Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système

Log in

Login to your account

Username *
Password *
Remember Me
Email:
This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Download information as: vCard
NANOELECTRONIQUE / III-V
0540002859
A31A

Total : 130

Articles in peer-reviewed journal → 37 Show

2019


Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests
Magnier, Florent ; Lambert, Benoit ; Chang, Christophe ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462730

2017


Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability
Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462652

TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01625567

2016


Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, M. ; Dejaeger, J.C. ; Malbert, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718762

2015


Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Curutchet, Arnaud
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718753

2013


Failure analysis of GaAs microwave devices with plastic encapsulation by electro-optical techniques
Ben Naceur, W. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Frémont, H. ; Carisetti, D. ; C. Clément, J. ; Bonnet, B.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905892

Analysis of Schottky Gate degradation evolution in AlGaN/GaN HEMTs during HTRB stress
Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Mezengue, P. ; BATAILLE, J. ; Floriot, Didier ; Grunenputt, J. ; Blanck, Hans ; Carisetti, Dominique ; Gourdel, Y. ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002643

Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by low frequency noise and pulsed electrical measurements Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by pulsed I-V and low frequency noise measurements
Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Rzin, M ; Brunel, L ; Curutchet, A ; Malbert, N ; Labat, N ; Carisetti, D ; Lambert, B ; Mermoux, M ; Romain-Latu, E ; THOMAS, Florian ; Bouexière, C ; Moreau, C
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343328

Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by low frequency noise and pulsed electrical measurements
Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Rzin, Mehdi ; Brunel, Laurent ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Carisetti, Dominique ; Lambert, Benoit ; Mermoux, Michel ; Romain-Latu, Eddy ; Thomas, Frank ; Bouexiere, Chloé ; Moreau, Christian
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002658

2012


Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors
Kumar Sahoo, Amit ; Weiß, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978809

A scalable electrothermal model for transient self-heating effects in trench-isolated SiGe HBTs
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sebastien ; Weis, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978803

Characterization of self-heating in Si-Ge HBTs with pulse, DC and AC measurements
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sébastien ; Weiß, Mario ; Grandchamp, Brice ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978797

Evidence of relationship between mechanical stress and leakage current in AlGaN/GaN transistor after storage test
Lambert, B ; Labat, N ; Carisetti, D ; Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Thorpe, J ; Brunel, L ; Curutchet, A ; Malbert, N ; Romain-Latu, E ; Mermoux, M
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343325

Evidence of relationship between mechanical stress and leakage current in AlGaN/GaN transistor after storage test
Lambert, Benoit ; Labat, Nathalie ; Carisetti, Dominique ; Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Thorpe, J. ; Brunel, Laurent ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Latu-Romain, Eddy ; Mermoux, Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002539

2011


Thermal impedance modeling of SiGe HBTs from low-frequency small-signal measurements
Sahoo, A.K. ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Malbert, Nathalie
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584885

2010


Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: Experiments and numerical simulations
Faqir, M. ; Bouya, Moshine ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Carisetti, D. ; Lambert, B. ; Verzellesi, G. ; Fantini, F.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585069

2009


Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Malbert, N. ; Curutchet, A. ; Sury, C. ; Hoel, V. ; De Jaeger, J.C. ; Defrance, N. ; Douvry, Y. ; Dua, C. ; Oualli, M. ; Bru-Chevallier, C. ; Bluet, J.M. ; Chikhaoui, W.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401267

2008


Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques
Bouya, Moshine ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Carisetti, Dominique ; Perdu, Philippe ; Clement, Jean-Claude ; Lambert, Benoit ; Bonnet, Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00400906

2007


Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs on SiC
Bouya, Moshine ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, Jean-Claude ; Bonnet, Michel ; Pataut, Gerard
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197479

2006


Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT
Ismaïl, N. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Muraro, J.L.
Dans : physica status solidi (c)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00185717

AlGaN/GaN HEMT Reliability Assessment by means of Low Frequency Noise Measurements
Sozza, Alberto ; Curutchet, Arnaud ; Dua, Christian ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00196943

2005


Safe operating area of GaAs MESFET and PHEMT for amplification in overdrive operating conditions
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc ; Brasseau, Francis ; Langrez, Dominique
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183490

2004


Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A.
Dans : Fluctuation and Noise Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183491

Low frequency noise as a reliability diagnostic tool in compound semiconductor transistors
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183088

2003


Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMT's grown on silicon, SiC and sapphire substrates
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Lareche, H. ; Minko, A. ; Uren, Michael
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183492

