aux mécanismes d'usure
    Marc, François
    Dans : Atelier ANADEF2008, Port d'Albret (France)
    https://hal.science/hal-00326601

    COMPACT MODELING OF THE SCHOTTKY BARRIER JUNCTION IN THE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR
    Najari, Montassar ; Frégonèse, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hasséne ; Masmoudi, Nouri
    Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
    https://hal.science/hal-00337489

    Towards Compact Modelling of Schottky Barrier CNTFET
    Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, N.
    Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00288040

    2007


    Modèle compact du transistor double grille CNTFET
    Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Journées thématiques sur la simulation multiphysique de composants et dispositifs nanométriques, Lille (France)
    https://hal.science/hal-00197536

    LF noise analysis of InP/GaAsSb/InP and InP/InGaAs/InP HBTs
    Maneux, C. ; Grandchamp, B. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J. ; Bove, Ph.
    Dans : 19th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (Japan)
    https://hal.science/hal-00401338

    Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C pour les applications d'amplification de puissance
    Mans, P.M. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Jouan, S.
    Dans : Journées Nationales du Réseau Doctorant en Microélectronique, Lille (France)
    https://hal.science/hal-00327470

    Investigation of Ge content in the BC transition region with respect to transit frequency
    Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Pakfar, A. ; Fregonese, Sebastien ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 20th BipAk, Munchen (Germany)
    https://hal.science/hal-00189397

    2006


    Multi-level Modeling of hot carrier injection for reliability simulation using VHDL-AMS
    Bestory, Corinne ; Marc, François ; Levi, Herve ; Danto, Yves
    Dans : Forum on Specification and Design Languages, (Germany)
    https://hal.science/hal-00181895

    SiGe HBT design for CMOS compatible SOI
    Chantre, Alain ; Avenier, Gregory ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Saguin, Fabienne. ; Maneux, Cristell ; Dutartre, Didier ; Zimmer, Thomas
    Dans : International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, (United States)
    https://hal.science/hal-00187273

    Modélisation compacte du transistor à nanotube de carbone
    Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Zimmer, Thomas
    Dans : Journées thématiques du Club EEA, Nanoélectronique, (France)
    https://hal.science/hal-00181996

    Analysis of CNTFET physical compact model
    Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Cazin d'Honincthun, Hughes ; Galdin-Retailleau, S.
    Dans : IEEE Design and Test of integrated Systems In Nanoscale Technology, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00181481

    La simulation de l'usure des circuits intégrés analogique : prise en compte de l'interaction fonction, profil de misssion, circuit
    Marc, François ; Bestory, Corinne ; Levi, Herve ; Danto, Yves
    Dans : ANADEF2006, (France)
    https://hal.science/hal-00181894

    2005


    A self-aligned vertical HBT for thin SOI SiGeC BiCMOS
    Avenier, Gregory ; Schwartzmann, Thierry ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Rubaldo, Laurent ; Dutartre, Didier ; Boissonnet, L. ; Saguin, Fabienne ; Pantel, Roland ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, A.
    Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
    https://hal.science/hal-00181977

    Study of Degradations in PCB Interconnections for High Frequency Applications
    Duchamp, Geneviève ; Verdier, Frédéric ; Levrier, Bruno ; Marc, François ; Ousten, Yves ; Danto, Yves
    Dans : IPFA 2005, (Singapore)
    https://hal.science/hal-00181898

    A Hicum SOI extension
    Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
    Dans : 5th European HICUM Workshop, (France)
    https://hal.science/hal-00181989

    Base-collector junction charge investigation of Si/SiGe HBT on thin film SOI
    Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
    Dans : European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2005, (France)
    https://hal.science/hal-00181980

    A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT
    Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
    Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
    https://hal.science/hal-00181979

    A GaAsSb/InP HBT circuit technology
    Godin, Jean ; Riet, Muriel ; Konczykowska, A. ; Berdaguer, P. ; Kahn, Myrtil L. ; Bove, Philippe ; Lareche, H. ; Langer, R. ; Lijadi, Mélania ; Pardo, F. ; Bardou, N. ; Pelouard, Jean-Luc ; Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bru-Chevallier, Catherine ; Chouaib, H. ; Benyattou, T.
    Dans : Conference GaAs 2005, (France)
    https://hal.science/hal-00183099

