Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système

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NANOELECTRONIQUE / MODEL
0540002858
A31A A1 13

Total : 217

Articles in peer-reviewed journal → 73 Show

2021


Compact Modeling of 3D Vertical Junctionless Gate-allaround Silicon Nanowire Transistors Towards 3D Logic Design
Chhandak, Mukherjee ; Poittevin, Arnaud ; O'Connor, Ian ; Larrieu, Guilhem ; Maneux, Cristell
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03429568

Towards Monolithic Indium Phosphide (InP)-Based Electronic Photonic Technologies for beyond 5G Communication Systems
Chhandak, Mukherjee ; Deng, Marina ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Mismer, Colin ; Guendouz, Djeber ; Caillaud, Christophe ; Bertin, Hervé ; Vaissiere, Nicolas ; Luisier, Mathieu ; Wen, Xin ; De Matos, Magali ; Mounaix, Patrick ; Maneux, Cristell
Dans : MDPI Applied Sciences - Special Issue on State-of-the-art Terahertz Science and Technology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03163305

Performance Prediction of InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors for THz applications
Wen, Xin ; Arabhavi, Akshay ; Quan, Wei ; Ostinelli, Olivier ; Chhandak, Mukherjee ; Deng, Marina ; Frégonèse, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Bolognesi, Colombo ; Luisier, Mathieu
Dans : Journal of Applied Physics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03280514

2020


A unified aging compact model for hot carrier degradation under mixed-mode and reverse E-B stress in complementary SiGe HBTs
Chhandak, Mukherjee ; Fischer, G.G. ; Marc, F ; Couret, Marine ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03014952

Scalable compact modeling of trap generation near the EB spacer oxide interface in SiGe HBTs
Couret, Marine ; Jaoul, Mathieu ; Marc, François ; Mukherjee, Chhandak ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02541991

Design of On-Wafer TRL Calibration Kit for InP Technologies Characterization up to 500 GHz
DENG, Marina ; Mukherjee, Chhandak ; Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; De Matos, Magali ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay Mahadev ; Bolognesi, Colombo ; Wen, Xin ; Luisier, Mathieu ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03088017

Efficient compact modelling of UTC-photodiode towards terahertz communication system design
Mukherjee, Chhandak ; Natrella, Michele ; Seddon, James ; Graham, Chris ; Mounaix, Patrick ; Renaud, Cyril ; Maneux, Cristell
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02651295

A physical and versatile aging compact model for hot carrier degradation in SiGe HBTs under dynamic operating conditions
Mukherjee, C. ; Marc, F. ; Couret, M. ; Fischer, G.G. ; Jaoul, M. ; Céli, D. ; AUFINGER, K. ; Zimmer, T. ; Maneux, C.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02475429

2019


A Compact Formulation for Avalanche Multiplication in SiGe HBTs at High Injection Levels
Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Celi, Didier ; Schröter, Michael ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02379143

Scalable Modeling of Thermal Impedance in InP DHBTs Targeting Terahertz Applications
Mukherjee, Chhandak ; Couret, Marine ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, J.-Y. ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02372518

A Multiscale TCAD Approach for the Simulation of InP DHBTs and the Extraction of Their Transit Times
Wen, Xin ; Mukherjee, Chhandak ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay ; Ostinelli, Olivier ; Bolognesi, Colombo ; Maneux, Cristell ; Luisier, Mathieu
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02379133

2018


Scalable Compact Modeling of III–V DHBTs: Prospective Figures of Merit Toward Terahertz Operation
Mukherjee, Chhandak ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Luisier, Mathieu ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay ; Bolognesi, Colombo ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985507

2017


A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sébastien ; Mukherjee, Chhandak ; Wei, Wei ; Happy, Henri ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639648

Multiscaled simulation methodology for neuro-inspired circuits demonstrated with an organic memristor
BENNETT, christopher ; Lorival, Jean-Etienne ; Marc, François ; Cabaret, Théo ; Jousselme, Bruno ; Derycke, Vincent ; Klein, Jacques-Olivier ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Multi-Scale Computing Systems
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01656702

Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications
Chevalier, Pascal ; Schroter, Michael ; Bolognesi, Colombo R. ; d'Alessandro, Vincenzo ; Alexandrova, Maria ; Bock, Josef ; Flickiger, Ralf ; Fregonese, Sébastien ; Heinemann, Bernd ; Jungemann, C. ; Lovblom, Rickard ; Maneux, Cristell ; Ostinelli, Olivier ; Pawlak, Andreas ; Rinaldi, Niccolo ; Rucker, Holger ; Wedel, Gerald ; Zimmer, Thomas
Dans : Proceedings of the IEEE
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639677

Microscopic Hot-Carrier Degradation Modeling of SiGe HBTs Under Stress Conditions Close to the SOA Limit
Kamrani, Hamed ; Jabs, Dominic ; d'Alessandro, Vincenzo ; Rinaldi, Niccolo ; Jacquet, Thomas ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Aufinger, Klaus ; Jungemann, Christoph
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695268

Random telegraph noise in SiGe HBTs: Reliability analysis close to SOA limit
Mukherjee, C. ; Jacquet, T. ; Chakravorty, A. ; Zimmer, T. ; Boeck, J. ; AUFINGER, K. ; Maneux, C.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695265

Hot-Carrier Degradation in SiGe HBTs: A Physical and Versatile Aging Compact Model
Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Fischer, Gerhard ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695254

Reliability-Aware Circuit Design Methodology for Beyond-5G Communication Systems
Mukherjee, Chhandak ; Ardouin, Bertrand ; Dupuy, Jean-Yves ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Zimmer, Thomas ; Marc, François ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01670929

2016


Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part I: Analysis
Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399855

Low-Frequency Noise in Advanced SiGe:C HBTs—Part II: Correlation and Modeling
Mukherjee, Chhandak ; Jacquet, Thomas ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399852

2015


An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235964

Source-Pull and Load-Pull Characterization of Graphene FET
Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; MELE, David ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Journal of the Electron Devices Society
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090826

Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit
Jacquet, T. ; Sasso, G. ; Chakravorty, A. ; Rinaldi, N. ; AUFINGER, K. ; Zimmer, T. ; D'Alessandro, V. ; Maneux, C.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695288