2002


Degradation mechanisms induced by thermal and bias stresses in InP HEMTs
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Touboul, Andre ; Garat, François ; Proust, B.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183493

2001


Low Frequency Gate Noise in a Diode-Connected MESFET: Measurements and Modeling
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre ; K.J. Vandamme, Lode
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183496

Evolution of LF noise in power PHEMTs submitted to RF and DC step Stresses
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre ; Bonnet, René ; Pataud, Gérard
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183495

Empirical modeling of LF gate noise in GaAs DCFET in impact ionization regime
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183494

Experimental procedure for the evaluation of GaAs-based HBT's reliability
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Benchimol, Jean-Louis ; Riet, Muriel
Dans : Microelectronics Journal
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183093

2000


Comparison of RF and DC life-test effects on GaAs power MESFETs
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre ; Garat, François
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183497

1999


Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183094

1997


Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization
Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Cova, Paolo ; Fantini, Fausto
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183095

Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183096

1996


Analysis of the surface base current drift in GaAs HBT's
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183097

Comparison of conventional and pseudomorphic HEMTs performances by drain current transient spectroscopy and L.F. channel noise
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Quality and Reliability Engineering International
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183498

1995


LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journal de Physique III
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183098
Conference with proceedings (national) → 90 Show

2021


Reliability of Fan-Out Wafer Level Packaging For III-V RF Power MMICs
Tomas, Ariane ; Marechal, Laurent ; Almeida, Rodrigo ; Neffati, Mehdy ; Malbert, Nathalie ; Fremont, Helene ; Labat, Nathalie ; Garnier, Arnaud
Dans : 2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC), San Diego (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03336953

2019


Co-integration of Enhancement and Depletion Modes of GaN-based Transistors for Next Generation RF Communication Circuits
Defrance, Nicolas ; Okada, Etienne ; Albany, Florent ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Frayssinet, Éric ; Cordier, Yvon ; Cozette, Flavien ; Hassan, Maher, ; Walasiak, E ; LECOURT, François
Dans : WOCSDICE 2019, CABOURG (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02502499

Méthodologie d’extraction de la puissance de sortie au cours de vieillissements accélérés à partir de mesures I-V pulsées
Magnier, Florent ; Chang, Christophe ; Lambert, Benoit ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2019, Caen (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462791

Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests
Magnier, Florent ; Lambert, Benoit ; Chang, Christophe ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : ESREF 2019, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462713

2018


Investigation of the trap-limited transient response of GaN HEMTs
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2018 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop, Brives (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01851997

Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN HEMTs
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Burlingham (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01787593

Investigation of Trapping Behaviour in GaN HEMTs through physical TCAD Simulation of Capacitance Voltage characteristics
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : EuroSimE 2018, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718857

Comprehensive Study into Underlying Mechanisms of Anomalous Gate Leakage Degradation in GaN High Electron Mobility Transistors
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : IRPS 2018, San Francisco (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718850

2017


Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, Marie ; De Jaeger, Jean Claude ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2017, Saint Malo (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462775

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, Marie ; Dejaeger, J.C. ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2017, St MALO (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718864

Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications
Mukherjee, Kalparupa ; Darracq, Frederic ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : BEE Week at IEEE IM an MTT-S Day, IEEE student Branch, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462765

TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices
Mukherjee, Kalparupa ; Darracq, Frederic ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : ESREF 2017, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462694

2016


Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
Lakhdhar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, Marie ; De Jaeger, Jean Claude ; Malbert, Nathalie
Dans : ESREF 2016, Händel-Halle (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462684

2015


Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC
Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Carisetti, Dominique ; Curutchet, Arnaud ; Lambert, Benoit ; Labat, Nathalie
Dans : JFMMA 2015, meknes (Morocco)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163624

Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : ESREF 2015, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462670

Schottky gate of AlGaN/GaN HEMTs: investigation with DC and low frequency noise measurements after 7000 hours HTOL test
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : 23rd International conference on noise and fluctuations (ICNF2015), Xi'AN (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163601

Etude du contact Schottky de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC après 7000h de test de vieillissement de type HTOL
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : XIXèmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM2015), TALENCE (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163586

2014


Critical failure mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMT under severe stress test conditions
Carisetti, Dominique ; Sarazin, Nicolas ; Brunel, Laurent ; Clement, J.C. ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : 7th Wide band gap semiconductor and components workshop, pp. 309-315, septembre 2014, Frascati, Italy, Frascati (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718823

