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Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système
 
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GRADE
Graphene-based Devices and Circuits for RF Applications

Type de projet : FP7 - STREP
Dates de début et de fin du projet : 01/10/2012 au 30/09/2015
Responsable scientifique IMS : ZIMMER Thomas

Descriptif et cadre du projet
Grade est un projet STREP de 3 ans qui se concentre sur les activités RTD avancées nécessaires à la démonstration de la preuve de concept de nouveaux dispositifs électroniques à base de graphène fonctionnant à des fréquences terahertz (THz). Le projet propose deux concepts différents chacun offrant des avantages spécifiques. Les transistors graphène à effet de champ (GFET) utilisent le graphène comme un canal de conduction à haute mobilité. Les transistors à base de graphène (GBT) sont des dispositifs d'électrons chauds innovants qui utilisent le graphène pris en sandwich entre deux couches isolantes, chacune étant elle-même recouverte d'une couche de métal. En étudiant les caractéristiques haute-fréquences uniques des GFET et des GBT, le consortium prévoit des applications innovantes dans les secteurs de la communication, de l'automobile, de la surveillance (sécuritaire et environnementale). Les systèmes de communication sans-fil basse puissance fonctionnant à plus de 100 Gbit/s ou les systèmes de capteur THz portable compatible pour la détection d'agents dangereux semblent réalisables avec des dispositifs actifs fonctionnant dans le régime THz. Afin qu'ils soient abordable par une large gamme de consommateurs, les dispositifs THz doivent être intégrés dans la technologie Silicium. Les GBTs et les GFETs peuvent satisfaire cette exigence. La recherche proposée rend possible la démonstration et l'évaluation de ces nouveaux concepts de dispositifs pour les futurs systèmes THz et prépare leur transition vers une intégration dans une plateforme de technologie Si.

http://www.grade-project.eu


Permanents IMS impliqués
Thomas Zimmer (responsable scientifique)
Cristell Maneux
Sébastien Frégonèse (WP leader)
Magali De Matos

Compétences apportées par lIMS
  • Caractérisation des composants hyperfréquences
  • Modélisation électrique compacte
  • Conception de structures de test et de circuits démonstrateurs

Partenaires
  • KUNGLIGA TEKNISKA HOEGSKOLAN (Suède)
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG (Allemagne)
  • IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS (Allemagne)
  • CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA (Italie)
  • UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE - IEMN



 
 
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