Versatile Compact Model for Graphene FET Targeting Reliability-Aware Circuit Design
Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01127979

A Geometry Scalable Model for Nonlinear Thermal Impedance of Trench Isolated HBTs
Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Desposito, Rosario ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090801

Isothermal Electrical Characteristic Extraction for mmWave HBTs
Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090791

2014


Innovative Dual-Gate CNTFET Logic Cell: Investigation of Technological Dispersion Impact Through Compact Modeling
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090852

InP HBT Thermal Management by Transferring to High Thermal Conductivity Silicon Substrate
THIAM, Ndèye Arame ; Roelens, Yannick ; Coinon, Christophe ; Avramovic, Vanessa ; Grandchamp, Brice ; Ducateau, D. ; Wallart, Xavier ; Maneux, Cristell ; Zaknoune, Mohamed
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090844

2013


Benchmarking of GFET devices for amplifier application using multiscale simulation approach
Fregonese, Sébastien ; Potereau, Manuel ; Deltimple, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Journal of Computational Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00918225

Scalable Electrical Compact Modeling for Graphene FET Transistors
Fregonese, Sébastien ; Magallo, Maura ; Maneux, Cristell ; Happy, H. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906225

Submicrometer InP/InGaAs DHBT Architecture Enhancements Targeting Reliability Improvements
Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Godin, Jean ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909053

Multiscale simulation of carbon nanotube transistors
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Retailleau, Sylvie ; Nguyen, Huu Nha ; Querlioz, Damien ; Bournel, Arnaud ; Dollfus, Philippe ; Triozon, François ; Niquet, Yann-Michel ; Roche, Stephan
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906950

80 ns/45 GHz Pulsed measurement system for DC and RF characterization of high speed microwave devices
Weib, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Santorelli, Marco ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909009

Optimized Ring Oscillator With 1.65-ps Gate Delay in a SiGe:C HBT Technology
Weib, Mario ; Majek, Cédric ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Mazouffre, Olivier ; Chevalier, Pascal ; Chantre, Alain ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906390

2012


Electrical compact modelling of graphene transistors
Fregonese, Sebastien ; Meng, N. ; Nguyen, H.-N. ; MAJEK, C. ; Maneux, C. ; Happy, H. ; Zimmer, T.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002093

Characterization and Modeling of Graphene Transistor Low-Frequency Noise
Grandchamp, Brice ; Fregonese, Sebastien ; Majek, Cédric ; Hainaut, Cyril ; Maneux, Cristell ; Meng, Nan ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669458

2011


A compact model for dual-gate one-dimensional FET: Application to carbon-nanotube FETs
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584879

Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design
Ghosh, S. ; Grandchamp, B. ; Koné, G.A ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Dupuy, J.-Y. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671676

Trends in submicrometer InP-based HBT architecture targeting thermal management
Grandchamp, Brice ; Nodjiadjim, Virginie ; Zaknoune, M. ; Koné, Gilles Amadou ; Hainaut, Cyril ; Godin, Jean ; Riet, M. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671675

Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses
Koné, G. A. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00670550

Design and Modeling of a Neuro-Inspired Learning Circuit Using Nanotube-Based Memory Devices
Liao, Si-Yu ; Retrouvey, J.M. ; Agnus, G. ; Zhao, W. ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chabi, D. ; Filoramo, A. ; Derycke, Vincent ; Gamrat, C. ; Klein, J.O.
Dans : IEEE Transactions on Circuits and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584909

Schottky barrier carbon nanotube transistor: Compact modeling, scaling study, and circuit design applications
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Masmoudi, N. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584876

2010


A versatile compact model for ballistic 1D transistor: GNRFET and CNTFET comparison
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00512742

Thermal aging model of InP/InGaAs/InP DHBT
Gosh, S. ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Grandchamp, Brice ; Koné, Gilles Amadou ; Zimmer, Thomas
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674295

Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/InGaAs DHBT
Koné, Gilles Amadou ; Grandchamp, Brice ; Hainaut, Cyril ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Nodjiadjim, V. ; Godin, J.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585073

Compact modeling of optically gated carbon nanotube field effect transistor
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : physica status solidi (b)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00495144

TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer
Mahmoud, Al-Sadi ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Materials Science in Semiconductor Processing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671678

Efficient physics-based compact model for the Schottky barrier carbon nanotube FET
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, N.
Dans : physica status solidi (c)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584855

SiGe HBTs optimization for wireless power amplifier applications
Zimmer, Thomas ; Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Pache, Denis ; Curutchet, Arnaud ; Maneux, Cristell
Dans : Active and Passive Electronic Components
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671680

2009


Multiscale simulation of carbon nanotube devices
Adessi, Christophe ; Avriller, R. ; Bournel, A. ; Blase, Xavier ; Cazin D'Honincthun, H. ; Dollfus, P. ; Frégonèse, S. ; Galdin-Retailleau, S. ; López-Bezanilla, A. ; Maneux, C. ; Nha Nguyen, H. ; Querlioz, D. ; Roche, S. ; Triozon, F. ; Zimmer, T.
Dans : Comptes Rendus. Physique
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00400169

Implementation of tunneling phenomena in a CNTFET compact model
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399797

Technological dispersion in CNTFET: Impact of the presence of metallic carbon nanotubes in logic circuits
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399786

Implementation of Electron–Phonon Scattering in a CNTFET Compact Model
Fregonese, Sebastien ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00388046

2008


Behavior and optimizations of Si/SiGe HBT on thin-film SOI
Avenier, Gregory ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Dutartre, D. ; Saguin, Fabienne ; Schwartzmann, Thierry ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, Alain
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197532

Challenges and potential of new approaches for reliability assessment of nanotechnologies
Bechou, L. ; Danto, Y. ; Deletage, J.Y. ; Verdier, F. ; Deshayes, Y. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Laffitte, D.
Dans : Comptes Rendus de l'Academie des Sciences. Série IV, Physique, Astronomie
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00266387

Computationally Efficient Physics-Based Compact CNTFET Model for Circuit Design
Fregonese, Sebastien ; Cazin D'Honincthun, Hughes ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Bourgoin, J.-P. ; Dollfus, P. ; Galdin-Retailleau, S.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00287142