2013


Thermal Laser Stimulation technique for AlGaN/GaN HEMT technologies improvement
Carisetti, Dominique ; Sarazin, N. ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Lambert, Benoit ; Brunel, Laurent ; Rousseau, K. ; Romain Latu, Eddy ; Frank, Thomas
Dans : ISTFA 2013 ( International Symp. For Testing and Failure Analysis), San Jose (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00989606

Investigation of gate and drain leakage currents of AlGaN/GaN HEMTs at subthreshold regime for temperature range 300K - 400K
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : European Microwave week (EuMIC 2013), Nüremberg (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987798

Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : Journées Nationales Microondes (JNM) 2013, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987763

Impact of Back-end-of-line on Thermal Impedance in SiGe HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sébastien ; Weib, Mario ; Santorelli, Marco ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : SISPAD 2013, Glasgow - Ecosse (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906141

2012


Kink effect characterization in AlGaN/GaN HEMTs by DC and Drain Current Transient measurements
Brunel, Laurent ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit
Dans : essderc 2012, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987040

Evaluation of Quasi-Hermetic Packaging Solutions for Active Microwave Devices and Space Applications
Naceur W., Ben ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Fremont, H. ; Muraro, J.L. ; Monfraix, P.
Dans : EuroSimE (2012), (Portugal)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00799929

2011


Evaluation des solutions de packaging quasi-hermétique sur composants actifs hyperfréquences
Ben Naceur, Walim ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Fremont, Hélène ; Muraro, Jean-Luc ; Monfraix, Philippe
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585624

Détection et identification des pièges dans les HEMTS AlGaN/GaN
Brunel, L. ; Malbert, N. ; Curutchet, A. ; Labat, N. ; Lambert, Benoit
Dans : 17èmes Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00672186

Détection et identification des pièges dans les HEMTs AlGaN/GaN
Brunel, Laurent ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585618

Electro-thermal dynamic simulation and thermal spreading impedance modeling of Si-Ge HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, ATLANTA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669443

Electro-thermal characterization of Si-Ge HBTs with pulse measurement and transient simulation
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 41st European Solid-State Device Research Conference, Helsinki (Finland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669428

Dégradation du bruit en courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC
Sury, Charlotte ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Dua, Christian ; Oualli, Mourad ; Diforte-Poisson, M.A. ; Aubry, Raphaël
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585621

2010


Les techniques électro-optique pour l'analyse de défaillance des composants III-V
Bouya, Moshine ; Carisetti, D. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, P. ; Clément, J.C.
Dans : Atelier de l'ANADEF, Port d'Albret (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585600

IR and Vis-NIR electroluminescence developments for FA in AlGaN/GaN HEMTs on SiC
Bouya, Moshine ; Carisetti, D. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, J.C.
Dans : 36th International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA), Dallas (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585192

Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs
Douvry, Y. ; Hoel, V. ; De Jaeger, J.C. ; Defrance, N. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Sury, Charlotte ; Dua, C. ; Oualli, M. ; Piazza, M. ; Bluet, J.M. ; Chikhaoui, W. ; Bru-Chevallier, C.
Dans : European Solid-State Device Research Conference 2010, Séville (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585101

2009


UV emission microscopy development for high band gap components
Bouya, Moshine ; Carisetti, D. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, J.C.
Dans : 34th International Symposium for Testing and Failure Analysis, San Jose (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585086

Caractérisation et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences dans la filière HEMT à base de nitrure de gallium
Curutchet, A. ; Sury, C. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : - XVIèmes Journées Nationales Microondes, France, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401250

Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Sury, Charlotte ; Hoel, Virginie ; De Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Dua, Christian ; Oualli, Mourad ; Bru-Chevallier, Catherine ; Bluet, Jean-Marie ; Chikhaoui, Walf
Dans : GaN microwave component technology workshop, Ulm (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401323

Low frequency Noise evolution of AlGaN/GaN HEMT after 2000 Hours of HTRB and HTO life test
Sury, Charlotte ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 20 th International Conference on Noise and Fluctuations, Pise (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401286

2008


Backside failure analysis by electroluminescence on microwave devices
Bouya, Moshine ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Delaqueze, P. ; Clement, Jean Claude
Dans : Int. Symp. for Testing and Failure Analysis ISTFA, Portland (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401293

Méthodologie de calibration de simulation numérique TCAD de TLM AlGaN/GaN
Lacheze, L. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : JNRDM, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401349

