Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système

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NANOELECTRONIQUE / III-V
0540002633
A31A B22

Total : 84

Articles in peer-reviewed journal → 22 Show

2021


Meander-Type Lines: An Innovative Design for On-Wafer TRL Calibration for mmW and sub-mmW Frequencies Measurements
Cabbia, Marco ; Fregonese, Sebastien ; Deng, Marina ; Curutchet, Arnaud ; Yadav, Chandan ; Celi, Didier ; De Matos, Magali ; Zimmer, Thomas
Dans : IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03273404

2019


Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests
Magnier, Florent ; Lambert, Benoit ; Chang, Christophe ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462730

2017


Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability
Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Carisetti, Dominique ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462652

TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01625567

2016


On the development of a novel high VSWR programmable impedance tuner
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potéreau, Manuel ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : International Journal of Microwave and Wireless Technologies
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01345690

Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, M. ; Dejaeger, J.C. ; Malbert, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718762

Long-Term Stable Organic Photodetectors with Ultra Low Dark Currents for High Detectivity Applications.
Marcin, Kielar ; Dhez, Olivier ; Pecastaings, Gilles ; Curutchet, Arnaud ; Hirsch, Lionel
Dans : Scientific Reports
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01431863

2015


Correlation between forward-reverse low-frequency noise and atypical I–V signatures in 980 nm high-power laser diodes
Del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Labat, Nathalie ; Béchou, Laurent
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01214031

Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Curutchet, Arnaud
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718753

2013


Analysis of Schottky Gate degradation evolution in AlGaN/GaN HEMTs during HTRB stress
Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit ; Mezengue, P. ; BATAILLE, J. ; Floriot, Didier ; Grunenputt, J. ; Blanck, Hans ; Carisetti, Dominique ; Gourdel, Y. ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002643

Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by low frequency noise and pulsed electrical measurements Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by pulsed I-V and low frequency noise measurements
Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Rzin, M ; Brunel, L ; Curutchet, A ; Malbert, N ; Labat, N ; Carisetti, D ; Lambert, B ; Mermoux, M ; Romain-Latu, E ; THOMAS, Florian ; Bouexière, C ; Moreau, C
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343328

Influence of gate leakage current on AlGaN/GaN HEMTs evidenced by low frequency noise and pulsed electrical measurements
Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Rzin, Mehdi ; Brunel, Laurent ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Carisetti, Dominique ; Lambert, Benoit ; Mermoux, Michel ; Romain-Latu, Eddy ; Thomas, Frank ; Bouexiere, Chloé ; Moreau, Christian
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002658

A Robust Surface-Potential-Based Compact Model for GaN HEMT IC Design
Khandelwal, Sourabh ; Yadav, Chandan ; Agnihotri, Shantanu ; Chauhan, Yogesh Singh ; Curutchet, Arnaud ; Zimmer, Thomas ; De Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, Nicolas ; Fjeldly, T.A.
Dans : IEEE Transactions on Electron Devices
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909066

Limitations of on-wafer calibration and de-embedding methods in the sub-THz range
Potereau, M. ; Raya, C. ; De Matos, M. ; Fregonese, S. ; Curutchet, A. ; Zhang, M. ; Ardouin, B. ; Zimmer, T.
Dans : Journal of Computer and Communications
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002098

2012


Evidence of relationship between mechanical stress and leakage current in AlGaN/GaN transistor after storage test
Lambert, B ; Labat, N ; Carisetti, D ; Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Thorpe, J ; Brunel, L ; Curutchet, A ; Malbert, N ; Romain-Latu, E ; Mermoux, M
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343325

Evidence of relationship between mechanical stress and leakage current in AlGaN/GaN transistor after storage test
Lambert, Benoit ; Labat, Nathalie ; Carisetti, Dominique ; Karboyan, Serge ; Tartarin, Jean-Guy ; Thorpe, J. ; Brunel, Laurent ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Latu-Romain, Eddy ; Mermoux, Michel
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002539