    Evidence of RTS noise in emitter-base periphery of InP/GaAsSb/InP HBT
    Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J.
    Dans : 20th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (France)
    https://hal.science/hal-00401340

    Improvement of ageing simulation of electronic circuits based on behavioural modelling
    Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Bestory, Corinne ; Levi, Herve ; Danto, Yves
    Dans : IPFA 2005, (Singapore)
    https://hal.science/hal-00181897

    First steps toward ageing simulation of complex analogue circuits with behaioural modelling
    Marc, François ; Danto, Yves
    Dans : International Reliability Workshop 2005 (IRW2005), (United States)
    https://hal.science/hal-00181896

    2004


    Scalable bipolar transistor modelling with HICUM L0
    Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
    Dans : 4th European HICUM Workshop, (France)
    https://hal.science/hal-00181991

    Scalable Substrate Modeling based on 3D Physical Simulation Substrat
    Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
    Dans : XIX Conference on Design of Circuits and Integrated Systems - DCIS, (France)
    https://hal.science/hal-00181985

    Scalable Bipolar Transistor Modelling with HICUM
    Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
    Dans : IEEE Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
    https://hal.science/hal-00181984

    Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase
    Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
    Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (Canada)
    https://hal.science/hal-00181982

    Simulation Physique des mécanismes de recombinaisons d'un TBH InP/GaAsSb/InP
    Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A.
    Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, La Grande Motte (France)
    https://hal.science/hal-00401365

    InP/GaAsSb/InP DHBT: Analysis of specific material parameters and high current effect by physical simulation
    Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
    Dans : Conference GAAS 2004, (Netherlands)
    https://hal.science/hal-00183102

    InP based HBT reliability
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
    Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
    https://hal.science/hal-00183101

    Analysis of avalanche regime in InP HBT's using physical simulation - Implementation in a DC Model
    Maneux, Cristell ; Martin, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
    Dans : International Conference on Industrial Technology, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00183100

    Modélisation comportementale de la fiabilité des circuits intégrés complexes
    Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
    Dans : RTP Fiabilité, (France)
    https://hal.science/hal-00181918

    InP/InGaAs/InP DHBT submitted to bias and thermal stresses: LF base noise analysis
    Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
    Dans : SPIE Fluctuation and Noise Conference, (Spain)
    https://hal.science/hal-00183103

    CMOS transistor electrical ageing experiments to build VHDL-AMS behavioral models
    Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Danto, Yves
    Dans : IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2004, (United States)
    https://hal.science/hal-00181900

    A CMOS Analogue Function VHDL-AMS Behavioral Ageing Model
    Mongellaz, Benoit ; Marc, François ; Bestory, Corinne ; Danto, Yves
    Dans : IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE) 2004, (France)
    https://hal.science/hal-00181899

    2003


    Limitations des performances du TBH InP/GaAsSb/InP à forts niveaux d'injection
    Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
    Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
    https://hal.science/hal-00183471

    Analyse de la dégradation des performances des TBH InP/GaAsSb/InP aux forts niveaux de courant
    Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
    Dans : Journées Nationales Microondes 2003, (France)
    https://hal.science/hal-00183467

    Simulation physique de TBH SiGe : Etude du temps de transit sur une structure 1D et 2D
    Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas
    Dans : Journées Nationales du GDR Nanoélectronique - 4èmes Journées, (France)
    https://hal.science/hal-00181992

    Modèles de dégradation des TBH sur substrat InP
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
    Dans : Journées électroniques du CLUB EEA et du RTP 31 : Fiabilité des Composants et Packaging, (France)
    https://hal.science/hal-00183472

    InP-based HBT Reliability
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Godin, Jean ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Riet, Muriel
    Dans : 2003 European Microwave Week, Workshop on Reliability of microwave devices, (Germany)
    https://hal.science/hal-00183104

    Prévision de l'impact du vieillissement des composants sur le comportement des circuits
    Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
    Dans : Workshop MicroNanotechnologies, (France)
    https://hal.science/hal-00181919

