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NANOELECTRONIQUE / MODEL
0540002800
A31A C57

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Articles in peer-reviewed journal → 90 Show

2021


Meander-Type Lines: An Innovative Design for On-Wafer TRL Calibration for mmW and sub-mmW Frequencies Measurements
Cabbia, Marco ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Curutchet, Arnaud ; Yadav, Chandan ; Celi, Didier ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03273404

Extraction of True Finger Temperature from Measured Data in Multi-Finger Bipolar Transistors
Gupta, Aakashdeep ; Nidhin, K. ; Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chakravorty, Anjan
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03273341

Sub-THz and THz SiGe HBT Electrical Compact Modeling
Saha, Bishwadeep ; Fregonese, Sebastien ; Chakravorty, Anjan ; Panda, Soumya Ranjan ; Zimmer, Thomas
Dans : Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03273304

Reliable Technology Evaluation of SiGe HBTs and MOSFETs: f MAX Estimation From Measured Data
Saha, Bishwadeep ; Fregonese, Sébastien ; Heinemann, Bernd ; Scheer, Patrick ; Chevalier, Pascal ; Aufinger, Klaus ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03111195

Performance Prediction of InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors for THz applications
Wen, Xin ; Arabhavi, Akshay ; Quan, Wei ; Ostinelli, Olivier ; Chhandak, Mukherjee ; Deng, Marina ; Frégonèse, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Bolognesi, Colombo ; Luisier, Mathieu
Dans : Journal of Applied Physics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03280514

Investigation of Variation in on-Si on-Wafer TRL Calibration in sub-THz
Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Cabbia, Marco ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03273325

SiGe HBTs and BiCMOS technology for present and future millimeter-wave system
Zimmer, Thomas ; Bock, Josef ; Buchali, Fred ; Chevalier, Pascal ; Collisi, Michael ; Debaillie, Bjorn ; DENG, Marina ; Ferrari, Philippe ; Fregonese, Sebastien ; Gaquière, Christophe ; Ghanem, Haitham ; Hettrich, Horst ; Karakuzulu, Alper ; Maiwald, Tim ; Margalef-Rovira, Marc ; Maye, Caroline ; Moller, Michael ; Mukherjee, Anindya ; Rucker, Holger ; Sakalas, Paulius ; Schmid, ROLF ; Schneider, Karina ; Schuh, Karsten ; Templ, Wolfgang ; Visweswaran, Akshay ; Zwick, Thomas
Dans : IEEE Journal of Microwaves
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03111157

2020


Silicon Test Structures Design for Sub-THz and THz Measurements
Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03015973

Design of On-Wafer TRL Calibration Kit for InP Technologies Characterization up to 500 GHz
DENG, Marina ; Mukherjee, Chhandak ; Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; De Matos, Magali ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay Mahadev ; Bolognesi, Colombo ; Wen, Xin ; Luisier, Mathieu ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03088017

High-Frequency Noise Characterization and Modeling of Graphene Field-Effect Transistors
DENG, Marina ; Fadil, Dalal ; Wei, Wei ; Pallecchi, Emiliano ; Happy, Henri ; Dambrine, Gilles ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas ; Frégonèse, Sébastien
Dans : IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02540064

A broadband active microwave monolithically integrated circuit balun in graphene technology
Fadil, Dalal ; Passi, Vikram ; Wei, Wei ; Salk, Soukaina ; Zhou, Di ; Strupinski, Wlodek ; Lemme, Max ; Zimmer, Thomas ; Pallecchi, Emiliano ; Happy, Henri ; Fregonese, Sebastien
Dans : Applied Sciences
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02884085

Analysis of High-Frequency Measurement of Transistors Along With Electromagnetic and SPICE Cosimulation
Fregonese, Sebastien ; Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; DENG, Marina ; Panda, Soumya Ranjan ; Matos, Magali De ; Celi, Didier ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03015012

THz characterization and modeling of SiGe HBTs: review (invited)
Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Journal of the Electron Devices Society
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03014869

Static Thermal Coupling Factors in Multi-Finger Bipolar Transistors: Part II-Experimental Validation
Gupta, Aakashdeep ; Nidhin, K ; Balanethiram, Suresh ; Yadav, Shon ; Chakravorty, Anjan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02920343

Static Thermal Coupling Factors in Multi-Finger Bipolar Transistors: Part I—Model Development
Gupta, Aakashdeep ; Nidhin, K ; Balanethiram, Suresh ; Yadav, Shon ; Chakravorty, Anjan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02920341

An Efficient Thermal Model for Multifinger SiGe HBTs Under Real Operating Condition
K, Nidhin ; Pande, Shubham ; Yadav, Shon ; Balanethiram, Suresh ; Nair, Deleep ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chakravorty, Anjan
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03015948

TCAD and EM co-simulation method to verify SiGe HBT measurements up to 500 GHz
Panda, Soumya Ranjan ; Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03016002

Importance and Requirement of frequency band specific RF probes EM Models in sub-THz and THz Measurements up to 500 GHz
Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Cabbia, Marco ; De Matos, Magali ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02884144

2019


Validation of Thermal Resistance Extracted From Measurements on Stripe Geometry SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02277502

Comparison of on-wafer TRL calibration to ISS SOLT calibration with open-short de-embedding up to 500 GHz
Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; De Matos, Magali ; Yadav, Chandan ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Joly, Simon ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985495

Scalable Modeling of Thermal Impedance in InP DHBTs Targeting Terahertz Applications
Mukherjee, Chhandak ; Couret, Marine ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, J.-Y. ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02372518

A Multiscale TCAD Approach for the Simulation of InP DHBTs and the Extraction of Their Transit Times
Wen, Xin ; Mukherjee, Chhandak ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay ; Ostinelli, Olivier ; Bolognesi, Colombo ; Maneux, Cristell ; Luisier, Mathieu
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02379133

2018


On-Wafer Characterization of Silicon Transistors Up To 500 GHz and Analysis of Measurement Discontinuities Between the Frequency Bands
Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; Deng, Marina ; Potéreau, Manuel ; Ayela, Cédric ; Aufinger, Klaus ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01818021

Class J Power Amplifier for 5G Applications in 28 nm CMOS FD-SOI Technology
Hanna, Tony ; Deltimple, Nathalie ; Fregonese, Sebastien
Dans : Journal of Integrated Circuits and Systems,
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01904797