2010


SiGe HBTs optimization for wireless power amplifier applications
Zimmer, Thomas ; Mans, Pierre-Marie ; Jouan, Sebastien ; Fregonese, Sebastien ; Vandelle, Benoit ; Pache, Denis ; Curutchet, Arnaud ; Maneux, Cristell
Dans : Active and Passive Electronic Components
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00671680

2009


Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Malbert, N. ; Curutchet, A. ; Sury, C. ; Hoel, V. ; De Jaeger, J.C. ; Defrance, N. ; Douvry, Y. ; Dua, C. ; Oualli, M. ; Bru-Chevallier, C. ; Bluet, J.M. ; Chikhaoui, W.
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401267

2008


Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
Curutchet, Arnaud ; Theron, Didier ; Gaquière, Christophe ; Werquin, M. ; Ducatteau, D. ; Bethoux, J.M. ; Happy, Henri ; Dambrine, G. ; Derycke, Vincent
Dans : ieee mtt
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00315911

2006


AlGaN/GaN HEMT Reliability Assessment by means of Low Frequency Noise Measurements
Sozza, Alberto ; Curutchet, Arnaud ; Dua, Christian ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00196943

2004


Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A.
Dans : Fluctuation and Noise Letters
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183491

2003


Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMT's grown on silicon, SiC and sapphire substrates
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Lareche, H. ; Minko, A. ; Uren, Michael
Dans : Microelectronics Reliability
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183492
Conference with proceedings (national) → 56 Show

2021


Meander-Type Transmission Line Design for On-Wafer TRL Calibration up to 330 GHz
Cabbia, Marco ; DENG, Marina ; Fregonese, Sebastien ; Yadav, Chandan ; Curutchet, Arnaud ; De Matos, Magali ; Celi, Didier ; Zimmer, Thomas
Dans : 2020 50th European Microwave Conference (EuMC), Utrecht (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03173013

2019


Méthodologie d’extraction de la puissance de sortie au cours de vieillissements accélérés à partir de mesures I-V pulsées
Magnier, Florent ; Chang, Christophe ; Lambert, Benoit ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2019, Caen (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462791

Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests
Magnier, Florent ; Lambert, Benoit ; Chang, Christophe ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie
Dans : ESREF 2019, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462713

2018


Investigation of the trap-limited transient response of GaN HEMTs
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2018 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop, Brives (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01851997

Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN HEMTs
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Burlingham (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01787593

Investigation of Trapping Behaviour in GaN HEMTs through physical TCAD Simulation of Capacitance Voltage characteristics
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : EuroSimE 2018, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718857

Comprehensive Study into Underlying Mechanisms of Anomalous Gate Leakage Degradation in GaN High Electron Mobility Transistors
Kalparupa, Mukherjee ; Darracq, Frédéric ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : IRPS 2018, San Francisco (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718850

2017


Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, Marie ; De Jaeger, Jean Claude ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2017, Saint Malo (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462775

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state
Lakhdar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, Marie ; Dejaeger, J.C. ; Malbert, Nathalie
Dans : JNM 2017, St MALO (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718864

Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications
Mukherjee, Kalparupa ; Darracq, Frederic ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : BEE Week at IEEE IM an MTT-S Day, IEEE student Branch, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462765

TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices
Mukherjee, Kalparupa ; Darracq, Frederic ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : ESREF 2017, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462694

2016


Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
Lakhdhar, Hadhemi ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Defrance, Nicolas ; Lesecq, Marie ; De Jaeger, Jean Claude ; Malbert, Nathalie
Dans : ESREF 2016, Händel-Halle (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462684

A Test Structure Set for on-wafer 3D-TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; D'Esposito, Rosario ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : 2016 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Yokohama (Japan)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01399900