MODELISATION DU COURANT DE GRILLE DES HEMTs AlGaN/GaN
Lacheze, L. ; Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : XIVème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401345

Analytical modelling of the Schottky gate current in AlGaN/GaN HEMT
Lacheze, Ludovic ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 33nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE 2009, Malaga (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401306

Étude du bruit aux basses fréquences des contacts ohmiques des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium
Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : JNMO, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401350

Extraction et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium
Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : XIVème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401347

2007


Techniques de détection de défauts dans les transistors à haute mobilité électronique AlGaN/GaN à contact Schottky Pt/Ti/Au
Bouya, Moshine ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Perdu, Philippe ; Clement, Jean-Claude ; Pataut, Gerard ; Bonnet, Michel
Dans : XVIèmes Journées Nationales Microondes, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197484

Influence of the Strain on Static I-V Characteristics of AlGaN/GaN HEMT Determined by Physical Simulation
Lacheze, Ludovic ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : International Workshop on Heterostructures HETECH, Frejus (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197501

2005


Méthodologie pour la définition d'une Aire de sécurité de fonctionnement statique de la technologie MESFET à substrat GaAs
Ismail, N. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Muraro, J.-L.
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique et Microsystèmes, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401367

On-state safe operating area of GaAs MESFET defined for non linear applications
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc ; Brasseau, Francis ; Langrez, Dominique
Dans : 13th GAAS Symposium, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183503

Off-state and on-state breakdown of GaAs MESFET, PHEMT, and PPHEMT
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : 32nd International Symposium on Compound Semiconductors, (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183502

Méthodologie pour la définition d'une Aire de sécurité de fonctionnement non linéaire des transistors FETs GaAs
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : XVèmes Journées Nationales Microondes, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183501

A methodology to delimit the on-state safe operating area of GaAs MESFET for nonlinear applications
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : International Symposium on physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183499

Traps characterization inSi-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques
Sozza, Alberto ; Dua, Christian ; Sarazin, N. ; Morvan, E. ; Delage, Sylvain ; Rampazzo, F. ; Tazzoli, A. ; Danesin, F. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, Enrico ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : Proceeding of International Workshop on Heterostructures HETECH, (Slovakia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183504

Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress
Sozza, Alberto ; Dua, Christian ; Morvan, E. ; Diforte-Poisson, Ma ; Delage, Sylvain ; Rampazzo, F. ; Tazzoli, A. ; Danesin, F. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, Enrico ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Grimber, B. ; De Jaeger, Jean-Claude
Dans : Proceeding of IEDM, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183500

2004


Analyse du bruit basses fréquences de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et Saphir
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Uren, M.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, La Grande Motte (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401361

Analyse du bruit basse fréquence de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et saphir
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Uren, M.
Dans : GDR Semi-Conducteur Grand Gap, Freyjus (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401359

Comparaison des lieux de claquage BV on-state des différentes technologies à substrat GaAs
Ismail, N. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Lambert, B. ; Muraro, J.-L.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401360

Methodology to compare on-state breakdown loci of GaAs FETs
Ismail, Naoufel ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Muraro, Jean-Luc
Dans : ICM Conference, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183506

Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : 2004 European Microwave Week, Workshop on Wide band gap Research for Microwave applications : Materials, devices and circuit Issues, (Netherlands)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183569

A 10 GHz dielectric resonator oscillator using GaN technology
Rice, P. ; Sloan, R. ; Moore, M. ; Barnes, Ar ; Uren, Michael ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2004 IEEE MTT-Symposium, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183505

2003


Analyse du bruit BF du canal de la technologie HEMT sur nitrure de gallium (GaN)
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : JNRDM, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401358

Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrats silicium et saphir
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A. ; Uren, Michael
Dans : XIIIèmes Journées Nationales Microondes, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183507

Low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A.
Dans : Fluctuation and Noise Conference, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183510

Evolution of LF noise in Power PHEMT's ubmitted to RF and DC step stresses
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Touboul, Andre
Dans : Journées Scientifiques Francophones Electronique, Télécoms et Informatique, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183509

Analysis of low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Touboul, Andre ; Uren, Michael
Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183508

2002


Evidence of surface trap effects on pseudomorphic HEMT submitted to impact ionization stresses
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Touboul, Andre ; Pataud, Gérard
Dans : GAAS 2002, (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183511

2001


L'ionisation par impact dans un HEMT pseudomorphique sur GaAs
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique, JNMO, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183516