Scalable Compact Modeling of III–V DHBTs: Prospective Figures of Merit Toward Terahertz Operation
Mukherjee, Chhandak ; Raya, Christian ; Ardouin, Bertrand ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Nodjiadjim, Virginie ; Riet, Muriel ; Dupuy, Jean-Yves ; Luisier, Mathieu ; Quan, Wei ; Arabhavi, Akshay ; Bolognesi, Colombo ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985507

2017


A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sébastien ; Mukherjee, Chhandak ; Wei, Wei ; Happy, Henri ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639648

Accurate Modeling of Thermal Resistance for On-Wafer SiGe HBTs Using Average Thermal Conductivity
Balanethiram, Suresh ; Chakravorty, Anjan ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Céli, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639642

Extraction of BEOL Contributions for Thermal Resistance in SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Chakravorty, Anjan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01477147

Si/SiGe:C and InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications
Chevalier, Pascal ; Schroter, Michael ; Bolognesi, Colombo R. ; d'Alessandro, Vincenzo ; Alexandrova, Maria ; Bock, Josef ; Flickiger, Ralf ; Fregonese, Sébastien ; Heinemann, Bernd ; Jungemann, C. ; Lovblom, Rickard ; Maneux, Cristell ; Ostinelli, Olivier ; Pawlak, Andreas ; Rinaldi, Niccolo ; Rucker, Holger ; Wedel, Gerald ; Zimmer, Thomas
Dans : Proceedings of the IEEE
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639677

Thermal Penetration Depth Analysis and Impact of the BEOL Metals on the Thermal Impedance of SiGe HBTs
D'Esposito, Rosario ; Balanethiram, Suresh ; Battaglia, Jean-Luc ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639596

Vertical charge transfer and lateral transport in graphene/germanium heterostructures
Kazemi, Alireza ; Vaziri, Sam ; Aguirre morales, Jorge daniel ; Fregonese, Sebastien ; Cavallo, Francesca ; Zamiri, Marziyeh ; Dawson, Noel ; Artyushkova, Kateryna ; Jiang, Ying Bing ; Brueck, Steven R. J. ; Krishna, Sanjay
Dans : ACS Applied Materials & Interfaces
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01513606

Enhanced Intrinsic Voltage Gain in Artificially Stacked Bilayer CVD Graphene Field Effect Transistors
Pandey, Himadri ; Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Kataria, Satender ; Fregonese, Sébastien ; Passi, Vikram ; Iannazzo, Mario ; Zimmer, Thomas ; Alarcon, Eduard ; Lemme, Max C.
Dans : Annalen der Physik
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639708

2016


Efficient Modeling of Distributed Dynamic Self-Heating and Thermal Coupling in Multifinger SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Chakravorty, Anjan ; Fregonese, Sebastien ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399074

Analytic Estimation of Thermal Resistance in HBTs
Chakravorty, Anjan ; D'Esposito, Rosario ; Balanethiram, Suresh ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399079

On the development of a novel high VSWR programmable impedance tuner
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potéreau, Manuel ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : International Journal of Microwave and Wireless Technologies
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01345690

Innovative SiGe HBT Topologies With Improved Electrothermal Behavior
D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Chakravorty, Anjan ; Chevalier, Pascal ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399080

A Study on Self-Heating and Mutual Thermal Coupling in SiGe Multi-Finger HBTs
Dwivedi, A. D. D. ; D’Esposito, Rosario ; Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Journal of Electronic Materials
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399065

Comments on “Optimization of a Compact I–V Model for Graphene FETs: Extending Parameter Scalability for Circuit Design Exploration”
Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399083

2.5GHz integrated graphene RF power amplifier on SiC substrate
Hanna, T. ; Deltimple, N. ; Khenissa, S. ; Pallecchi, E. ; Happy, H. ; Frégonèse, S.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399069

2015


An Accurate Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235964

Effects of BEOL on self-heating and thermal coupling in SiGe multi-finger HBTs under real operating condition
Dwivedi, A.D.D. ; Chakravorty, Anjan ; D’Esposito, Rosario ; Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235941

Electrical Compact Modeling of Graphene Base Transistors
Frégonèse, Sébastien ; Venica, Stefano ; Driussi, Francesco ; Zimmer, Thomas
Dans : Advances in OptoElectronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235945

Source-Pull and Load-Pull Characterization of Graphene FET
Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; MELE, David ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Journal of the Electron Devices Society
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090826

Versatile Compact Model for Graphene FET Targeting Reliability-Aware Circuit Design
Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01127979

Nonlinear modelling of dynamic self-heating in 28 nm bulk complementary metal–oxide semiconductor technology
Sahoo, A.K. ; Fregonese, S. ; Scheer, P. ; Celi, D. ; Juge, A. ; Zimmer, T.
Dans : Electronics Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01162361

Obtaining DC and AC isothermal electrical characteristics for RF MOSFET
Sahoo, A.K. ; Fregonese, S. ; Scheer, P. ; Celi, D. ; Juge, A. ; Zimmer, T.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01127985

Pulsed radio frequency characterisation on 28 nm complementary metal–oxide semiconductor technology
Sahoo, A.K. ; Fregonese, S. ; Scheer, P. ; Celi, D. ; Juge, A. ; Zimmer, T.
Dans : Electronics Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01100656

A Geometry Scalable Model for Nonlinear Thermal Impedance of Trench Isolated HBTs
Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Desposito, Rosario ; Aufinger, Klaus ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090801

Isothermal Electrical Characteristic Extraction for mmWave HBTs
Sahoo, Amit Kumar ; Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090791

Graphene Transistor-Based Active Balun Architectures
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235955

2014


Innovative Dual-Gate CNTFET Logic Cell: Investigation of Technological Dispersion Impact Through Compact Modeling
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090852

A Comprehensive Graphene FET Model for Circuit Design
Rodriguez, Saul ; Vaziri, Sam ; Smith, Anderson ; Frégonèse, Sébastien ; Ostling, Mikael ; Lemme, Max ; Rusu, Ana
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978699

2013


Benchmarking of GFET devices for amplifier application using multiscale simulation approach
Fregonese, Sébastien ; Potereau, Manuel ; Deltimple, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Journal of Computational Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00918225

