Samuel REDOIS soutiendra sa thèse, vendredi 9 octobre à 10h30, dans l'Amphi J-P. DOM du Laboratoire IMS, sur le sujet suivant :"Conception et réalisation d’amplificateurs de puissance bande X en technologie SiGe pour applications Radar".

« Afin de répondre à l’augmentation de l’intégration et de la montée en puissance des systèmes électroniques aéroportés, de nouvelles architectures Radar vont être développées. Pour répondre à ces enjeux technologiques, les technologies silicium sont en voie de remplacer certaines technologies III-V, comme l’AsGa, dans la réalisation de nombreuses fonctions. En particulier, plusieurs travaux ont montré la pertinence de la technologie SiGe grâce sa tenue en puissance, sa miniaturisation ainsi que son fonctionnement en haute fréquence. Dans le but d’assurer un fonctionnement haute puissance, tout conservant les critères de fiabilité relatifs aux applications Radar à antennes actives, plusieurs architectures équilibrées ont été développées. Une méthodologie de conception des combineurs de puissance et des amplificateurs est développée afin de bénéficier au maximum des avantages proposés par la technologie SiGe. Ces circuits sont intégrés, puis validés, afin de mettre en exergue la pertinence de la technologie SiGe pour des applications moyenne et haute puissance en bande X. »