    Reliability simulation of electronic circuits with VHDL- AMS
    Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
    Dans : Forum on Specification and Design Languages - FDL'03, (Germany)
    https://hal.science/hal-00181903

    Modélisation comportementale et fiabilité des systèmes
    Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
    Dans : Journées électroniques du Club EEA : La fiabilité de microélectronique et microtechnologies, (France)
    https://hal.science/hal-00181902

    Fiabilité du TBH sur InP - Analyse du Bruit aux Basses Fréquences
    Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
    Dans : Journées Nationales Microondes - JNM, (France)
    https://hal.science/hal-00183470

    Extrinsic leakage current on InP/InGaAs DHBTs
    Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
    Dans : 2003 IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (United States)
    https://hal.science/hal-00183469

    Analyse des courants de fuite extrinsèques des HBTs InP/InGaAs
    Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
    Dans : Journées Scientifiques Francophones Electronique, Télécoms et Informatique, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00183468

    Modèle Comportemental VHDL-AMS d'un Amplificateur CMOS à Transconductance: Application à la conception de filtres
    Mongellaz, Benoit ; Schmitt, Anne ; Lewis, Noëlle ; Marc, François ; Danto, Yves
    Dans : SETIT 2003, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00181901

    2002


    Fiabilité du TBH à double hétérojonction sur InP : Résultats préliminaires
    Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
    Dans : Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique 2002, (France)
    https://hal.science/hal-00183473

    Caractérisation électrique et modélisation de l'ionisation par impact sur des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur InP
    Martin, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
    Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral Microélectronique 2002, (France)
    https://hal.science/hal-00183105

    2001


    Experimental Evidence of Impact Ionisation in InP HBT's Designed for Rapid Digital Applications:Implementation in a DC Model
    Maneux, Cristell ; Martin, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Benchimol, Jean-Louis
    Dans : ESSDERC, (Germany)
    https://hal.science/hal-00183474

    2000


    Use of Genetic Algorithm for Efficient Integrated Circuits Compact Modelling and Parameter Extraction
    Ardouin, Bertrand ; Zimmer, Thomas ; Batiste Duluc, Jean ; Marc, Francois ; Fouillat, Pascal
    Dans : ACIDCA'2000, Monastir (Tunisia)
    https://hal.science/hal-00189377

    Genetic Algorithm Optimisation for Evanescent Mode Waveguide Filter Design
    Lecouve, Marc ; Jarry, Pierre ; Kerherve, Eric ; Boutheiller, Nicolas ; Marc, François
    Dans : 2000 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Emerging Technologies for the 21st Century, (Switzerland)
    https://hal.science/hal-00181906

    CAD of evanescent mode waveguide filter with genetic algorithm optimization
    Lecouve, Marc ; Boutheiller, Nicolas ; Jarry, Pierre ; Kerherve, Eric ; Marc, François
    Dans : IEEE Microwaves Symposium 2000, (Morocco)
    https://hal.science/hal-00181905

    Algorithme génétique adapté à la conception d'un filtre en guide d'ondes à modes évanescents
    Lecouve, Marc ; Boutheiller, Nicolas ; Jarry, Pierre ; Kerherve, Eric ; Marc, François
    Dans : NUMELEC'2000, Conférence Européenne sur les Méthodes Numériques en Electromagnétisme, (France)
    https://hal.science/hal-00181904

    1999


    Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis
    Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
    Dans : IEEE GaAs Reliability Workshop, (United States)
    https://hal.science/hal-00183476

    TBH GaInP/GaAs planar : Analyse de deux mécanismes de défaillances
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
    Dans : Journées Nationales Microélectroniques et optoélectroniques, (France)
    https://hal.science/hal-00183479

    Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
    Dans : IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, (United Kingdom)
    https://hal.science/hal-00183478

    Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
    Dans : Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, (France)
    https://hal.science/hal-00183477

    Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology
    Maneux, Cristell ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
    Dans : State-Of-The-Art Program on compound Semiconductros XXX, Ed. Electrochem. Soc, (United States)
    https://hal.science/hal-00183475