LF gate noise in P-HEMT in impact ionization regime
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : 16th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183515

Influence of thermal and impact ionization stresses on AlGaAs/InGaAs HEMT DC performances
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre
Dans : International Symposium on Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183514

Analysis of LF noise evolution in power HEMT after DC step lifetests
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre ; Pataud, Gérard
Dans : 16th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183513

Analyse du bruit de grille aux basses fréquences des transistors à effet de champ de puissance sur GaAs
Lambert, Benoit ; Verdier, Frédéric ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Colloque Interdisciplinaire en Instrumentation (Ed. Hermes), (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183512

2000


Breakdown voltage of AlGaAs/InGaAs HEMT submitted to life-tests in impact ionization regime
Lambert, Benoit ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Huguet, Pierre
Dans : IEEE GaAs Reliability Workshop, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183517

1999


Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis
Malbert, Nathalie ; Lambert, Benoit ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; K.J. Vandamme, Lode ; Huguet, Pierre ; Auxemery, P. ; Garat, François
Dans : IEEE GaAs Reliability Workshop, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183476

Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183478

Reliability evaluation of GaAs HBT technologies
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183477

Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology
Maneux, Cristell ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Riet, Muriel ; Scavennec, André
Dans : State-Of-The-Art Program on compound Semiconductros XXX, Ed. Electrochem. Soc, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183475

1997


Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'97, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183483

Evaluation de la fiabilité du TBH GaAs : justification d'un protocole expérimental spécifique
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journée TBH dans le cadre des Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183482

Analysis of GaAs HBT failure mechanisms : impact on the life testing strategy
Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Danto, Yves ; Dangla, Jean ; Launay, P. ; Dumas, Jean-Michel
Dans : International Symposium on the Physical and Failure Analysis of integrated circuits, (Singapore)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183481

Evaluation of ÑH and N parameters of conventional and pseudomorphic HEMTs L.F. noise
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f fluctuations ICNF¡¦97, (Belgium)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183568

Efficiency of trap detection in HEMTs by DCTS combined with LF noise analysis
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF'97, (Belgium)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183519

Applications of trap characterization in III-V devices : modeling and/or technological improvement
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESA Electronic Components Conference EECC'97, (Netherlands)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183518

1996


Low frequency noise and pulse response of GaAs PHEMTs submitted to hot electrons stress
Cova, Paolo ; Boselli, Gianlucca ; Menozzi, Roberto ; Fantini, Fausto ; Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Worshop onHeterostructures Technology - HETECH, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183563

Complementary of drain current transient spectroscopy (DCTS) and G.R. noise analysis to detect traps in HEMTs
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : European Solid State Device Research Conference, ESSDERC'96, (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183562

Caractérisation d'un dysfonctionnement du HEMT et impact sur une application système
Saysset, Nathalie ; Dumas, Jean-Michel ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : 5ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183484

1995


Analysis of drain current transients and L.F. channel noise to detect deep levels in HEMTs
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Workshop on Noise and Reliability of Semiconductor Devices, (Czech Republic)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183564

Quality evaluation of S-HEMTs and PM-HEMTs by drain current transients and L.F. channel noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'95, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183486

Comparison of 1/f noise sources in single-well and pseudomorphic HEMTs
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF'95,, (Lithuania)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183485

1994


Quality evaluation of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs by LF excess noise analysis
Saysset, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : ESREF'94, (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183489

Comparaison de HEMTs AlGaAs/GaAs et AlGaAs/InGaAs par l'analyse du bruit basses fréquences
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Touboul, Andre ; Danto, Yves ; Dumas, Jean-Michel
Dans : Journées Microélectronique et Optoélectronique III-V, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183488

Analyse technologique de composants GaAs : méthodologie - complémentarité avec la caractérisation électrique
Saysset, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Danto, Yves
Dans : 4ème atelier du cercle thématique 21.70/SEE, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183487

1993


Investigations on the origin of AlGaAs/GaAs HEMTs LF channel noise
Labat, Nathalie ; Saysset, Nathalie ; Ouro Bodi, Dissadama ; Touboul, Andre ; Danto, Yves
Dans : Proc. of International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183565
Invited lectures → 3 Show

2011


Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Curutchet, Arnaud ; Grandchamp, Brice
Dans : INCF 2011, Toronto (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585593

2004


Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : Fluctuation and Noise Conference, (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183566

2003


Low frequency noise as early indicator of degradation in compound semiconductor FETs and HBTs
Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183106