Dotseven est un projet de R&D très ambitieux visant le développement des technologies de transistors Bipolaires à Hétérojonctions (HBT) SiGe (Silicium-Germanium) ayant une fréquence de coupure (fmax) avoisinant les 700 GHz. Une attention particulière sera portée pour démontrer clairement les possibilités et les bénéfices de cette technologie comportant des circuits référence et des applications de systèmes avancés dans la gamme 0,1 à 1 THz comme des imageurs et capteurs THz, des communications sans fil Gb/s et des radars à ondes millimétriques.
Pour un noeud de lithographie donné, les transistors HBTs génèrent des fréquences de coupure largement supérieures aux transistors CMOS tout en offrant une densité de puissance supérieure et de meilleures performances analogiques. Les technologies SiGe HBT et SiGe HBT-BiCMOS donnent la possibilité de créer des systèmes à ondes millimétriques requérant plus de quelques µWatts de puissance RF en sortie (qui limite l'utilisation de CMOS même très avancé) et offrent également des niveaux d'intégration élevés à faible coût, ce qui exclue des solution III-V onéreuses et moins intégrées.
Dotseven est le prolongement du projet FP7 Dotfive qui a réussi pour la première fois à pousser les fréquences de coupures de transistors SiGe HBTs vers 500 GHz et par conséquent à imposer une nouvelle référence mondiale. Déclenchée par les impressionnants résultats de Dotfive, plusieurs initiatives dans le reste du monde ont déjà commencé à rattraper et tentent même de dépasser ces résultats.
L'objectif principal du consortium DOTSEVEN est donc d'élargir considérablement le succès des travaux de DOTFIVE, de renforcer la position du leadership Européen dans la technologie et la modélisation des transistors SiGe HBT ainsi que dans les applications millimétriques associées afin de conserver l'avance sur la concurrence non-européenne.

Thomas Zimmer (responsable scientifique)
Cristell Maneux
Sébastien Frégonèse
Magali De Matos