Scalable Electrical Compact Modeling for Graphene FET Transistors
Fregonese, Sébastien ; Magallo, Maura ; Maneux, Cristell ; Happy, H. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Nanotechnology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906225

Multiscale simulation of carbon nanotube transistors
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Retailleau, Sylvie ; Nguyen, Huu Nha ; Querlioz, Damien ; Bournel, Arnaud ; Dollfus, Philippe ; Triozon, François ; Niquet, Yann-Michel ; Roche, Stephan
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906950

Limitations of on-wafer calibration and de-embedding methods in the sub-THz range
Potereau, M. ; Raya, C. ; De Matos, M. ; Fregonese, S. ; Curutchet, A. ; Zhang, M. ; Ardouin, B. ; Zimmer, T.
Dans : Journal of Computer and Communications
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002098

80 ns/45 GHz Pulsed measurement system for DC and RF characterization of high speed microwave devices
Weib, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Santorelli, Marco ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909009

2012


Electrical compact modelling of graphene transistors
Fregonese, Sebastien ; Meng, N. ; Nguyen, H.-N. ; MAJEK, C. ; Maneux, C. ; Happy, H. ; Zimmer, T.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002093

Characterization and Modeling of Graphene Transistor Low-Frequency Noise
Grandchamp, Brice ; Fregonese, Sebastien ; Majek, Cédric ; Hainaut, Cyril ; Maneux, Cristell ; Meng, Nan ; Happy, Henri ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669458

Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors
Kumar Sahoo, Amit ; Weiß, Mario ; Fregonese, Sébastien ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978809

A scalable electrothermal model for transient self-heating effects in trench-isolated SiGe HBTs
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sebastien ; Weis, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978803

Characterization of self-heating in Si-Ge HBTs with pulse, DC and AC measurements
Kumar Sahoo, Amit ; Fregonese, Sébastien ; Weiß, Mario ; Grandchamp, Brice ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978797

2011


A compact model for dual-gate one-dimensional FET: Application to carbon-nanotube FETs
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584879

FPGA Design with Double-Gate Carbon Nanotube Transistors
H. Ben Jamaa, M. ; Gaillardon,  p.-E. ; Frégonèse, S. ; De Marchi, M. ; De Micheli, G. ; Zimmer, T. ; O'Connor, I. ; Clermidy, F.
Dans : The Electro-Chemical Society Transactions
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002089

Design and Modeling of a Neuro-Inspired Learning Circuit Using Nanotube-Based Memory Devices
Liao, Si-Yu ; Retrouvey, J.M. ; Agnus, G. ; Zhao, W. ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chabi, D. ; Filoramo, A. ; Derycke, Vincent ; Gamrat, C. ; Klein, J.O.
Dans : IEEE Transactions on Circuits and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584909

Schottky barrier carbon nanotube transistor: Compact modeling, scaling study, and circuit design applications
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Masmoudi, N. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584876

Thermal impedance modeling of SiGe HBTs from low-frequency small-signal measurements
Sahoo, A.K. ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Malbert, Nathalie
Dans : IEEE Electron Device Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584885

2010


A versatile compact model for ballistic 1D transistor: GNRFET and CNTFET comparison
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00512742

Compact modeling of optically gated carbon nanotube field effect transistor
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : physica status solidi (b)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00495144

TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer
Mahmoud, Al-Sadi ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Materials Science in Semiconductor Processing
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671678

Efficient physics-based compact model for the Schottky barrier carbon nanotube FET
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, H. ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, N.
Dans : physica status solidi (c)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584855

SiGe HBTs optimization for wireless power amplifier applications
Zimmer, Thomas ; Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Pache, Denis ; Curutchet, Arnaud ; Maneux, Cristell
Dans : Active and Passive Electronic Components
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671680

2009


Multiscale simulation of carbon nanotube devices
Adessi, Christophe ; Avriller, R. ; Bournel, A. ; Blase, Xavier ; Cazin D'Honincthun, H. ; Dollfus, P. ; Frégonèse, S. ; Galdin-Retailleau, S. ; López-Bezanilla, A. ; Maneux, C. ; Nha Nguyen, H. ; Querlioz, D. ; Roche, S. ; Triozon, F. ; Zimmer, T.
Dans : Comptes Rendus. Physique
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00400169

Implementation of tunneling phenomena in a CNTFET compact model
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399797

Technological dispersion in CNTFET: Impact of the presence of metallic carbon nanotubes in logic circuits
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, T.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399786

Implementation of Electron–Phonon Scattering in a CNTFET Compact Model
Fregonese, Sebastien ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00388046

2008


Behavior and optimizations of Si/SiGe HBT on thin-film SOI
Avenier, Gregory ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Dutartre, D. ; Saguin, Fabienne ; Schwartzmann, Thierry ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, Alain
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197532

Challenges and potential of new approaches for reliability assessment of nanotechnologies
Bechou, L. ; Danto, Y. ; Deletage, J.Y. ; Verdier, F. ; Deshayes, Y. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T. ; Laffitte, D.
Dans : Comptes Rendus de l'Academie des Sciences. Série IV, Physique, Astronomie
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00266387

Computationally Efficient Physics-Based Compact CNTFET Model for Circuit Design
Fregonese, Sebastien ; Cazin D'Honincthun, Hughes ; Goguet, Johnny ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Bourgoin, J.-P. ; Dollfus, P. ; Galdin-Retailleau, S.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00287142

Modeling of Strained CMOS on Disposable SiGe Dots : shape impacts on electrical/thermal characteristics
Fregonese, Sebastien ; Zhuang, Y. ; N. Burghartz, J.
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00261552

2007


Modeling of Strained CMOS on Disposable SiGe Dots: Strain Impacts on Devices' Electrical Characteristics
Fregonese, Sebastien ; Zhuang, Yan ; Burghartz, Joachim N.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00169352

CNTFET modeling and reconfigurable logic circuit design
O'Connor, Ian ; Liu, Junchen ; Gaffiot, Frederic ; Prégaldiny, Fabien ; Maneux, Cristell ; Lallement, C. ; Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Anghel, Lorena ; Leveugle, Régis ; Dang, T.
Dans : IEEE Transactions on Circuits and Systems
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00187137

2006


Thin film SOI HBT: A study of the effect of substrate bias on the electrical characteristics
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181972