    1998


    Evolution of base current in C-In doped GaInP/GaAs HBT under current induced stress
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : European Solid State Device Research Conference (Ed. Frontières), ESSDERC, (France)
    https://hal.science/hal-00183480

    1997


    Ultrasonic images interpretation improvement for microassembling technologies characterization
    Bechou, Laurent ; Ousten, Yves ; Tregon, Bernard ; Marc, François ; Danto, Yves ; Kertesz, Philippe
    Dans : ESREF 97, (France)
    https://hal.science/hal-00181907

    Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : ESREF'97, (France)
    https://hal.science/hal-00183483

    Evaluation de la fiabilité du TBH GaAs : justification d'un protocole expérimental spécifique
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
    Dans : Journée TBH dans le cadre des Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
    https://hal.science/hal-00183482

    Analysis of GaAs HBT failure mechanisms : impact on the life testing strategy
    Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
    Dans : International Symposium on the Physical and Failure Analysis of integrated circuits, (Singapore)
    https://hal.science/hal-00183481

    Fault and Diagnosis on a Successive Approximation ADC
    Marc, Francois ; Dallet, Dominique ; Danto, Yves
    Dans : IMTC97, Ottawa (Canada)
    https://hal.science/hal-01182421

    1996


    Caractérisation d'un dysfonctionnement du HEMT et impact sur une application système
    Saysset, Nathalie ; Dumas, Jean-Michel ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : 5ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
    https://hal.science/hal-00183484

    1995


    Quality evaluation of S-HEMTs and PM-HEMTs by drain current transients and L.F. channel noise analysis
    Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : ESREF'95, (France)
    https://hal.science/hal-00183486

    Comparison of 1/f noise sources in single-well and pseudomorphic HEMTs
    Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF'95,, (Lithuania)
    https://hal.science/hal-00183485

    1994


    Critères de choix des méthodes et des techniques
    Barre, M. ; Marc, François
    Dans : S.E.E. 4e atelier du cercle thématique 21-70 - Techniques d'analyse de défaillance des composants électroniques, (France)
    https://hal.science/hal-00181920

    Les besoins du test interne pour la localisation de défauts
    Marc, François
    Dans : S.E.E. Cercle thématique 21-70 - Localisation des défauts sur circuits intégrés, (France)
    https://hal.science/hal-00181908

    Quality evaluation of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs by LF excess noise analysis
    Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : ESREF'94, (United Kingdom)
    https://hal.science/hal-00183489

    Comparaison de HEMTs AlGaAs/GaAs et AlGaAs/InGaAs par l'analyse du bruit basses fréquences
    Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
    Dans : Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
    https://hal.science/hal-00183488

    Analyse technologique de composants GaAs : méthodologie - complémentarité avec la caractérisation électrique
    Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Danto, Yves
    Dans : 4ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
    https://hal.science/hal-00183487

    1993


    approach of integrated circuits failure location by voltage contrast in a scanning electron microscope
    Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Danto, Yves ; Barre, M. ; Nouet, C.
    Dans : ESREF, (France)
    https://hal.science/hal-00181909

    1992


    Méthodologie de test sans contact
    Marc, François
    Dans : S.E.E. 3e atelier du cercle thématique 21-70 -Techniques d'analyse de défaillance des composants électroniques, (France)
    https://hal.science/hal-00181921

    A fast VLSI SRAM mapping methodology using voltage contrast techniques on SEM
    Marc, François ; Fremont, Hélène ; Jounet, Paul ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
    Dans : ESREF, Schwäbisch-Gmünd (Germany)
    https://hal.science/hal-00181911
    Conférences invitées → 24 Voir

    2022


    Circuit Design Flow dedicated to 3D vertical nanowire FET
    Maneux, Cristell ; Chhandak, Mukherjee ; Deng, Marina ; Neckel Wesling, Bruno ; Réveil, Lucas ; Stanojevic, Zlatan ; Baumgartner, Oskar ; O'Connor, Ian ; Poittevin, Arnaud ; Larrieu, Guilhem
    Dans : IEEE Latin American Electron Devices Conference (LAEDC 2022), Puebla (Mexico)
    https://hal.science/hal-03765071