2007


CNTFET modeling and reconfigurable logic circuit design
O'Connor, Ian ; Liu, Junchen ; Gaffiot, Frederic ; Prégaldiny, Fabien ; Maneux, Cristell ; Lallement, C. ; Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Anghel, Lorena ; Leveugle, Régis ; Dang, T.
Dans : IEEE Transactions on Circuits and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187137

2006


Thin film SOI HBT: A study of the effect of substrate bias on the electrical characteristics
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181972

A compact model for SiGe HBT on thin film SOI
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181969

2005


A Scalable Substrate Network for HBT Compact Modeling
Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181973

Two dimensional DC simulation methodology for InP/GaAs0.51Sb0.49/InP heterojunction bipolar transistor
Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183087

2004


Obtaining Isothermal Data for HBT
Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Baureis, P. ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181975

On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise
Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Zimmer, Thomas
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183089

Low frequency noise as a reliability diagnostic tool in compound semiconductor transistors
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183088

2003


High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bove, Philippe ; Lareche, H.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183091

1/f noise analysis of InP/InGaAs DHBTs submitted to bias and thermal stresses
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183090

2001


Experimental procedure for the evaluation of GaAs-based HBT's reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Benchimol, Jean-Louis ; Riet, Muriel
Dans : Microelectronics Journal
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183093

1999


Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183094

1997


Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization
Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Cova, Paolo ; Fantini, Fausto
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183095

Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183096

1996


Analysis of the surface base current drift in GaAs HBT's
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183097

1995


LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journal de Physique III
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183098
Conference with proceedings (national) → 120 Show

2021


Compact Modeling and Parameter Extraction Strategies for InP Double Heterojunciton Bipolar Transistors
Chhandak, Mukherjee ; DENG, Marina ; Maneux, Cristell ; Bolognesi, Colombo ; Nodjiadjim, Virginie
Dans : Workshop 51th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC, Grenoble (virtuel) (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408048

Impact of Hot Carrier Degradation on the Performances of Current Mirrors based on a 55 nm BiCMOS Integrated Circuit Technology
Chhandak, Mukherjee ; Couret, Marine ; Maneux, Cristell ; Céli, Didier
Dans : 51th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC, Virtual (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407794

0.4-µm InP/InGaAs DHBT with a 380-GHz fT > 600-GHz fMAX and BVCE0 > 4.5 V
Davy, Nil ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Mismer, Colin ; DENG, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Renaudier, Jeremie ; Maneux, Cristell
Dans : 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Monterey (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407761

InP DHBT characterization up to 500 GHz and compact model validation towards THz circuit design
DENG, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Davy, Nil ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Mismer, Colin ; Renaudier, Jeremie ; De Matos, Magali ; Maneux, Cristell
Dans : 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Monterey (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407748

THz electronics and Photonics compact modelling on InP Substrate (Invited)
Maneux, Cristell ; Chhandak, Mukherjee ; DENG, Marina
Dans : Annual mini-colloquium of National Polytechnic Institute (IPN), Mexico City (Mexico)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408075

Why neuromorphic computing need novel 3D technologies? A view from FVLLMONTI European project consortium (Invited)
Maneux, Cristell ; Chhandak, Mukherjee ; DENG, Marina ; Dubourg, Maeva ; Réveil, Lucas ; Bordea, Georgeta ; Lecestre, Aurélie ; Larrieu, Guilhem ; Trommer, Jens ; Breyer, Evelyn ; Slesazeck, Stefan ; Mikolajick, Thomas ; Baumgartner, Oskar ; Karner, M. ; Pirker, David ; Stanojevic, Zlatan ; Atienza, David ; Levisse, Alexandre ; Ansaloni, Giovanni ; Poittevin, Arnaud ; Bosio, Alberto ; Deleruyelle, D. ; Marchand, Cédric ; O'Connor, Ian
Dans : High Performance Embedded Architecture and Compilation, Computing Systems Week, (HiPEAC CSW) Autumn 2021, Lyon (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408071

Analysis of Energy-Delay-Product of a 3D Vertical Nanowire FET Technology
O'Connor, Ian ; Poittevin, Arnaud ; LE BEUX, Sébastien ; Bosio, Alberto ; Stanojevic, Zlatan ; Baumgartner, Oskar ; Trommer, Jens ; Mikolajick, Thomas ; Larrieu, Guilhem ; Chhandak, Mukherjee ; Maneux, Cristell
Dans : EuroSOI-ULIS, Caen (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407210

2020


3D logic cells design and results based on Vertical NWFET technology including tied compact model
Chhandak, Mukherjee ; DENG, Marina ; MARC, François ; Maneux, Cristell ; Poittevin, Arnaud ; O'Connor, Ian ; Le Beux, Sébastien ; Marchand, Cédric ; Kumar, Abhishek ; Lecestre, Aurélie ; Larrieu, Guilhem
Dans : 28th IFIP/IEEE International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI-SOC) 2020, Salt Lake City (virtual) (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03166674

Compact Modeling of 3D Vertical Junctionless Gate-all-around Silicon Nanowire Transistors
Chhandak, Mukherjee ; Larrieu, Guilhem ; Maneux, Cristell
Dans : EuroSOI-ULIS 2020, Caen (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02869216

2019


Compact Modeling of UTC Photodiodes Enabling Future Terahertz Communication System Design
Chhandak, Mukherjee ; Natrella, M. ; Seddon, J. ; Grahams, C. ; Mounaix, Patrick ; Renaud, C. C. ; Maneux, Cristell
Dans : XIIIème Colloque du GdR SOC2, Montpellier (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511632

Impact of SiGe HBT hot-carrier degradation on the broadband amplifier output supply current
Couret, Marine ; Fischer, Gerhard ; Garcia-Lopez, Iria ; De Matos, Magali ; Marc, François ; Maneux, Cristell
Dans : ESSDERC 2019, Cracow (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02379120

Physical, small-signal and pulsed thermal impedance characterization of multi-finger SiGe HBTs close to the SOA edges
Couret, Marine ; Fischer, Gerhard ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Kita-Kyushu City (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02276656

Analysis of a failure mechanism occurring in SiGe HBTs under mixed-mode stress conditions
Jaoul, Mathieu ; Ney, David ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Kita-Kyushu City (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02379157

