ROBUST est un ambitieux projet de recherche industrielle d'une durée de trois ans centré sur les activités technologiques nécessaires à l'optimisation fiabilisée des transistors bipolaires InP submicroniques (TBH InP) en vue de la conception robuste des circuits intégrés (CI) cadencés à 112 Gb/s et destinés aux transmissions optiques Ethernet.

http://extranet.ims-bordeaux.fr/ROBUST

Cristell MANEUX (coordinateur)
Laurent BECHOU
Nathalie LABAT
François MARC
Tomas ZIMMER

Les compétences fournies par l'IMS dans ce projet se concentrent sur le développement de nouvelles approches en terme de dispositifs électroniques et de systèmes d'évaluation afin de permettre l'intégration de la fiabilité depuis la phase de conception et d'assurer le control des procédés technologiques.
En effet, les performances des technologies ne cessent de s'améliorer, leur complexité d'augmenter, particulièrement en matière d'intégration, et les profils de la mission de devenir de plus en plus sévère. De fait, les développements technologiques concernent autant l'intégration monolithique des dispositifs semi-conducteurs (SiGe III-V) que les interconnections et les assemblages, qui dans les générations de nouveaux systèmes se transforment en solutions très innovantes, telles que le SiP. L'expertise de ce groupe, reconnue au niveau international repose sur :

• Le développement de méthodes et de techniques de détection, d'identification et de localisation des défaillances,
• La mise en place de modèles de défaillance (i) en commençant par des études expérimentales représentatives des conditions opérationnelles du fonctionnement des dispositifs électronique, (ii) en permettant l'identification et l'utilisation d'indicateurs de dégradation précoce et (iii) capable de résoudre des lois comportementales sur les dérives des paramètres électriques afin d'apporter un caractère prédictif à la fiabilité de l'évaluation.

Le projet ROBUST profitera du savoir et de l'expertise de l'équipe «Modélisation compacte et caractérisation des dispositifs électroniques» du groupe Nanoélectronique qui possède 15 ans d'expérience en conception BJT et TBH. Les 2 aspects, la recherche sur les dispositifs électroniques avancés et l'application industrielle, sont menés en parallèle. Les 15 thèses qui sont effectuées au sein de cette équipe, ont engendré plus de 100 publications (des chapitres de livre, des papiers techniques, des conférences et des workshops).
L'équipe a été impliquée en tant que leader du work package «développement des dispositifs électroniques, conception et caractérisation» dans 2 programmes MEDEA (MEDEA T555 ASGRA et MEDEA + T204 ASGBT), à forte participation industrielle avec par exemple ST Microelectronics, Alcatel Microelectronics, Ericsson, NXP, Infineon et IMEC.
Aujourd'hui la modélisation compacte et la caractérisation des dispositifs électroniques sont l'un des piliers du laboratoire commun ST-IXL fondé en 2003. L'équipe est actuellement work package leader de 2 programmes Européens, le programme MEDEA+2T206 SIAM et l'ambitieux Projet Intégré FP7 sur la future technologie SiGe HBT 0.5 THz : DOTFIVE.
De la même façon, le projet ROBUST bénéficiera de l'expertise de l'équipe des «technologies III-V» du groupe Nanoélectronique qui possède 8 ans d'expérience en évaluation de TBH III-V au travers de 4 thèses. Les travaux de l'équipe de recherche sur ce sujet ont généré plus de 50 publications. Conjointement, l'équipe «fiabilité des circuits électroniques» possède 8 ans d'expérience sur le développement de méthodes et de modèles pour la prédiction du vieillissement de circuits analogues durant les phases de conception, basé sur la simulation de circuits et la conception comportementale. L'équipe apportera son savoir-faire quant à la fiabilité et au développement de modèles de vieillissement.