    2021


    Electro-thermal limitations and device degradation of SiGe HBTs with emphasis on circuit performance (Invited)
    Fregonese, Sebastien ; Chhandak, Mukherjee ; Rucker, Holger ; Chevalier, Pascal ; Fischer, Gerhard ; Céli, Didier ; Deng, Marina ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Monterey (United States)
    https://hal.science/hal-03408053

    2019


    On wafer small signal characterization beyond 100 GHz for compact model assessment
    Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; Ranjan Panda, Soumya ; Zimmer, Thomas
    Dans : European Microwave Week Workshop Recent advances in SiGe BiCMOS: technologies, modelling & circuits for 5G, radar & imaging, Paris (France)
    https://hal.science/hal-02386275

    Breakdown Voltage, SOA and Aging of HBTs: A Physics Base approach for Compact modeling
    Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier
    Dans : 31th Bipolar ArbeitsKreis, Crolles (France)
    https://hal.science/hal-02511653

    Advances in Aging Compact Model for Hot Carrier Degradation in SiGe HBTs under Dynamic Operating conditions for reliability-aware circuit design
    Mukherjee, C ; Marc, F. ; Couret, M ; Fischer, G ; Jaoul, M ; Celi, D. ; Aufinger, K ; Zimmer, T. ; Maneux, C.
    Dans : European Microwave Week Workshop Recent advances in SiGe BiCMOS: technologies, modelling & circuits for 5G, radar & imaging, Paris (France)
    https://hal.science/hal-02386290

    Modelling and Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications Modeling and characterization of HBT in THz range
    Zimmer, Thomas ; Deng, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien
    Dans : XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices: IWPSD 2019, Kolkata (India)
    https://hal.science/hal-02453238

    2018


    2D RF Electronics: from devices to circuits - challenges and applications
    Fadil, Dalal ; Wei, Wei ; Pallecchi, Emiliano ; Anderson, M ; Stake, Jan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Happy, Henri
    Dans : 2018 76th Device Research Conference (DRC), Santa Barbara (United States)
    https://hal.science/hal-02372652

    Extension of HICUM/L2 Avalanche Model at High Current: Proposal
    Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier ; Schröter, Michael
    Dans : 18th HICUM Workshop, Munich (Germany)
    https://hal.science/hal-02511651

    High Current Impact Ionization Model
    Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier ; Schröter, Michael
    Dans : HICUM WORKSHOP, Munich (Germany)
    https://hal.science/hal-01820049

    Measurement issues of on-Silicon de- embedding test structures in the Sub-THz range
    Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; de Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
    Dans : AKB working group, Frickenhausen (Germany)
    https://hal.science/hal-02380246

    2017


    Practical implementation of reliability aware compact models in simulation software environnement
    Ardouin, Bertrand ; Thomas, Zimmer ; Dupuy, Jean-Yves ; Godin, Jean ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Marc, François ; Koné, Gilles Amadou ; Gosh, S. ; Grandchamps, B ; Maneux, Cristell
    Dans : Bipolar ArbeitsKreis, Erfurt (Germany)
    https://hal.science/hal-02511647

    Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications
    Fregonese, S. ; Deng, M ; Potereau, M ; de Matos, M. ; Zimmer, T.
    Dans : Conférence invitée, 2nd Sino MOS-AK Workshop, Hangzhou (China)
    https://hal.science/hal-02379050

    High frequency and noise performance of GFETs
    Wei, W. ; Fadil, D. ; Deng, Marina ; Fregonese, S. ; Zimmer, T. ; Pallecchi, E. ; Dambrine, Gilles ; Happy, H.
    Dans : 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Vilnius (Lithuania)
    https://hal.science/hal-01695812

    2016


    TCAD setup for an advanced SiGe HBT technology applied to the HS, MV and HV transistor versions
    Rosenbaum, Tommy ; Céli, Didier ; Schröter, Michael ; Maneux, Cristell
    Dans : Bipolar ArbeitsKreis, München (Germany)
    https://hal.science/hal-02511643