A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit design - Part II:Experimental results
Fregonese, Sébastien ; Lehmann, S. ; Zimmer, Thomas ; Schroter, M. ; Celi, D. ; Ardouin, Bertrand ; Beckrich, Helene ; Brenner, P. ; Kraus, W.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181970

A compact model for SiGe HBT on thin film SOI
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181969

A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit design - Part I: model formulation
Schroter, M. ; Lehmann, S. ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181971

2005


A Scalable Substrate Network for HBT Compact Modeling
Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
Dans : Solid-State Electronics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181973

2004


Obtaining Isothermal Data for HBT
Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Baureis, P. ; Maneux, Cristell
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181975

Representation of the SiGe HBT's Thermal Impedance by Linear and Recursive Networks
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181976

Analysis and modeling of the self-heating effect in SiGe HBTs
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : European Physical Journal: Applied Physics
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181974
Conference with proceedings (national) → 106 Show

2021


Meander-Type Transmission Line Design for On-Wafer TRL Calibration up to 330 GHz
Cabbia, Marco ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Yadav, Chandan ; Curutchet, Arnaud ; De Matos, Magali ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : 2020 50th European Microwave Conference (EuMC), Utrecht (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03173013

Influence of Calibration Methods and RF Probes on the RF Characterization of 28FD-SOI MOSFET
Pradeep, Karthi ; Deng, Marina ; DORMIEU, Benjamin ; Scheer, Patrick ; Matos, Magali De ; Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien
Dans : 2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC), Mexico (Mexico)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03273422

2020


In-Situ Calibration and De-Embedding Test Structure Design for SiGe HBT On-Wafer Characterization up to 500 GHz
Cabbia, M. ; DENG, Marina ; Fregonese, S. ; Matos, M. De ; Celi, D. ; Zimmer, T.
Dans : 2020 94th ARFTG Microwave Measurement Symposium (ARFTG), San Antonio (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02569052

2019


Characterization of Sub-THz & THz Transistors
Cabbia, Marco ; Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; De Matos, Magalie ; Thomas, Zimmer ; Upadhyay, Abhishek Kumar
Dans : 3rd IEEE Student Branch BEE Week, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02512268

Caractérisation RF de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe jusqu’à 500 GHz
Cabbia, Marco ; DENG, Marina ; Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magalie ; Zimmer, Thomas
Dans : XIIIème colloque national du GDR SOC², Montpellier (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02512232

Physical, small-signal and pulsed thermal impedance characterization of multi-finger SiGe HBTs close to the SOA edges
Couret, Marine ; Fischer, Gerhard ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Kita-Kyushu City (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02276656

RF Characterization of 28 nm FD-SOI Transistors Up to 220 GHz
DENG, Marina ; Frégonèse, Sébastien ; Dorrnieu, Benjamin ; Scheer, Patrick ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02517274

TCAD simulation and assessment of anomalous deflection in measured S-parameters of SiGe HBTs in THz range
Panda, Soumya Ranjan ; Frégonèse, Sébastien ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
Dans : 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Nashville (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02532692

Assessment of device RF performance and behavior using TCAD simulation
Ranjan Panda, Soumya ; Fregonese, Sébastien ; DENG, Marina ; Chakravorty, Anjan ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE BEE BRANCH, Bordeaux - Talence (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02404058

TCAD versus High Frequency Mesurements of SiGe HBTs
Ranjan Panda, Soumya ; Fregonese, Sebastien ; Anjan, Chakravorty ; Zimmer, Thomas
Dans : AKB: BIPOLAR Working Group, Crolles (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02372723

Collector-substrate modeling of SiGe HBTs up to THz range
Saha, Bishwadeep ; Frégonèse, Sébastien ; Panda, Soumya Ranjan ; Chakravorty, Anjan ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Nashville (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02532693

Exploration of Maximum Oscillation frequency (fmax)
Saha, Bishwadeep ; Fregonese, Sebastien ; Anjan, Chakravorty ; Zimmer, Thomas
Dans : AKB: BIPOLAR Working Group, Crolles (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02372737

On the Variation in Short-Open De-embedded S-parameter Measurement of SiGe HBT upto 500 GHz
Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; Cabbia, Marco ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : 2019 12th German Microwave Conference (GeMiC), Stuttgart (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02305963

Analysis of Test Structure Design Induced Variation in on Si On-wafer TRL Calibration in sub-THz
Yadav, Chandan ; Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; Cabbia, Marco ; De Matos, Magali ; Jaoul, Mathieu ; Zimmer, Thomas
Dans : 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Kita-Kyushu City (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02163807

2018


2D-Graphene Epitaxy on SiC for RF Application: Fabrication, Electrical Characterization and Noise Performance
Fadil, Dalal ; wei, wei ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; stuprinski, Wlodek ; Pallecchi, Emiliano ; Happy, Henri
Dans : 2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2018, Philadelphia (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02372682

Impact of on-Silicon De-Embedding Test Structures and RF Probes Design in the Sub-THz Range
Yadav, Chandan ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; Plano, Bernard ; Zimmer, Thomas
Dans : 2018 48th European Microwave Conference (EuMC), Madrid (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985501

Importance of complete characterization setup on on-wafer TRL calibration in sub-THz range
Yadav, Chandan ; DENG, Marina ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01838050

2017


Extracting the temperature dependence of thermal resistance from temperature-controlled DC measurements of sige HBTs
Balanethiram, Suresh ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Berkner, Jorg ; Céli, Didier
Dans : 2017 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Miami (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695326

Characterization and modelling of SubTHz & THz-transistors
DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; Thomas, Zimmer
Dans : 2nd IEEE Student Branch BEE Week, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02512287

Design of Silicon On-Wafer Sub-THz Calibration Kit
DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Céli, Didier ; Chevalier, Pascal ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : 2017 Mediterranean Microwave Symposium (MMS), Marseille (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01985481

Class-J Power Amplifier for 5G Applications in 28nm CMOS FD-SOI Technology
Hanna, Tony ; Deltimple, Nathalie ; Fregonese, Sebastien
Dans : SBCCI 2017, Fortaleza (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01618189

A Wideband Highly Efficient Class-J Integrated Power Amplifier for 5G Applications
Hanna, Tony ; Deltimple, Nathalie ; Fregonese, Sebastien
Dans : NEWCAS2017, Strasbourg (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01618182