First Uni-Traveling Carrier Photodiode Compact Model Enabling Future Terahertz Communication System Design
Mukherjee, C ; Mounaix, Patrick ; Maneux, C. ; Natrella, M. ; Seddon, J ; Graham, C. ; Renaud, Cédric
Dans : ESSDERC 2019, Cracow (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02379096

2017


Reliability-Aware Circuit Design for High Speed Communication Systems
Chhandak, Mukherjee ; Ardouin, Bertrand ; Dupuy, Jean-Yves ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Thomas, Zimmer ; Marc, François ; Maneux, Cristell
Dans : XIIème Colloque du GdR SOC2, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511649

Avalanche Compact model featuring SiGe HBTs Characteristics up to BVCBO
Jaoul, Mathieu ; Céli, Didier ; Maneux, Cristell
Dans : HICUM Workshop 2017, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511645

Avalanche compact model featuring SiGe HBTs characteristics up to BVcbo
Jaoul, Mathieu ; Céli, Didier ; Maneux, Cristell ; Schroter, Michael ; Pawlak, Andreas
Dans : ESSDERC 2017 - 47th IEEE European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Leuven (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695262

1/f Noise in 3D vertical gate-all-around junction-less silicon nanowire transistors
Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Pezard, Julien ; Larrieu, Guilhem
Dans : 47th IEEE ESSDERC, Leuven (Belgium)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695259

2016


Physics-based electrical compact model for monolayer Graphene FETs
Aguirre-Morales, Jorge Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Wei, Wei ; Happy, Henri
Dans : Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2016 46th European, Lausanne (Switzerland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399868

Comprehensive study of random telegraph noise in base and collector of advanced SiGe HBT: Bias, geometry and trap locations
Mukherjee, C. ; Jacquet, T. ; Zimmer, T. ; Maneux, C. ; Chakravorty, A. ; Boeck, J. ; AUFINGER, K.
Dans : ESSDERC 2016 - 46th European Solid-State Device Research Conference, Lausanne (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695274

2015


A new physics-based compact model for Bilayer Graphene Field-Effect Transistors
Aguirre-Morales, Jorgue Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235950

Characterization and modeling of low-frequency noise in CVD-grown graphene FETs
Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorgue-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Wei, Wei
Dans : proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235951

Calibration of 1D doping profiles of SiGe HBTs
Rosenbaum, T. ; Saxod, O. ; Vu, V. ; Celi, D. ; Chevalier, P. ; Schroter, M. ; Maneux, C.
Dans : 2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, Boston (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695279

2014


Analytical Study of Performances of Bilayer and Monolayer Graphene FETs based on Physical Mechanisms
Aguirre-Morales, J.D. ; Mukherjee, C. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Graphene week, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002504

Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature Variation
Chhandak, Mukherjee ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Happy, H. ; MELE, David ; Maneux, Cristell
Dans : Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, 44th European, Venise (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090864

Statistical Study on the Variation of Device Performance in CVD-grown Graphene FETs
Mukherjee, C. ; Morales, D.A. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Graphene week 2014, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002511

Extraction Procedure for Emitter Series Resistance Contributions in SiGeC BiCMOS Technologies
Stein, F. ; Huszka, Z. ; Derrier, N. ; Maneux, C. ; Celi, D.
Dans : IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987233

2013


A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905673

Robustness of the Base Resistance Extraction Method for SiGe HBT Devices
Stein, F. ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Derrier, N. ; Chevalier, P.
Dans : ISCDG 2013, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905789

Advanced Extraction Procedure for Parasitic Collector Series Resistance Contributions in High-Speed BiCMOS Technologies
Stein, F. ; Derrier, N. ; Maneux, Cristell ; Celi, Didier
Dans : IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905747

Investigation of the Base Resistance Contributions in SiGe HBT Devices
Stein, F. ; Celi, Didier ; Maneux, Cristell ; Derrier, N. ; Chevalier, P.
Dans : CAS 2013, Bucarest (Romania)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905654

Modeling of mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : SBMicro 2013, Curitiba (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905817

Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs
Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Raya, Cristian ; Santorelli, Marco ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : EDSSC 2013, Hong Kong (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905765

Mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
Weiß, M. ; Sahoo, A.K. ; Maneux, C. ; Fregonese, S. ; Zimmer, T.
Dans : Chip in Curitiba 2013 - SBMicro 2013: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Curitiba (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978734

The potential of graphene for electronics
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell
Dans : The International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices 2013, Hammamet (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905774

2012


Analysis of InP/GaAsSb DHBT failure mechanisms under accelerated aging tests
A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Maher, H.
Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2012, santa barbara (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002159

Pulsed I(V) pulsed RF measurement system for microwave device characterization with 80ns/45GHz
Weis, Mario ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, Marco ; Kumar Sahoo, Amit ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012 Proceedings of the European, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978793

Characterization of Mutual Heating inside a SiGe Ring Oscillator
Weiß, M. ; Ghosh, S. ; Santorelli, M. ; Chevalier, P. ; Chantre, A. ; Kumar Sahoo, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2012 IEEE, Portland (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002179

Pulsed I(V) - Pulsed RF Measurement System for Microwave Device Characterization with 80ns/45GHz
Weiß, M. ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, M. ; Kumar Sahoo, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002174

2011


Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT on Accelerated Aging Tests under Thermal and Electrical stresses
A. Koné, G. ; Grandchamp, B. ; Hainaut, C. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002459

Modeling of SiGe spike mono emitter HBT with HICUM in static and dynamic operations
Bhattacharyya, Arkaprava ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2011 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, Atlanta (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669452

NQS modelling with HiCuM: What works, what doesn't
Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 24th BipAk, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590790

NQS effect and implementation in compact transistor model
Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : MOS-AK/GSA Workshop, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590784

Electrical compact modelling of graphene transistors
Fregonese, Sebastien ; Nguyen, Huu-Nha ; Majek, Cédric ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Meng, Nan ; Zimmer, Thomas
Dans : Conference Graphene 2011, Bilbao (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00588825

Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design
Ghosh, S. ; Grandchamp, B. ; A. Koné, G. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Nodjiadjim, V. ; Riet, M. ; Y. Dupuy, J. ; Godin, J.
Dans : 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002192