    2015


    Graphene FET evaluation for RF and mmWave circuit applications
    Fregonese, Sebastien ; Morales, Jorgue Daniel Aguirre ; de Matos, Magali ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : Circuits and Systems (ISCAS), 2015 IEEE International Symposium on, Lisbonne (Portugal)
    https://hal.science/hal-01235960

    Substrate-coupling effect in BiCMOS technology for millimeter wave applications
    Fregonese, Sebastien ; d'Esposito, Rosario ; de Matos, Magali ; Kohler, Andreas ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    Dans : New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Grenoble (France)
    https://hal.science/hal-01235958

    Breakdown mechanisms in advanced SiGe HBTs: scaling and TCAD calibration
    Rosenbaum, Tommy ; Céli, Didier ; Schröter, Michael ; Maneux, Cristell
    Dans : Bipolar ArbeitsKreis, Unterpremstätten (Austria)
    https://hal.science/hal-02511642

    Parameter extraction and enhanced scaling laws for advanced SiGe HBTs with HICUM Level 2
    Rosenbaum, Tommy ; Céli, Didier ; Schröter, Michael ; Maneux, Cristell
    Dans : WorkShop Modeling of Systems AK, Grenoble (France)
    https://hal.science/hal-02511613

    2014


    The potential of graphene for RF applications
    Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
    Dans : BIT's 3rd World Congress of Advanced Materials, (China)
    https://hal.science/hal-01002132

    Electro-Thermal Investigation and Modeling of Sige Hbt High-Speed Devices
    Zimmer, Thomas ; Weiss, Mario ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien
    Dans : SiGe, Ge & Related Compounds: Materials, Processing and Devices, (Mexico)
    https://hal.science/hal-00987211

    2013


    Electro-Thermal Device Characterization & Modelling
    Fregonese, Sebastien ; Kumar Sahoo, Amit ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell
    Dans : OBip: Open Bipolar Workshop at BCTM in Bordeaux, (France)
    https://hal.science/hal-00987256

    The potential of graphene for electronics
    Zimmer, T. ; Fregonese, S. ; Maneux, Cristell
    Dans : SDD, International Multi-Conference on Systems Signals & Devices, (Tunisia)
    https://hal.science/hal-01002124

    2011


    Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs
    Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Curutchet, Arnaud ; Grandchamp, Brice
    Dans : INCF 2011, Toronto (Canada)
    https://hal.science/hal-00585593

    2003


    Low frequency noise as early indicator of degradation in compound semiconductor FETs and HBTs
    Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
    Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
    https://hal.science/hal-00183106
    Chapitres d'ouvrages scientifiques → 2 Voir

    2021


    3D Logic Cells Design and Results Based on Vertical NWFET Technology Including Tied Compact Model
    Poittevin, Arnaud ; Mukherjee, Chhandak ; O'Connor, Ian ; Maneux, Cristell ; Larrieu, Guilhem ; Deng, Marina ; Le Beux, Sébastien ; Marc, François ; Lecestre, Aurélie ; Marchand, Cédric ; Kumar, Abhishek
    https://hal.laas.fr/hal-03371673

    2004


    Reliability simulation of electronic circuits with VHDL- AMS
    Marc, François ; Mongellaz, Benoit ; Danto, Yves
    https://hal.science/hal-00181922
    Rapport de recherche → 1 Voir

    2016


    Modèle dans NANOHUB : Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs 1.0.0
    Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
    https://hal.science/hal-01399947
    Theses → 4 Voir

    2022


    Development of the first compact model for ultra-fast UTC (Uni-travelling carrier) photodiodes towards monolithic integration of photonic and nanoelectronic technologies
    Guendouz, Djeber
    https://theses.hal.science/tel-03892817

    CMOS 180 nm Compact Modeling Including Ageing Laws for Harsh Environment
    Tran, Thi-Phuong-Yen
    https://theses.hal.science/tel-03783471

    2018


    An integrative process mining approach to mine discrete event simulation model from event data
    Wang, Yan
    https://theses.hal.science/tel-01952795

    A game theory approach for the collaborative planning of production and transportation activities in the supply chain
    Wang, Yiting
    https://theses.hal.science/tel-01801037