Meander type transmission line design for on-wafer TRL calibration
Potéreau, Manuel ; Deng, Marina ; Raya, C ; Ardouin, Bertrand ; Aufinger, Klaus ; Ayela, Cédric ; Dematos, Magalie ; Curutchet, Arnaud ; Fregonese, Sebastien ; Zimmer, Thomas
Dans : EuMW 2016, Londres (United Kingdom)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01301312

2015


Early Demonstration of a High VSWR Microwave Coaxial Programmable Impedance Tuner with Coaxial Slugs
Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; Potereau, Manuel ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sebastien ; Kerherve, Eric ; Thomas, Zimmer
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163596

Original Screening Methodology based on Correlation between Low-Frequency Noise Measurements and Reverse Bias Behavior of GaAs-based Laser Diodes
Del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Joly, Simon ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Bechou, Laurent
Dans : CLEO/EUROPE, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721054

Correlation between Forward-Reverse Low-Frequency Noise and atypical I-V signatures in 980nm High-Power Laser Diodes
Del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Labat, Nathalie ; Bechou, Laurent
Dans : ESREF, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01219200

Original Screening Methodology based on Correlation betweenLow-Frequency Noise Measurements and Reverse Bias Behaviorof GaAs-based Laser Diodes
Del Vecchio, Pamela ; Curutchet, Arnaud ; Deshayes, Yannick ; Joly, Simon ; Bettiati, Mauro ; Laruelle, François ; Bechou, Laurent
Dans : CLEO 2015 (Conference on Lasers and Electro-Optics), munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163620

Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC
Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Carisetti, Dominique ; Curutchet, Arnaud ; Lambert, Benoit ; Labat, Nathalie
Dans : JFMMA 2015, meknes (Morocco)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163624

Nouvelles structures 3D pour calibrage TRL sur puces adaptées à la mesure de paramètres S très hautes fréquences
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM2015), Talence (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163604

New 3D-TRL structures for on-wafer calibration for high frequency S-parameter measurement
Potereau, Manuel ; Fregonese, Sebastien ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, Peter ; Zimmer, Thomas
Dans : EUMW2015, PARIS (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163593

Caractérisation et modélisation d’une nouvelle technologie de synthétiseur d’impédances automatiques coaxial 3,5mm à fort TOS
Potéreau, Manuel ; Curutchet, Arnaud ; Ghiotto, Anthony ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Kerhervé, Eric ; Zimmer, Thomas
Dans : 19èmes Journées Nationales Microondes, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158220

Investigation of the dynamic on-state resistance of AlGaN/GaN HEMTs
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : ESREF 2015, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02462670

Schottky gate of AlGaN/GaN HEMTs: investigation with DC and low frequency noise measurements after 7000 hours HTOL test
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : 23rd International conference on noise and fluctuations (ICNF2015), Xi'AN (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163601

Etude du contact Schottky de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC après 7000h de test de vieillissement de type HTOL
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : XIXèmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM2015), TALENCE (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01163586

2014


Critical failure mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMT under severe stress test conditions
Carisetti, Dominique ; Sarazin, Nicolas ; Brunel, Laurent ; Clement, J.C. ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie
Dans : 7th Wide band gap semiconductor and components workshop, pp. 309-315, septembre 2014, Frascati, Italy, Frascati (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01718823

2013


Thermal Laser Stimulation technique for AlGaN/GaN HEMT technologies improvement
Carisetti, Dominique ; Sarazin, N. ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Lambert, Benoit ; Brunel, Laurent ; Rousseau, K. ; Romain Latu, Eddy ; Frank, Thomas
Dans : ISTFA 2013 ( International Symp. For Testing and Failure Analysis), San Jose (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00989606

Limitations of on-wafer calibration and de-embedding methods in the sub-THz range
Potereau, M. ; Raya, C. ; De Matos, Magali ; Fregonese, Sébastien ; Curutchet, Arnaud ; Zhang, M. ; Ardouin, B. ; Zimmer, Thomas
Dans : ECC 2013 conference, Sanya (China)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00909399