Preliminary results of storage accelerated aging test on InP/GaAsSb DHBT
Kone, Gilles Amadou ; Ghosh, S. ; Grandchamp, Brice ; Maneux, Cristell ; Marc, François ; Labat, Nathalie ; Zimmer, Thomas ; Maher, H. ; Bourqui, M.L. ; Smith, D.
Dans : International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011), Berlin (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585590

A 300 GHz InP/GaAsSb/InP HBT for high data rate applications
Maher, H. ; Delmouly, V. ; ROUCHY, U. ; Renvoise, M. ; Frijlink, P. ; Smith, D. ; Zaknoune, M. ; Ducatteau, D. ; Avramovic, V. ; Scavennec, A. ; Godin, J. ; Riet, M. ; Maneux, C. ; Ardouin, B.
Dans : Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Berlin (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671674

Carbon-based Schottky barrier transistor: From compact modeling to digital circuit applications
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, Nouri
Dans : 6th International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, DTIS'11, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669416

2010


TCAD simulation and development within the European DOTFIVE project on 500GHz SiGe:C HBT's
Al-Sa'Di, Mahmoud ; D'Alessandro, V. ; Fregonese, Sebastien ; Hong, S.M. ; Jungemann, C. ; Maneux, Cristell ; Marano, I. ; Pakfar, A. ; Rinaldi, N. ; Sasso, G. ; Schröter, M. ; Sibaja-Hernandez, A. ; Tavernier, C. ; Wedel, G.
Dans : European Microwave Week 2010: Connecting the World, EuMIC 2010, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584869

Modeling of a novel NPN-SiGe-HBT device structure using strain engineering technology in the collector region for enhanced electrical performance
Al-Sa'Di, Mahmoud ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584860

Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement through Employing Si3N4 Strain in the Collector Region
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 218th ECS Meeting, Las Vegas (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00526042

TCAD Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement Through Extrinsic Stress Layer
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00488682

From nanoscale technology scenarios to compact device models for ambipolar devices
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems (ICECS), Athènes (Greece)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00589113

A compact model for double gate carbon nanotube FET
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : ESSDERC 2010, Séville (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584874

Thermal aging model of InP/InGaAs/InP DHBT
Ghosh, S. ; Marc, F. ; Maneux, C. ; Grandchamp, B. ; A. Koné, G. ; Zimmer, T.
Dans : Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, gaeta (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002465

Benchmarking of HBT Models for InP Based DHBT Modeling
Ghosh, S. ; Zimmer, T. ; Ardouin, B. ; Maneux, C. ; Frégonèse, S. ; Marc, F. ; Grandchamp, B. ; Koné, G.A.
Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00488687

Optically-Gated CNTFET compact model including source and drain Schottky barrier
Liao, Si-Yu ; Najari, Montassar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, H. ; Masmoudi, N.
Dans : 5th Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Hammamet (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584845

Electrical simulation of learning stage in OG-CNTFET based neural crossbar
Retrouvey, J.M. ; Klein, Jacques-Olivier ; Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell
Dans : 5th Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671681

A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
Dans : First EuroGRAPHENE Symposium, Strasbourg (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00588829

2009


Investigation of Electrical BJT Performance through Extrinsic Stress Layer Using TCAD Modeling
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Semiconductor Conference Dresden 2009, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399917

A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Semiconductor Device Research Symposium, 2009. ISDRS '09. International, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00450128

Compact modeling of Optically-Gated Carbon NanoTube Field Effect Transistor
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Trends in NanoTechnologies 2009, Barcelonna (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399897

Modélisation compacte et transport balistique
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, T.
Dans : ATELIER DU GDR NANOELECTRONIQUE DE LA REALITE ET DE L'INTERET DU TRANSPORT BALISTIQUE DANS LES COMPOSANTS NANOELECTRONIQUES, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399887

Analytical modeling of the tunneling current in schottky barrier carbon nanotube field effect transistor using the verilog-a language
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, Nouri
Dans : ) 2009 6th International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674301

Efficient Physics-Based Compact Schottky Barrier Carbon Nanotube FET
Najari, M. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Mnif, H. ; Masmoudi, N.
Dans : Trends in NanoTechnologies 2009, Barcelonna (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399901

2008


Compact Model of a Dual Gate CNTFET: Description and Circuit Application
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 8th IEEE Conference on Nanotechnology, Arlington, TEXAS, USA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00319955

A Charge Approach for a Compact Model of Dual Gate CNTFET
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Tozeur (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00288046

Toward compact model of Optical-Gated Carbon Nanotube Field Effect Transistor (OG-CNTFET)
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00337487

Ge Base Profile Engineering in SiGe:C HBTs for Power Amplifier Applications : Influence on Current Gain and Input Impedance over a Wide Range of Temperature
Mans, P.M. ; Jouan, S. ; Brossard, F. ; Comte, Myriam ; Pache, D. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 4th International SiGe Technology and Device Meeting, (Taiwan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327467

Germanium Base Profile Optimization to Improve fT Characteristics at High Injection in RF Power SiGe:C HBTs
Mans, P.M. ; Jouan, S. ; Pakfar, A. ; Fregonese, S. ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 7th IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, Orlando (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327463

COMPACT MODELING OF THE SCHOTTKY BARRIER JUNCTION IN THE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Najari, Montassar ; Frégonèse, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hasséne ; Masmoudi, Nouri
Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00337489

Towards Compact Modelling of Schottky Barrier CNTFET
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, N.
Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00288040

2007


Modèle compact du transistor double grille CNTFET
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées thématiques sur la simulation multiphysique de composants et dispositifs nanométriques, Lille (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197536

LF noise analysis of InP/GaAsSb/InP and InP/InGaAs/InP HBTs
Maneux, C. ; Grandchamp, B. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J. ; Bove, Ph.
Dans : 19th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401338

Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C pour les applications d'amplification de puissance
Mans, P.M. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Jouan, S.
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctorant en Microélectronique, Lille (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327470

Investigation of Ge content in the BC transition region with respect to transit frequency
Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Pakfar, A. ; Fregonese, Sebastien ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 20th BipAk, Munchen (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189397

2006


SiGe HBT design for CMOS compatible SOI
Chantre, Alain ; Avenier, Gregory ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Saguin, Fabienne. ; Maneux, Cristell ; Dutartre, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187273

Modélisation compacte du transistor à nanotube de carbone
Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées thématiques du Club EEA, Nanoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181996