NF 50 Ohm: Improvement of the high frequency noise measurement bench 0.8 – 18 GHz of the NANOCOM platform
Medzegue, Ghyslain ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Thomas, Zimmer ; DENG, Marina
Dans : 2nd IEEE Student Branch BEE Week, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02512283

High frequency and noise performance of GFETs
Wei, W. ; Fadil, D. ; Pallecchi, Emiliano ; Dambrine, Gilles ; Happy, Henri ; DENG, Marina ; Fregonese, S. ; Zimmer, T.
Dans : 24th International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2017, Vilnius (Lithuania)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01639676

2016


Physics-based electrical compact model for monolayer Graphene FETs
Aguirre-Morales, Jorge Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Wei, Wei ; Happy, Henri
Dans : Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2016 46th European, Lausanne (Switzerland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399868

An improved scalable self-consistent iterative model for thermal resistance in SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; Chakravorty, Anjan ; Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2016 IEEE, New Brunswick (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399878

Dedicated test-structures for investigation of the thermal impact of the BEOL in advanced SiGe HBTs in time and frequency domain
D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Chakravorty, Anjan
Dans : 2016 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Yokohama (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399905

A Test Structure Set for on-wafer 3D-TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 2016 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Yokohama (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399900

Meander type transmission line design for on-wafer TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Deng, Marina ; Raya, C ; Ardouin, Bertrand ; Aufinger, Klaus ; Ayela, Cédric ; Dematos, Magalie ; Curutchet, Arnaud ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : EuMW 2016, Londres (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01301312

Advanced Si/SiGe HBT architecture for 28-nm FD-SOI BiCMOS
Vu, Tuan Van ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Chevalier, Pascal
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2016 IEEE, New Brunswick (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399885

TCAD Calibration of High-Speed Si/SiGe HBTs in 55-nm BiCMOS
VU, T. ; Celi, D. ; Zimmer, T. ; Fregonese, S. ; Chevalier, P.
Dans : PriMe 2016, Honolulu (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399104

2015


A new physics-based compact model for Bilayer Graphene Field-Effect Transistors
Aguirre-Morales, Jorgue Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235950

Towards amplifier design with a SiC graphene field-effect transistor
Aguirre-Morales, Jorgue Daniel ; Frégonèse, Sébastien ; Dwivedi, Arun Dev Dhar ; Zimmer, Thomas ; KHENISSA, M.S. ; BELHAJ, M.M. ; Happy, Henri
Dans : Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on, Bologna (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158691

Efficient modeling of static self-heating and thermal-coupling in multi-finger SiGe HBTs
Balanethiram, Suresh ; Chakravorty, Anjan ; D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting-BCTM, 2015 IEEE, Boston (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399911

Early Demonstration of a High VSWR Microwave Coaxial Programmable Impedance Tuner with Coaxial Slugs
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potereau, Manuel ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerherve, Eric ; Thomas, Zimmer
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163596

Characterization and modeling of low-frequency noise in CVD-grown graphene FETs
Mukherjee, Chhandak ; Aguirre-Morales, Jorgue-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Wei, Wei
Dans : proceeding of the Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 45th European, Gratz (Austria)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235951

Monocristaux de semiconducteurs organiques : le premier transistor bipolaire organique et d’autres applications en MEMS organiques
Pereira, Marco ; Ayela, Cédric ; Fregonese, Sebastien ; Bachevillier, Stéphane ; Hirsch, Lionel ; Crosby, Alfred ; Briseno, Alejandro ; Wantz, Guillaume
Dans : SPIC 2015 : Science et Technologie des Systèmes pi-Conjugués, Angers (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01228631

Nouvelles structures 3D pour calibrage TRL sur puces adaptées à la mesure de paramètres S très hautes fréquences
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM2015), Talence (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163604

New 3D-TRL structures for on-wafer calibration for high frequency S-parameter measurement
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163593

Caractérisation et modélisation d’une nouvelle technologie de synthétiseur d’impédances automatiques coaxial 3,5mm à fort TOS
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : 19èmes Journées Nationales Microondes, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158220

Impact study of the process thermal budget of advanced CMOS nodes on SiGe HBT performance
Vu, Tuan Van ; Rosenbaum, Tommy ; Saxod, O. ; Céli, Didier ; Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Chevalier, Pascal
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting-BCTM, 2015 IEEE, Boston (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399915

2014


Analytical Study of Performances of Bilayer and Monolayer Graphene FETs based on Physical Mechanisms
Aguirre-Morales, J.D. ; Mukherjee, C. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Graphene week, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002504

Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature Variation
Chhandak, Mukherjee ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Happy, H. ; MELE, David ; Maneux, Cristell
Dans : Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, 44th European, Venise (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01090864

A study on transient intra-device thermal coupling in multifinger SiGe HBTs
D'Esposito, Rosario ; Weiß, Mario ; Kumar Sahoo, Amit ; Frégonèse, Sébastien ; T., Zimmer
Dans : Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2014 IEEE, Coronado, CA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158666

Statistical Study on the Variation of Device Performance in CVD-grown Graphene FETs
Mukherjee, C. ; Morales, D.A. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Graphene week 2014, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002511

2013


High frequency noise characterisation of graphene FET Device
MELE, D. ; Fregonese, S. ; Lepilliet, S. ; Pichonat, E. ; Dambrine, G. ; Happy, H.
Dans : 61st IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2013, Seattle, WA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00944030

Limitations of on-wafer calibration and de-embedding methods in the sub-THz range
Potereau, M. ; Raya, C. ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Curutchet, Arnaud ; Zhang, M. ; Ardouin, B. ; Zimmer, Thomas
Dans : ECC 2013 conference, Sanya (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909399

Impact of Back-end-of-line on Thermal Impedance in SiGe HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sébastien ; Weib, Mario ; Santorelli, Marco ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : SISPAD 2013, Glasgow - Ecosse (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00906141

A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905673

Modeling of mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : SBMicro 2013, Curitiba (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905817

Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs
Weib, Mario ; Sahoo Amit, Kumar ; Raya, Cristian ; Santorelli, Marco ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : EDSSC 2013, Hong Kong (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905765

Mutual thermal coupling in SiGe:C HBTs
Weiß, M. ; Sahoo, A.K. ; Maneux, C. ; Fregonese, S. ; Zimmer, T.
Dans : Chip in Curitiba 2013 - SBMicro 2013: 28th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Curitiba (Brazil)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978734