Investigation of gate and drain leakage currents of AlGaN/GaN HEMTs at subthreshold regime for temperature range 300K - 400K
Rzin, Mehdi ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : European Microwave week (EuMIC 2013), Nüremberg (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987798

Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC
Rzin, Mehdi ; Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Brunel, Laurent ; Lambert, Benoit
Dans : Journées Nationales Microondes (JNM) 2013, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987763

2012


Kink effect characterization in AlGaN/GaN HEMTs by DC and Drain Current Transient measurements
Brunel, Laurent ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit
Dans : essderc 2012, Bordeaux (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00987040

2011


On-Si calibration vs ISS calibration
Bazzi, Jad ; Curutchet, Arnaud ; Baureis, P. ; Zimmer, Thomas
Dans : 24th BipAk, Munich (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590786

Investigation of de-embedding procedure up to 110GHz
Bazzi, Jad ; Raya, C. ; Curutchet, Arnaud ; Pourchon, F. ; Derrier, N. ; Celi, D. ; Zimmer, Thomas
Dans : MOS-AK/GSA Workshop, Paris (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00590781

Détection et identification des pièges dans les HEMTS AlGaN/GaN
Brunel, L. ; Malbert, N. ; Curutchet, A. ; Labat, N. ; Lambert, Benoit
Dans : 17èmes Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00672186

Détection et identification des pièges dans les HEMTs AlGaN/GaN
Brunel, Laurent ; Malbert, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Labat, Nathalie ; Lambert, Benoit
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585618

Dégradation du bruit en courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC
Sury, Charlotte ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Dua, Christian ; Oualli, Mourad ; Diforte-Poisson, M.A. ; Aubry, Raphaël
Dans : Journées Nationales Microondes, Brest (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585621

2010


Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs
Douvry, Y. ; Hoel, V. ; De Jaeger, J.C. ; Defrance, N. ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Sury, Charlotte ; Dua, C. ; Oualli, M. ; Piazza, M. ; Bluet, J.M. ; Chikhaoui, W. ; Bru-Chevallier, C.
Dans : European Solid-State Device Research Conference 2010, Séville (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585101

2009


Investigation of High Frequency coupling between Probe tips and Wafer surface.
Bazzi, J. ; Raya, C. ; Curutchet, A. ; Zimmer, T.
Dans : IEEE BiCMOS Technology Meeting 2009, (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00400373

Caractérisation et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences dans la filière HEMT à base de nitrure de gallium
Curutchet, A. ; Sury, C. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : - XVIèmes Journées Nationales Microondes, France, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401250

RF doubling and rectification in Three-Terminal Junctions: experimental characterization and Monte Carlo analysis
Iñiguez-De-La-Torre, I. ; González, T. ; Pardo, D. ; Gardes, Chantal ; Roelens, Y. ; Bollaert, S. ; Curutchet, A. ; Gaquière, Christophe ; Mateos, J.
Dans : EDISON 16, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401237

Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Sury, Charlotte ; Hoel, Virginie ; De Jaeger, Jean-Claude ; Defrance, Nicolas ; Douvry, Yannick ; Dua, Christian ; Oualli, Mourad ; Bru-Chevallier, Catherine ; Bluet, Jean-Marie ; Chikhaoui, Walf
Dans : GaN microwave component technology workshop, Ulm (Germany)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401323

Low frequency Noise evolution of AlGaN/GaN HEMT after 2000 Hours of HTRB and HTO life test
Sury, Charlotte ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : 20 th International Conference on Noise and Fluctuations, Pise (Italy)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401286

2008


MODELISATION DU COURANT DE GRILLE DES HEMTs AlGaN/GaN
Lacheze, L. ; Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : XIVème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401345

Étude du bruit aux basses fréquences des contacts ohmiques des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium
Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N.
Dans : JNMO, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401350

Extraction et modélisation des sources de bruit aux basses fréquences des hétérostructures à base de Nitrure de Gallium
Sury, C. ; Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : XIVème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401347