Analysis of CNTFET physical compact model
Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Cazin D'Honincthun, Hughes ; Galdin-Retailleau, S.
Dans : IEEE Design and Test of integrated Systems In Nanoscale Technology, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181481

2005


A self-aligned vertical HBT for thin SOI SiGeC BiCMOS
Avenier, Gregory ; Schwartzmann, Thierry ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Rubaldo, Laurent ; Dutartre, Didier ; Boissonnet, L. ; Saguin, Fabienne ; Pantel, Roland ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, A.
Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181977

A Hicum SOI extension
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : 5th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181989

Base-collector junction charge investigation of Si/SiGe HBT on thin film SOI
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2005, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181980

A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181979

A GaAsSb/InP HBT circuit technology
Godin, Jean ; Riet, Muriel ; Konczykowska, A. ; Berdaguer, P. ; Kahn, Myrtil L. ; Bove, Philippe ; Lareche, H. ; Langer, R. ; Lijadi, Mélania ; Pardo, F. ; Bardou, N. ; Pelouard, Jean-Luc ; Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Grandchamp, Brice ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Bru-Chevallier, Catherine ; Chouaib, H. ; Benyattou, T.
Dans : Conference GaAs 2005, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183099

Evidence of RTS noise in emitter-base periphery of InP/GaAsSb/InP HBT
Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Scavennec, A. ; Riet, M. ; Godin, J.
Dans : 20th IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401340

2004


Scalable bipolar transistor modelling with HICUM L0
Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
Dans : 4th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181991

Scalable Substrate Modeling based on 3D Physical Simulation Substrat
Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : XIX Conference on Design of Circuits and Integrated Systems - DCIS, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181985

Scalable Bipolar Transistor Modelling with HICUM
Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
Dans : IEEE Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181984

Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase
Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181982

Simulation Physique des mécanismes de recombinaisons d'un TBH InP/GaAsSb/InP
Grandchamp, B. ; Maneux, C. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, La Grande Motte (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401365

InP/GaAsSb/InP DHBT: Analysis of specific material parameters and high current effect by physical simulation
Maneux, Cristell ; Belhaj, Mohamed ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
Dans : Conference GAAS 2004, (Netherlands)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183102

InP based HBT reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183101

Analysis of avalanche regime in InP HBT's using physical simulation - Implementation in a DC Model
Maneux, Cristell ; MARTIN, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : International Conference on Industrial Technology, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183100

InP/InGaAs/InP DHBT submitted to bias and thermal stresses: LF base noise analysis
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : SPIE Fluctuation and Noise Conference, (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183103

2003


Limitations des performances du TBH InP/GaAsSb/InP à forts niveaux d'injection
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées du GDR Nanoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183471

Analyse de la dégradation des performances des TBH InP/GaAsSb/InP aux forts niveaux de courant
Belhaj, Mohamed ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean ; Bove, Philippe
Dans : Journées Nationales Microondes 2003, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183467

Simulation physique de TBH SiGe : Etude du temps de transit sur une structure 1D et 2D
Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées Nationales du GDR Nanoélectronique - 4èmes Journées, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181992

Modèles de dégradation des TBH sur substrat InP
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées électroniques du CLUB EEA et du RTP 31 : Fiabilité des Composants et Packaging, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183472

InP-based HBT Reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Godin, Jean ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Riet, Muriel
Dans : 2003 European Microwave Week, Workshop on Reliability of microwave devices, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183104

Fiabilité du TBH sur InP - Analyse du Bruit aux Basses Fréquences
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées Nationales Microondes - JNM, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183470

Extrinsic leakage current on InP/InGaAs DHBTs
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : 2003 IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183469

Analyse des courants de fuite extrinsèques des HBTs InP/InGaAs
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Blayac, S. ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées Scientifiques Francophones Electronique, Télécoms et Informatique, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183468

2002


Fiabilité du TBH à double hétérojonction sur InP : Résultats préliminaires
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Kahn, Myrtil L. ; Godin, Jean
Dans : Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique 2002, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183473

Caractérisation électrique et modélisation de l'ionisation par impact sur des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur InP
MARTIN, Jean-Christophe ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral Microélectronique 2002, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183105

2001


Experimental Evidence of Impact Ionisation in InP HBT's Designed for Rapid Digital Applications:Implementation in a DC Model
Maneux, Cristell ; MARTIN, Jean-Christophe ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Riet, Muriel ; Benchimol, Jean-Louis
Dans : ESSDERC, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183474

1999


Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : IEEE GaAs Reliability Workshop, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183476

TBH GaInP/GaAs planar : Analyse de deux mécanismes de défaillances
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : Journées Nationales Microélectroniques et optoélectroniques, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183479

Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183478

Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183477

Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology
Maneux, Cristell ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : State-Of-The-Art Program on compound Semiconductros XXX, Ed. Electrochem. Soc, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183475

1998


Evolution of base current in C-In doped GaInP/GaAs HBT under current induced stress
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Fouillat, Pascal ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : European Solid State Device Research Conference (Ed. Frontières), ESSDERC, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183480

1997


Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'97, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183483

Evaluation de la fiabilité du TBH GaAs : justification d'un protocole expérimental spécifique
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journée TBH dans le cadre des Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183482

Analysis of GaAs HBT failure mechanisms : impact on the life testing strategy
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : International Symposium on the Physical and Failure Analysis of integrated circuits, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183481

1996


Caractérisation d'un dysfonctionnement du HEMT et impact sur une application système
Saysset, Nathalie ; Dumas, Jean-Michel ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : 5ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183484

1995


Quality evaluation of S-HEMTs and PM-HEMTs by drain current transients and L.F. channel noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'95, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183486

Comparison of 1/f noise sources in single-well and pseudomorphic HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF'95,, (Lithuania)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183485

1994


Quality evaluation of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs by LF excess noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'94, (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183489

Comparaison de HEMTs AlGaAs/GaAs et AlGaAs/InGaAs par l'analyse du bruit basses fréquences
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183488

Analyse technologique de composants GaAs : méthodologie - complémentarité avec la caractérisation électrique
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Danto, Yves
Dans : 4ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183487
Invited lectures → 19 Show

2021


Electro-thermal limitations and device degradation of SiGe HBTs with emphasis on circuit performance (Invited)
Fregonese, Sebastien ; Chhandak, Mukherjee ; Rucker, Holger ; Chevalier, Pascal ; Fischer, Gerhard ; Céli, Didier ; DENG, Marina ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Monterey (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408053

