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DOTFIVE
Towards 0.5 TeraHertz Silicon / Germanium Heterojunction bipolar technology

Type de projet : FP7
Dates de début et de fin du projet : 01/02/2008 au 31/07/2011
Responsable scientifique IMS : ZIMMER Thomas

Description et cadre du projet
DOTFIVE est un projet ambitieux dont les activités de recherche et de développement technologique ont pour vocation de faire évoluer le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Silicone/Germanium dans la gamme de fréquence de fonctionnement de 0,5 TeraHertz (THz) ou 500 GHz.

Le projet permettra le développement de circuits intégrés de télécommunication, d'imagerie ou de radars travaillant à des fréquences atteignant les 160 GHz. Pour un nœud de lithographie donné, les transistors bipolaires et plus récemment les HBTs ont toujours avancé dans la course aux fréquences les dispositifs MOS, tout en offrant une densité de puissance supérieure et une meilleure performance analogue (transconductance, bruit, compatibilité de transistors).

L'objectif principal de ce consortium hautement qualifié vise à établir le savoir-faire approprié et une position de leader dans l'industrie Européenne des semi-conducteurs grâce à des travaux de recherche et de développement sur des structures à base de Silicium et sur la conception de circuits dans le domaine des ondes millimétriques.

http://www.dotfive.eu/


Permanents IMS impliqués
Thomas ZIMMER
Jean-Baptiste BEGUERET
Sébastien FREGONESE
Cristell MANEUX

Compétences apportées par le Laboratoire IMS
  • Recherche sur les structures HBT innovantes : Etude des structures innovantes en appliquant les mécanismes de contraintes sur le HBT SiGe.
  • Recherche sur les techniques optimisées de de-embedding et sur la conception des structures test dédiées aux ondes millimétriques : un effort signifiant est apporté afin (i) d'obtenir les caractéristiques précises du transistor à partir de mesures à hautes fréquences utilisant un nouveau système de mesure sur wafer 110 GHz et (ii) le développement de méthodes de de-embedding efficaces.
  • Conception de circuits mmW pour les applications futures fonctionnant à plus de 160 GHz et jusqu'à 200 GHz.

Partenaires
  • ST Microelectronics
  • Infineon Technologies AG
  • IMEC (Institut de micro-électronique et composants)
  • IHP(Institut für innovative Mikroelektronik)
  • TUD (Université de Technologie de Dresde)
  • UoS (Université de Siegen)
  • UoW (Université de Wuppertal)
  • JKU (Université Johannes Kepler de Linz)
  • BU (Université Bundeswehr de Munich)
  • UN (Université de Naples)
  • IEF (Institut d'Electronique Fondamentale) Université Paris-Sud Orsay
  • XMOD Technologies
  • Alma Consulting Group



 
 
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