2007


Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors hyperfréquences à Effet de Champ à base de Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau Large Signal (LSNA)
Curutchet, Arnaud ; Bethoux, J.M. ; Werquin, M. ; Happy, Henri ; Theron, Didier ; Ducatteau, D. ; Dambrine, G. ; Gaquière, Christophe ; Derycke, Vincent
Dans : XVIèmes Journées Nationales Microondes, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197497

2006


Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors à Effet de Champs à Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau non linéaire (LSNA)
Curutchet, Arnaud ; Bethoux, J.M. ; Werquin, M. ; Happy, Henri ; Theron, Didier ; Ducatteau, D. ; Gaquière, Christophe
Dans : GDR G2054 Nanoélectronique, - (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00197505

2005


Traps characterization inSi-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques
Sozza, Alberto ; Dua, Christian ; Sarazin, N. ; Morvan, E. ; Delage, Sylvain ; Rampazzo, F. ; Tazzoli, A. ; Danesin, F. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, Enrico ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie
Dans : Proceeding of International Workshop on Heterostructures HETECH, (Slovakia)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183504

Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress
Sozza, Alberto ; Dua, Christian ; Morvan, E. ; Diforte-Poisson, Ma ; Delage, Sylvain ; Rampazzo, F. ; Tazzoli, A. ; Danesin, F. ; Meneghesso, G. ; Zanoni, Enrico ; Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Grimber, B. ; De Jaeger, Jean-Claude
Dans : Proceeding of IEDM, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183500

2004


Analyse du bruit basses fréquences de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et Saphir
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Uren, M.
Dans : Xème Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, La Grande Motte (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401361

Analyse du bruit basse fréquence de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC et saphir
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A. ; Uren, M.
Dans : GDR Semi-Conducteur Grand Gap, Freyjus (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401359

Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : 2004 European Microwave Week, Workshop on Wide band gap Research for Microwave applications : Materials, devices and circuit Issues, (Netherlands)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183569

2003


Analyse du bruit BF du canal de la technologie HEMT sur nitrure de gallium (GaN)
Curutchet, A. ; Malbert, N. ; Labat, N. ; Touboul, A.
Dans : JNRDM, Toulouse (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00401358

Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrats silicium et saphir
Curutchet, Arnaud ; Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A. ; Uren, Michael
Dans : XIIIèmes Journées Nationales Microondes, (France)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183507

Low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Touboul, Andre ; Gaquière, Christophe ; Minko, A.
Dans : Fluctuation and Noise Conference, (United States)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183510

Analysis of low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Touboul, Andre ; Uren, Michael
Dans : 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, (Czech Republic)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183508
Invited lectures → 2 Show

2011


Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs
Labat, Nathalie ; Malbert, Nathalie ; Maneux, Cristell ; Curutchet, Arnaud ; Grandchamp, Brice
Dans : INCF 2011, Toronto (Canada)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00585593

2004


Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s
Malbert, Nathalie ; Labat, Nathalie ; Curutchet, Arnaud ; Verdier, Frédéric ; Touboul, Andre
Dans : Fluctuation and Noise Conference, (Spain)
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00183566
Patents → 4 Show

2015


Dispositif de calibrage pour l'ajustement d'une mesure radiofréquence
Zimmer, Thomas ; Sebastien, Fregonese ; Curutchet, A. ; Potéreau, Manuel ; Raya, Christian
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01721675

2014


MACHINE TOURNANTE A ROTOR FLUIDIQUE A PALES ORIENTABLES
Curutchet, Arnaud ; Gabriel, Cordé ; Grosmangin, Stephane ; Renaud, Fourton
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00993368

2012


SYNTHÉTISEUR D'IMPÉDANCE COAXIAL
Curutchet, Arnaud
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00986959

2010


ENSEMBLE D'ADAPTATION D'IMPÉDANCE, CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIES
Curutchet, Arnaud
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00556588