Modelling of vertical and ferroelectric junctionless technology for efficient 3D neural network compute cube dedicated to embedded artificial intelligence (Invited)
Maneux, Cristell ; Chhandak, Mukherjee ; DENG, Marina ; Dubourg, Maeva ; Réveil, Lucas ; Bordea, Georgeta ; Lecestre, Aurélie ; Larrieu, Guilhem ; Trommer, Jens ; Breyer, Evelyn ; Slesazeck, Stefan ; Mikolajick, Thomas ; Baumgartner, Oskar ; Karner, M. ; Pirker, David ; Stanojevic, Zlatan ; Atienza, David ; Levisse, Alexandre ; Ansaloni, Giovanni ; Poittevin, Arnaud ; Bosio, Alberto ; Deleruyelle, D. ; Marchand, Cédric ; O'Connor, Ian
Dans : 67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), San Fransisco (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408078

2019


Breakdown Voltage, SOA and Aging of HBTs: A Physics Base approach for Compact modeling
Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier
Dans : 31th Bipolar ArbeitsKreis, Crolles (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511653

Advances in Aging Compact Model for Hot Carrier Degradation in SiGe HBTs under Dynamic Operating conditions for reliability-aware circuit design
Mukherjee, C ; Marc, F. ; Couret, M ; Fischer, G ; Jaoul, M ; Celi, D. ; Aufinger, K ; Zimmer, T. ; Maneux, C.
Dans : European Microwave Week Workshop Recent advances in SiGe BiCMOS: technologies, modelling & circuits for 5G, radar & imaging, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02386290

Modelling and Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications Modeling and characterization of HBT in THz range
Zimmer, Thomas ; DENG, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien
Dans : XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices: IWPSD 2019, Kolkata (India)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02453238

2018


Extension of HICUM/L2 Avalanche Model at High Current: Proposal
Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier ; Schröter, Michael
Dans : 18th HICUM Workshop, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511651

High Current Impact Ionization Model
Jaoul, Mathieu ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Céli, Didier ; Schröter, Michael
Dans : HICUM WORKSHOP, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01820049

2017


Practical implementation of reliability aware compact models in simulation software environnement
Ardouin, Bertrand ; Thomas, Zimmer ; Dupuy, Jean-Yves ; Godin, Jean ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; MARC, François ; Koné, Gilles Amadou ; Gosh, S. ; Grandchamps, B ; Maneux, Cristell
Dans : Bipolar ArbeitsKreis, Erfurt (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511647

2016


TCAD setup for an advanced SiGe HBT technology applied to the HS, MV and HV transistor versions
Rosenbaum, Tommy ; Céli, Didier ; Schröter, Michael ; Maneux, Cristell
Dans : Bipolar ArbeitsKreis, München (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511643

2015


Graphene FET evaluation for RF and mmWave circuit applications
Fregonese, Sebastien ; Morales, Jorgue Daniel Aguirre ; De Matos, Magali ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Circuits and Systems (ISCAS), 2015 IEEE International Symposium on, Lisbonne (Portugal)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235960

Substrate-coupling effect in BiCMOS technology for millimeter wave applications
Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali ; Kohler, Andreas ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235958

Breakdown mechanisms in advanced SiGe HBTs: scaling and TCAD calibration
Rosenbaum, Tommy ; Céli, Didier ; Schröter, Michael ; Maneux, Cristell
Dans : Bipolar ArbeitsKreis, Unterpremstätten (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511642

Parameter extraction and enhanced scaling laws for advanced SiGe HBTs with HICUM Level 2
Rosenbaum, Tommy ; Céli, Didier ; Schröter, Michael ; Maneux, Cristell
Dans : WorkShop Modeling of Systems AK, Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511613

2014


The potential of graphene for RF applications
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
Dans : BIT's 3rd World Congress of Advanced Materials, (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002132

Electro-Thermal Investigation and Modeling of Sige Hbt High-Speed Devices
Zimmer, Thomas ; Weiß, Mario ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien
Dans : SiGe, Ge & Related Compounds: Materials, Processing and Devices, (Mexico)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987211

2013


Electro-Thermal Device Characterization & Modelling
Fregonese, Sebastien ; Kumar Sahoo, Amit ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell
Dans : OBip: Open Bipolar Workshop at BCTM in Bordeaux, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987256

The potential of graphene for electronics
Zimmer, T. ; Fregonese, S. ; Maneux, Cristell
Dans : SDD, International Multi-Conference on Systems Signals & Devices, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002124

2011


Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Curutchet, Arnaud ; Grandchamp, Brice
Dans : INCF 2011, Toronto (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585593

2003


Low frequency noise as early indicator of degradation in compound semiconductor FETs and HBTs
Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183106
Book chapters → 1 Show

2021


3D Logic Cells Design and Results Based on Vertical NWFET Technology Including Tied Compact Model
Poittevin, Arnaud ; Mukherjee, Chhandak ; O’Connor, Ian ; Maneux, Cristell ; Larrieu, Guilhem ; Deng, Marina ; Le Beux, Sebastien ; Marc, François ; Lecestre, Aurélie ; Marchand, Cedric ; Kumar, Abhishek
https://hal.laas.fr/hal-03371673
Preprint, Working Paper, Document sans référence, etc. → 3 Show

2021


On-Wafer TRL Calibration Kit Design for InP Technologies Characterization Up To 500 GHz
DENG, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Yadav, Chandan ; Bolognesi, Colombo ; Nodjiadjim, Virginie ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; De Matos, Magali ; Maneux, Cristell
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407881

How novel technologies can boost neuromorphic computing? A view from European project consortia (Invited)
Maneux, Cristell ; Atienza, David ; Levisse, Alexandre ; Ansaloni, Giovanni ; Baumgartner, Oskar ; Stanojevic, Zlatan ; Bosio, Alberto ; O'Connor, Ian ; Larrieu, Guilhem ; Trommer, Jens ; DENG, Marina ; Bordea, Georgeta ; Chhandak, Mukherjee ; Rouas, Jean-Luc
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408059