The potential of graphene for electronics
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell
Dans : The International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices 2013, Hammamet (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00905774

2012


Pulsed I(V) pulsed RF measurement system for microwave device characterization with 80ns/45GHz
Weis, Mario ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, Marco ; Kumar Sahoo, Amit ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012 Proceedings of the European, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978793

Pulsed I(V) - Pulsed RF Measurement System for Microwave Device Characterization with 80ns/45GHz
Weiß, M. ; Fregonese, Sebastien ; Santorelli, M. ; Kumar Sahoo, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002174

2011


FPGA design with double-gate carbon nanotube transistors
Ben Jamma, Haykel ; Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Fregonese, Sebastien ; De Marchi, Michele ; De Micheli, Giovanni ; Zimmer, Thomas ; Clermidy, Fabien ; O'Connor, Ian
Dans : 10th China Semiconductor Technology International Conference 2011, CSTIC 2011, Shanghai (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669403

Modeling of SiGe spike mono emitter HBT with HICUM in static and dynamic operations
Bhattacharyya, Arkaprava ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2011 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, Atlanta (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669452

NQS modelling with HiCuM: What works, what doesn't
Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 24th BipAk, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590790

NQS effect and implementation in compact transistor model
Bhattacharyya, Arkaprava ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : MOS-AK/GSA Workshop, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590784

Electrical compact modelling of graphene transistors
Fregonese, Sebastien ; Nguyen, Huu-Nha ; Majek, Cédric ; Maneux, Cristell ; Happy, Henri ; Meng, Nan ; Zimmer, Thomas
Dans : Conference Graphene 2011, Bilbao (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00588825

Carbon-based Schottky barrier transistor: From compact modeling to digital circuit applications
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Masmoudi, Nouri
Dans : 6th International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, DTIS'11, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669416

Electro-thermal dynamic simulation and thermal spreading impedance modeling of Si-Ge HBTs
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 25th IEEE Bipolar/BiCMOS Technology and Circuits Meeting, BCTM 2011, ATLANTA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669443

Electro-thermal characterization of Si-Ge HBTs with pulse measurement and transient simulation
Sahoo Amit, Kumar ; Fregonese, Sebastien ; Weib, Mario ; Malbert, Nathalie ; Zimmer, Thomas
Dans : 41st European Solid-State Device Research Conference, Helsinki (Finland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669428

2010


TCAD simulation and development within the European DOTFIVE project on 500GHz SiGe:C HBT's
Al-Sa'Di, Mahmoud ; D'Alessandro, V. ; Fregonese, Sebastien ; Hong, S.M. ; Jungemann, C. ; Maneux, Cristell ; Marano, I. ; Pakfar, A. ; Rinaldi, N. ; Sasso, G. ; Schröter, M. ; Sibaja-Hernandez, A. ; Tavernier, C. ; Wedel, G.
Dans : European Microwave Week 2010: Connecting the World, EuMIC 2010, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584869

Modeling of a novel NPN-SiGe-HBT device structure using strain engineering technology in the collector region for enhanced electrical performance
Al-Sa'Di, Mahmoud ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Austin (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584860

Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement through Employing Si3N4 Strain in the Collector Region
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 218th ECS Meeting, Las Vegas (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00526042

TCAD Modeling of NPN-SiGe-HBT Electrical Performance Improvement Through Extrinsic Stress Layer
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00488682

From nanoscale technology scenarios to compact device models for ambipolar devices
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems (ICECS), Athènes (Greece)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00589113

A compact model for double gate carbon nanotube FET
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : ESSDERC 2010, Séville (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584874

Benchmarking of HBT Models for InP Based DHBT Modeling
Ghosh, S. ; Zimmer, T. ; Ardouin, B. ; Maneux, C. ; Frégonèse, S. ; Marc, F. ; Grandchamp, B. ; Koné, G.A.
Dans : International Conference on Microelectronics, Nis (Serbia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00488687

Optically-Gated CNTFET compact model including source and drain Schottky barrier
Liao, Si-Yu ; Najari, Montassar ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Mnif, H. ; Masmoudi, N.
Dans : 5th Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Hammamet (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00584845

A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
Dans : First EuroGRAPHENE Symposium, Strasbourg (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00588829

2009


Investigation of Electrical BJT Performance through Extrinsic Stress Layer Using TCAD Modeling
Al-Sa'Di, M. ; Fregonese, S. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : Semiconductor Conference Dresden 2009, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399917

A versatile compact model for ballistic 1D transistor: Applications to GNRFET and CNTFET
Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Semiconductor Device Research Symposium, 2009. ISDRS '09. International, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00450128

Compact modeling of Optically-Gated Carbon NanoTube Field Effect Transistor
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Pouget, Vincent ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : Trends in NanoTechnologies 2009, Barcelonna (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399897

Modélisation compacte et transport balistique
Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, T.
Dans : ATELIER DU GDR NANOELECTRONIQUE DE LA REALITE ET DE L'INTERET DU TRANSPORT BALISTIQUE DANS LES COMPOSANTS NANOELECTRONIQUES, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00399887

Analytical modeling of the tunneling current in schottky barrier carbon nanotube field effect transistor using the verilog-a language
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, Nouri
Dans : ) 2009 6th International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00674301

2008


Compact Model of a Dual Gate CNTFET: Description and Circuit Application
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 8th IEEE Conference on Nanotechnology, Arlington, TEXAS, USA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00319955

A Charge Approach for a Compact Model of Dual Gate CNTFET
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Tozeur (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00288046

Toward compact model of Optical-Gated Carbon Nanotube Field Effect Transistor (OG-CNTFET)
Liao, Si-Yu ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00337487

Germanium Base Profile Optimization to Improve fT Characteristics at High Injection in RF Power SiGe:C HBTs
Mans, P.M. ; Jouan, S. ; Pakfar, A. ; Fregonese, S. ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, C. ; Zimmer, T.
Dans : 7th IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, Orlando (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327463

COMPACT MODELING OF THE SCHOTTKY BARRIER JUNCTION IN THE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Najari, Montassar ; Frégonèse, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hasséne ; Masmoudi, Nouri
Dans : JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00337489

Towards Compact Modelling of Schottky Barrier CNTFET
Najari, Montassar ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Mnif, Hassene ; Masmoudi, N.
Dans : IEEE 2008 International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00288040

2007


Modèle compact du transistor double grille CNTFET
Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées thématiques sur la simulation multiphysique de composants et dispositifs nanométriques, Lille (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197536

Investigation of Ge content in the BC transition region with respect to transit frequency
Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Pakfar, A. ; Fregonese, Sebastien ; Brossard, F. ; Perrotin, A. ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 20th BipAk, Munchen (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189397

2006


Prospects for Complementary SiGeC BiCMOS on Thin-Film SOI
Chantre, Alain ; Boissonnet, Laurence ; Avenier, Gregory ; Borot, Gael ; Bouillon, Pierre ; Brossard, Florence ; Chevalier, Pascal ; Deleglise, Florence ; Dutartre, Didier ; Duvernay, Julien ; Fregonese, Sebastien ; Judong, Fabienne ; Pantel, Roland ; Perrotin, Andre ; Rauber, Bruno ; Rubaldo, Laurent ; Saguin, Fabienne ; Schwartzmann, Thierry ; Vandelle, Benoit ; Zimmer, Thomas
Dans : ECS Transactions, Cancun (Mexico)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181206

3D Simulation Study of Strained CMOS based on a disposable SiGe Dot Technology
Fregonese, Sebastien ; Zhuang, Yan ; Burghartz, Joachim Norbert
Dans : GDR Nanoélectronique, Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181694

Analysis of CNTFET physical compact model
Maneux, Cristell ; Goguet, Johnny ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Cazin D'Honincthun, Hughes ; Galdin-Retailleau, S.
Dans : IEEE Design and Test of integrated Systems In Nanoscale Technology, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181481

JFET test structures for monitoring strain-enhanced mobility
Shi, L. ; Lorito, G. ; Fregonese, Sebastien ; Jovanovic, Vladimir ; Nanver, L. K.
Dans : SAFE 2006, (Netherlands)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181691

2005


Investigation of fully- and partially-depleted self-aligned SiGeC HBTs on thin film SOI
Avenier, Gregory ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Lenoble, Damien ; Saguin, Fabienne ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Chantre, A.
Dans : European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2005, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181981

A self-aligned vertical HBT for thin SOI SiGeC BiCMOS
Avenier, Gregory ; Schwartzmann, Thierry ; Chevalier, Pascal ; Vandelle, Benoit ; Rubaldo, Laurent ; Dutartre, Didier ; Boissonnet, L. ; Saguin, Fabienne ; Pantel, Roland ; Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas ; Chantre, A.
Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181977

A Hicum SOI extension
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : 5th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181989

Base-collector junction charge investigation of Si/SiGe HBT on thin film SOI
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2005, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181980

A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT
Fregonese, Sébastien ; Avenier, Gregory ; Maneux, Cristell ; Chantre, A. ; Zimmer, Thomas
Dans : BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181979

Study of a 3D thermal characterization of SiGe HBTS
Sulima, Pierre-Yvan ; Battaglia, Jean Luc ; Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sébastien ; Celi, D.
Dans : Microtherm 2005, VI Conference Thermal Problems in Electronics, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181990

A Transient Measurement Setup for Electro-thermal Characterisation for SiGe HBTs
Sulima, Pierre-Yvan ; Zimmer, Thomas ; Beckrich, Helene ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien ; Celi, D.
Dans : MIXDES, Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181978

2004


Scalable bipolar transistor modelling with HICUM L0
Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
Dans : 4th European HICUM Workshop, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181991

Scalable Substrate Modeling based on 3D Physical Simulation Substrat
Fregonese, Sébastien ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell
Dans : XIX Conference on Design of Circuits and Integrated Systems - DCIS, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181985

Scalable Bipolar Transistor Modelling with HICUM
Fregonese, Sébastien ; Berger, Dominique ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan ; Celi, D.
Dans : IEEE Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181984

Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase
Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Sulima, Pierre-Yvan
Dans : IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181982

Representation of the SiGe HBT's Thermal Impedance by Linear and Recursive Networks
Mnif, Hassene ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien ; Zimmer, Thomas
Dans : IFAC - FDA04, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181983

2003


Simulation physique de TBH SiGe : Etude du temps de transit sur une structure 1D et 2D
Fregonese, Sébastien ; Maneux, Cristell ; Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées Nationales du GDR Nanoélectronique - 4èmes Journées, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181992

Modélisation thermique des TBH SiGe destinés à des applications radiofréquences
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : Conférence Internationale Sciences Electroniques, Technologies de l'Information et des Télécommunications, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181988

Bipolar modeling and selfheating: An Equivalent Network representation For The Thermal Spreading Impedance In SiGe HBTs
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : 10th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, (Poland)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181987

Analytical model for the self-heating effect in SiGe HBTs and its network representationAnalytical model for the self-heating effect in SiGe HBTs and its network representation
Mnif, Hassene ; Zimmer, Thomas ; Battaglia, Jean Luc ; Fregonese, Sébastien
Dans : IEEE International Conference on Signals, Systems, Decision and Information Technology, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181986

Obtaining isothermal data with standard measurement equipment
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Mnif, Hassene ; Ardouin, Bertrand
Dans : 3th European HICUM Workshop, Dresden (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00189389
Invited lectures → 20 Show

2021


Electro-thermal limitations and device degradation of SiGe HBTs with emphasis on circuit performance (Invited)
Fregonese, Sebastien ; Chhandak, Mukherjee ; Rucker, Holger ; Chevalier, Pascal ; Fischer, Gerhard ; Céli, Didier ; DENG, Marina ; Marc, François ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Monterey (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408053

2020


Graphene for Radio Frequency Electronics
Wei, Wei ; Dalal, Fadil ; Fregonese, Sebastien ; Strupinski, Wlodek ; Pallecchi, Emiliano ; Happy, Henri
Dans : 2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC), San Jose (Costa Rica)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02920359

2019


On wafer small signal characterization beyond 100 GHz for compact model assessment
Fregonese, Sebastien ; DENG, Marina ; Cabbia, Marco ; Yadav, Chandan ; Ranjan Panda, Soumya ; Zimmer, Thomas
Dans : European Microwave Week Workshop Recent advances in SiGe BiCMOS: technologies, modelling & circuits for 5G, radar & imaging, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02386275