Multi-Scale Modeling of Type-II DHBTs: from Bandstructure to Self-Heating Effects
Wen, Xin ; Arabhavi, Akshay Mahadev ; Quan, Wei ; Ostinelli, Olivier ; Chhandak, Mukherjee ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Bolognesi, Colombo ; Luisier, Mathieu
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407871
Research report → 1 Show

2016


Modèle dans NANOHUB : Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs 1.0.0
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399947
My homepage:

 CM2019

 

Name

MANEUX  (M.Sc., PhD)

First name

Cristell

Birth date

12-Jun-1968

Function

Electronics engineer, Researcher

Position/Rank

Professor, Team Leader

Professional address

Université de Bordeaux
351, Cours de la Libération
33405 TALENCE

Phone number

(33) 5 4000 2858

e-mail address

cristell.maneux @ u-bordeaux.fr
Please, remove spaces to send me a mail

       

UNIVERSITY DEGREES AND QUALIFICATIONS

 

Since 09/2012

Full Professor, IMS Laboratory, Department of Sciences and Engineering, University of Bordeaux, France.

Since 01/2008

Head of the Electrical Characterization and Compact Modeling Team, IMS Laboratory, University of Bordeaux
6  permanent peoples : 2 full professors, 2 associate professors, 2 CNRS full researchers

10/2007

Accreditation to conduct researches, University of Bordeaux, France.

09/1998-09/2012

Associate Professor, IMS Laboratory, Department of Sciences and Engineering, University of Bordeaux, France.

09/1997-09/1998

Lecturer and Research Assistant, University of Bordeaux, France.

01/1998

Ph.D. degree in electronics, University of Bordeaux, France.

09/1995-09/1997

Peer-tutoring, University of Bordeaux, France.

06/1994

M.Sc. degree in Electronics engineering, University of Bordeaux, France.

 

LOCAL, NATIONAL and INTERNATIONAL MAIN RESEARCH RESPONSABILITIES

 

Since 01/2017

Deputy Director of GDR SoC2 (System On Chip, Systèmes embarqués et Objets Connectés) gathering researchers from 39 CNRS laboratories (INS2I and INSIS).
http://www.gdr-soc.cnrs.fr/

Since 01/2016

Deputy Director of IMS Lab, University of Bordeaux, Bordeaux INP, CNRS.
Specially in charge of the industrial relationships
https://www.ims-bordeaux.fr/fr/

April 2016

Delegate CEFIPRA, Bangalore, India.

Feb. 2014

Delegate Carleton University, Canada.

2014-2018

Elected member of the University of Bordeaux research council.

2013-2016

Ph. D. International joint supervision with the University of Naples, Italy.
Ph. D. International joint supervision with the TU Dresden, Germany.

Since 2012

Member of the ’’Embedded Systems’’ strategic council of Competitiveness Cluster for Aeronautics, Space and Embedded Systems (Aerospace Valley).
https://www.aerospace-valley.com/das/syst%C3%A8mes-embarqu%C3%A9s-objets-connect%C3%A9s-logiciels-et-electronique

2012-2016

Member of the board of Axe 3 CPU cluster “Excellence Initiative IDEX Bordeaux”.
https://idex.u-bordeaux.fr/

2012-2018

Chairwoman of the URSI FRANCE commission D.
http://ursi-france.telecom-paristech.fr/

Since 2012

Track Modelling member of the Technical program committee of the European Solid-State Device Research Conference.
https://esscirc-essderc2019.org/

2010-2018

Member of the national ’’Observatoire Micro/Nanotechnologies’’.

2009-2011

Member of the national research evaluation committee of ANR P3N.
https://anr.fr/en/

Since 2008

Member of the GDR SiP-SoC steering committee.
http://www.gdr-soc.cnrs.fr/

2008-2011

Elected member of the Bordeaux 1 University research council.

https://www.u-bordeaux.com/

2007-2011

Elected member of the research council of IMS Lab.

Since 2006

Member of the steering committee of the IMS-ST Microelectronics common lab.

 

RESEARCH MAIN ACHIEVEMENTS

 

  • Since 2008, I’m leading the “MODEL” team and has 20 years' experience in advanced and emerging device modelling including the world-wide-used and the success story of the Carbon Nanotube based transistor models.
  • I was the leader of the former ANR ROBUST project (2009-2012) which was an ambitious industrial research project focused on advanced technological activities to provide robust ICs designs for emerging 100G Ethernet.
  • I’m the current leader of ULTIMATE project , a three-year international ambitious project focused on upper limit InP-based technology investigations mandatory to attain THz electronics. The ULTIMATE project tackles the design of ultrahigh-speed transistors on a fundamental atomistic level, with Density-Functional Theory (DFT) for accurate band structure calculations and quantum transport simulations to break through the present bandwidth bottleneck and finally experimentally achieve 750-1000 GHz cutoff frequencies. http://ultimate.cnrs.fr/
  • I’m the current leader of the French ANR LEGO project which is intended to fill the gap between device research and the innovative logic circuit implementation through the following objectives:
    -  demonstrate the proof of concept of stacked vertical NWFET for non-conventional logic circuit,
    - develop a design kit including compact models to support the circuit design flow
    - prove enhanced logic functionality and logic circuit operation in terms of propagation delay, dynamic and static power consumption, resilience to temperature and supply voltage variation assess the technology roadmap improvements and the associated logic performance metrics. http://lego.cnrs.fr/

 

MAIN AREA OF INTEREST 

 

  • Compact modelling of advanced and emerging devices: InP HBT, SiGe HBT, Carbon NanoTube Transistors, Graphene Transistors, Nanowire Transistors;
  • Device electrical characterization: DC, RF, pulsed, Low Frequency noise, Random Telegraph Noise;
  • Device failure mechanisms, Integrated circuit reliability;
  • THz transmissions for Beyond 5G communications.

 

PUBLICATIONS  and SUPERVISIONS

 

  • 63 International journal publications referenced in IEEE Transaction on Electron Device, IEEE Transaction Circuits and Systems, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction on Material and Reliability, IEEE Proceedings, Proceedings of the National Academy of Sciences, …
  • 101 International conference publications in the ESSDERC, ESREF, EUMW, …
  • 18 Ph.D Thesis supervisions including 5 industrial CIFRE
  • 10 post-docs supervisions (representing 12 cumulative years)