Modelling and Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications Modeling and characterization of HBT in THz range
Zimmer, Thomas ; DENG, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien
Dans : XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices: IWPSD 2019, Kolkata (India)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02453238

2018


2D RF Electronics: from devices to circuits - challenges and applications
Fadil, Dalal ; Wei, Wei ; Pallecchi, Emiliano ; Anderson, M ; stake, Jan ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Happy, Henri
Dans : 2018 76th Device Research Conference (DRC), Santa Barbara (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02372652

Measurement issues of on-Silicon de- embedding test structures in the Sub-THz range
Yadav, Chandan ; Deng, Marina ; Fregonese, Sebastien ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : AKB working group, Frickenhausen (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02380246

2017


Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications
Fregonese, S. ; Deng, M ; Potereau, M ; De Matos, M. ; Zimmer, T.
Dans : Conférence invitée, 2nd Sino MOS-AK Workshop, Hangzhou (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02379050

High frequency and noise performance of GFETs
Wei, W. ; Fadil, D. ; DENG, Marina ; Fregonese, S. ; Zimmer, T. ; Pallecchi, E. ; Dambrine, G. ; Happy, H.
Dans : 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Vilnius (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01695812

2016


BEOL-investigation on selfheating and SOA of SiGe HBT
D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 28th BipAK 2016, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399956

2015


Compact Model Validation Strategies Based on Dedicated and Benchmark Circuit Blocks for the mm-Wave Frequency Range
Ardouin, Bertrand ; Schroter, Michael ; Zimmer, Thomas ; Aufinger, Klaus ; Pfeiffer, Ulrich ; Raya, Christian ; Mukherjee, A. ; Malz,, S. ; Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali
Dans : proceeding of the Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2015 IEEE,, New Orleans, LA, USA (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235946

Graphene FET evaluation for RF and mmWave circuit applications
Fregonese, Sebastien ; Morales, Jorgue Daniel Aguirre ; De Matos, Magali ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : Circuits and Systems (ISCAS), 2015 IEEE International Symposium on, Lisbonne (Portugal)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235960

Substrate-coupling effect in BiCMOS technology for millimeter wave applications
Fregonese, Sebastien ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali ; Kohler, Andreas ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
Dans : New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Grenoble (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01235958

The Organic Bipolar Heterojunction Transistor (OHBT)
Wantz, Guillaume ; Pereira, Marco ; Ayela, Cédric ; Fregonese, Sébastien ; Briseno, Alejandro ; Hirsch, Lionel ; Thuau, Damien
Dans : MRS Fall Meeting 2015, Boston (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02505589

On the Use of Single-Crystals of Organic Semiconductors in Novel Electronic Devices
Wantz, Guillaume ; Bachevillier, Stéphane ; Reyes-Martinez, Marcos ; Ayela, Cédric ; Fregonese, Sebastien ; Hirsch, Lionel ; Briseno, Alejandro
Dans : MRS Spring Meeting 2015, San Francisco (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01228731

2014


Graphene electronics: how far from industrial applications
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien
Dans : ICTC Compact Modeling Workshop, Shangai (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002135

The potential of graphene for RF applications
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Maneux, Cristell
Dans : BIT's 3rd World Congress of Advanced Materials, (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002132

Electro-Thermal Investigation and Modeling of Sige Hbt High-Speed Devices
Zimmer, Thomas ; Weiß, Mario ; Maneux, Cristell ; Fregonese, Sebastien
Dans : SiGe, Ge & Related Compounds: Materials, Processing and Devices, (Mexico)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987211

2013


Electro-Thermal Device Characterization & Modelling
Fregonese, Sebastien ; Kumar Sahoo, Amit ; Weib, Mario ; Maneux, Cristell
Dans : OBip: Open Bipolar Workshop at BCTM in Bordeaux, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987256

The potential of graphene for electronics
Zimmer, T. ; Fregonese, S. ; Maneux, Cristell
Dans : SDD, International Multi-Conference on Systems Signals & Devices, (Tunisia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002124

2011


Anything else beyond CMOS?
Fregonese, Sebastien ; Cristell, Maneux ; Thomas, Zimmer
Dans : Atelier CNRS : " Nouveaux paradigmes de traitement de l'information ", Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987253
Book chapters → 2 Show

2019


Chapter 2 - Electrothermal Characterization, TCAD Simulations, and Physical Modeling of Advanced SiGe HBTs
D'Esposito, Rosario ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01923381

2005


Network Analysis for SiGe HBT's Thermal Impedance Modelling
Mnif, Hassene ; Battaglia, Jean-Luc ; Sulima, Pierre Yvan ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181751
Directions of work or proceedings → 1 Show

2013


Foreword
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00978707
Habilitation à diriger des recherches (Habilitation of Conducting Research) → 1 Show

2019


Caractérisation et modélisation des transistors avancés et émergents pour la conception de circuit
Fregonese, Sebastien
https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-02379493
Preprint, Working Paper, Document sans référence, etc. → 3 Show

2021


On-Wafer TRL Calibration Kit Design for InP Technologies Characterization Up To 500 GHz
DENG, Marina ; Chhandak, Mukherjee ; Yadav, Chandan ; Bolognesi, Colombo ; Nodjiadjim, Virginie ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; De Matos, Magali ; Maneux, Cristell
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407881

Multi-Scale Modeling of Type-II DHBTs: from Bandstructure to Self-Heating Effects
Wen, Xin ; Arabhavi, Akshay Mahadev ; Quan, Wei ; Ostinelli, Olivier ; Chhandak, Mukherjee ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas ; Maneux, Cristell ; Bolognesi, Colombo ; Luisier, Mathieu
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03407871

2017


Frequency analysis of the penetration depth of the heat flow in SiGe HBTs
Rosario, D'Esposito ; Fregonese, Sébastien ; Suresh, Balanethiram ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01649953
Patents → 1 Show

2016


Balun device with GFET transistors
Zimmer, Thomas ; Fregonese, Sebastien ; Happy, Henri
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721670
Research report → 1 Show

2016


Modèle dans NANOHUB : Physics-Based Compact Model for Dual-Gate Bilayer Graphene FETs 1.0.0
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel ; Fregonese, Sebastien ; Mukherjee, Chhandak ; Maneux, Cristell ; Zimmer, Thomas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399947